高建昌
- 作品数：12 被引量：21H指数：2
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏高校省级重点实验室开放课题江苏省教育厅自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术机械工程更多>>
- T10钢表面BN薄膜结合力改善及减摩性研究
- 实验采用射频磁控溅射法在T10碳素工具钢表面制备了氮化硼薄膜,进一步研究了在基材和薄膜之间化学镀Ni-P中间层对薄膜结合力的影响.使用摩擦试验仪对基材和镀膜后的试样进行磨擦性能检测;通过划痕试验进行结合强度试验.实验结果...
- 高建昌邵红红吴强李宁华戟云
- 关键词：射频磁控溅射氮化硼薄膜金相显微镜
- 文献传递
- SiC薄膜对纳米结构Ti拉伸和摩擦性能的影响被引量：2
- 2007年
- 考察了SiC薄膜对块体纳米结构钛力学和摩擦性能的影响。实验采用磁控溅射技术制备SiC薄膜(样品台不加温),使用划痕仪测量界面结合力,采用拉伸试验机测量拉伸性能,采用摩擦试验机测量摩擦性能(对摩件为Si3N4,干摩擦),采用SEM-EDAX观察分析微观组织。研究了薄膜(或涂层)对块体纳米材料力学性能的影响,并且获得了一种兼具高强度、良好塑性和良好摩擦学性能的纯钛金属材料。研究结果表明,SiC薄膜不仅不会降低纳米结构Ti的拉伸性能,而且能显著降低摩擦系数(从0.7到0.3),大大提升抗磨性能。
- 许晓静姜玉杰陆树显曹进琪邵红红高建昌
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射摩擦学性能
- 钢基表面磁控溅射法C//SiC双层薄膜制备研究
- 本课题采用磁控溅射的方法在以GCr15为主的基材上制备了C／SiC双层耐磨减摩薄膜：用射频磁控溅射法分别在衬底加热与不加热时首先沉积一层SiC硬膜，然后采用直流磁控溅射法在其表面沉积非晶碳膜。
采用X射...
- 高建昌
- 关键词：碳化硅非晶碳膜磁控溅射
- 文献传递
- T10钢表面BN薄膜结合力改善及减摩性研究
- ＜正＞实验采用射频磁控溅射法在T10碳素工具钢表面制备了氮化硼薄膜,进一步研究了在基材和薄膜之间化学镀Ni-P中间层对薄膜结合力的影响。使用摩擦试验仪对基材和镀膜后的试样进行磨擦性能检测;通过划痕试验进行结合强度试验。实...
- 高建昌邵红红李宁华戟云吴强
- 文献传递
- 带防护螺母激光焊接的应用研究被引量：2
- 2006年
- 论述了激光焊接连接防护罩和螺母的优越性。采用激光焊接的方法分别研究了Q235钢和H62黄铜防护螺母激光焊接后的组织和性能。研究结果表明,防护螺母激光焊接成形具有最窄的热影响区和最小的组织长大倾向,硬度梯度平缓,且防护罩几乎没有变形。
- 高建昌邵红红许友谊
- 关键词：激光技术激光焊接热影响区
- 退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)表面制备了非晶态SiC薄膜,并于真空热处理炉中进行(800～1200)℃×1h退火处理。通过X射线衍射、扫描电镜以及摩擦磨损试验研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌以及性能的影响。结果表明,退火温度在800℃以上薄膜结构开始发生明显的晶态转变,在1000℃时薄膜主要结构为3C-SiC,且薄膜表面晶粒细小、致密,摩擦系数约为0.2。在1200℃退火时,薄膜为混晶结构,且薄膜晶粒明显粗化。
- 邵红红张亮高建昌苏波
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射退火温度
- 钢基耐磨SiC薄膜制备研究
- 用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面获得了SiC薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射方式对薄膜性能的影响.结果表明:溅射态下制备的SiC薄膜具有非晶态结构,且射频溅射法,在功率...
- 邵红红张晔高建昌
- 关键词：磁控溅射SIC薄膜结合力
- 文献传递
- T10钢表面BN薄膜结合力改善及减摩性研究被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控溅射法在T10碳素工具钢表面制备了氮化硼薄膜;研究了在基材和薄膜之间化学镀N i-P中间层对薄膜结合力的影响;使用摩擦试验机对基材和镀膜后的试样进行了摩擦性能检测;通过划痕试验进行了结合强度试验。结果表明在工具钢表面溅射镀BN薄膜后摩擦因数明显降低,从原来的0.8下降到0.6,具有良好的减摩效果;BN薄膜和T10钢基材之间有一定的结合强度,加入N i-P中间层以后膜基结合力有显著增加,能达到约30 N;采用射频磁控溅射法制备得到的薄膜内部的应力为压应力,这有利于薄膜的附着和立方相氮化硼的形成。
- 高建昌邵红红吴强李宁华戟云
- 关键词：射频磁控溅射氮化硼薄膜
- 钢基耐磨SiC薄膜制备研究被引量：2
- 2007年
- 用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面制得了SiC薄膜。通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射方式对薄膜性能的影响。结果表明:室温下,用磁控溅射法制备的SiC薄膜具有非晶态结构;傅立叶红外光谱证实了薄膜中除了Si—C键的存在外还有大量的Si—Si键;在相同的工艺参数下用射频溅射法制备的薄膜表面更为光滑致密,与基体结合更好;采用射频溅射法,在功率200W,时间为2h,工作气压为0.1Pa条件下制备的SiC薄膜性能最佳。
- 邵红红张晔高建昌
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射结合力40CR钢
- 钢基表面磁控溅射法3C-SiC薄膜制备研究被引量：2
- 2008年
- 采用磁控溅射的方法溅射SiC靶材所制备的碳化硅薄膜由于制备过程中碳易被溅射气体带走而很难形成结构较好的晶态结构。采用纯物理方法实时增碳又非常困难,实验采用先对衬底升温射频磁控溅射沉积碳化硅,然后再用直流法在表面沉积碳——两步法在钢基体表面制备薄膜。对所制备的薄膜结构采用X射线衍射和傅立叶红外吸收光谱表征;并通过扫描电镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明,通过这种方法所得出的薄膜在XRD图像中显示了很明显的3C-SiC的晶态峰,在红外分析中也得到了其相应的吸收峰。
- 邵红红高建昌华戟云李宁
- 关键词：SIC薄膜非晶碳膜磁控溅射X射线衍射
