黄俊俊
- 作品数：8 被引量：14H指数：3
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- 相关领域：化学工程核科学技术理学更多>>
- 掺杂氧化锌粉体导电性能研究
- 以Al(OH)3,A12O3、TiO2和Nb2O5为掺杂原料，采用固相反应法制备掺杂ZnO粉体，并用自制的ZnO粉体掺入氟碳树脂涂料中以制备导电涂料。借助于X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、电子能谱(EDS)、综...
- 黄俊俊
- 文献传递
- 固相反应合成锆英石被引量：3
- 2009年
- 以ZrO2和H2SiO3为原料,采用高温固相法合成ZrSiO4。借助X射线衍射、扫描电子显微镜等分析手段,研究球磨时间、引入锆英石晶种、保温时间、煅烧温度等因素对ZrSiO4合成的影响。结果表明:球磨时间、保温时间及煅烧温度是影响ZrSiO4合成的主要因素,引入ZrSiO4晶种对ZrSiO4的合成没有明显的影响;合成ZrSiO4的较佳工艺条件为:球磨时间为24h,保温时间为3h,煅烧温度为1500℃;合成ZrSiO4粉体的纯度达到84.18%,平均晶粒为1.5μm。
- 赵伟滕元成曾冲盛崔春龙黄俊俊
- 关键词：硅酸锆固相反应
- 铈在榍石固溶体中固溶量的研究
- aCO3、SiO2、TiO2、Ce2C8O12·10H2O和Al2O3为原料,通过高温固相反应合成榍石固溶体,借助X射线衍射(XRD)、背散射二次电子像(BSE)、能谱(EDS)等分析手段,研究铈在榍石固溶体中...
- 滕元成赵伟李玉香任雪谭黄俊俊
- 关键词：合成工艺
- 固相法制备掺铝ZnO粉体导电性能研究被引量：3
- 2010年
- 以Al(OH)3和ZnO为原料,采用固相法制备掺铝氧化锌半导体粉体,借助XRD和SEM等分析手段,探讨了煅烧温度、保温时间、预烧和掺杂量等因素对粉体电性能的影响。结果表明:Al(OH)3的掺杂量为1%时,ZnO半导体粉体的电阻率最低;煅烧温度、保温时间和预烧工艺影响粉体的电阻率;直接煅烧制备的粉体较佳工艺是在1 250℃煅烧150 min,通过预烧-煅烧制备的粉体较佳工艺是在1 300℃煅烧90 min。
- 黄俊俊滕元成赵伟任雪潭吴浪桂成梅
- 关键词：氧化锌掺杂固相反应
- 铈在榍石固溶体中固溶量的研究
- 以CaCO、SiO、TiO、CeCO·10HO和AlO为原料,通过高温固相反应合成榍石固溶体,借助X射线衍射(XRD)、背散射二次电子像(BSE)、能谱(EDS)等分析手段,研究铈在榍石固溶体中的固溶情况。结果表明,引入...
- 滕元成赵伟李玉香任雪谭黄俊俊
- 关键词：榍石固溶体铈
- 文献传递
- 沉积温度对高温超导带材YBiO3缓冲层外延生长的影响被引量：3
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在LaAlO3(001)基片上研究了沉积温度对用作高温超导带材缓冲层YBiO3结晶的影响。结果表明,随着沉积温度的升高,YBiO3缓冲层结晶质量提高,取向趋于完美,表面较为平整。当沉积温度为700℃时,单晶外延的YBiO3与LaAlO3基片的外延关系为:YBiO3(001)//LaAlO3(001)和YBiO3[110]//LaAlO3[100],其晶格失配度为1.3%,平均粗糙度约为3.4nm。
- 岳美琼魏贤华滕元成黄俊俊
- 关键词：沉积温度
- 固相反应合成铋酸钇
- 2010年
- 以Y2O3、Y(C2H3O2)3和Bi2O3为原料,采用高温固相反应合成铋酸钇(YBiO3)。借助热重-差热、X射线衍射、SEM等分析手段,探讨了不同原料、煅烧温度、保温时间、预烧等因素对铋酸钇合成的影响。结果表明:高温固相反应能够合成高纯度的铋酸钇;与Y(C2H3O2)3相比,Y2O3是合成YBiO3的较佳原料,其合成YBiO3的最低温度是766℃左右,YBiO3的开始分解温度是917℃左右;合成YBiO3的较佳工艺为两磨两烧,在800℃预烧90min,其较佳工艺参数为煅烧温度为900℃,保温时间120min。
- 黄俊俊滕元成赵伟桂成梅宋子健
- 关键词：固相反应
- 铈在榍石固溶体中的固溶量被引量：5
- 2010年
- 以CaCO3、SiO2、TiO2、Ce2C8O12·10H2O和Al2O3为原料,通过高温固相反应合成榍石固溶体,借助X射线衍射(XRD)、背散射二次电子像(BSE)、能谱(EDS)等分析手段,研究铈在榍石固溶体中的固溶情况。研究结果表明,引入Al3+作为电价补偿时,Ce4+固溶在Ca1-xCexTi1-2xAl2xSiO5固溶体中,其最大固溶量为12.61%;不引入电价补偿时,Ce4+固溶在Ca1-2xCexTiSiO5固溶体中,其最大固溶量为10.98%;合成掺Ce榍石固溶体的较佳温度为1260℃。
- 赵伟滕元成李玉香任雪谭黄俊俊
- 关键词：榍石固溶体铈
