陈富贵
- 作品数：7 被引量：7H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自然科学总论电子电信更多>>
- 铁电薄膜极化反转电流的电场和温度特性研究
- 2004年
- 应用铁电薄膜极化反转的KA模型,讨论了极化反转电流随电场和温度的变化关系.结果表明,极化反转电流随电场的增加而增加,极化反转时间在低电场时成指数关系下降,高电场时幂律关系下降;在居里温度附近,极化反转电流随温度增加而减小,温度远低于居里温度时,随温度增加而增加.
- 田召明张树人刘劲松陈富贵杨成韬
- 关键词：极化反转
- PZT铁电薄膜的疲劳与老化特性研究
- 本文通过分析造成铁电薄膜失效的机理,认为铁电薄膜的疲劳是由于铁电薄膜内的固有氧空位以及低介电常数层内的高场强引起的电子的注入效应同时作用而引起的,基于该分析,对Scott提出的单考虑固有氧空位的作用得到的疲劳关系模型进行...
- 陈富贵
- 关键词：铁电薄膜PZT印迹
- 文献传递
- RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究被引量：4
- 2006年
- 通过RF磁控溅射在Si（100）基片上制备了ZnO薄膜，并研究了磁控溅射中各生长参数，如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响。结果表明：溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响，并对不同的溅射工艺进行了分析比较，从而确定了最佳溅射及后处理条件：RF溅射温度小于300℃，功率为50W，沙（Ar：O2）为20：5，退火温度550～600℃，并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。
- 陈祝张树人杨成韬陈富贵董加和王升
- 关键词：无机非金属材料ZNO薄膜氧分压
- PZT铁电薄膜的印迹研究被引量：1
- 2005年
- 印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状态的差异。矫顽电压偏移量对铁电薄膜的厚度依赖性,以及矫顽电压的偏移量随时间变化规律,很好地证实了笔者的设想。
- 陈富贵杨成韬刘敬松田召明彭家根张树人
- 关键词：无机非金属材料印迹界面层
- 铁电薄膜极化反转电流的电场和温度特性研究
- 应用铁电薄膜极化反转的KA模型, 讨论了极化反转电流随电场和温度的变化关系.结果表明,极化反转电流随电场的增加而增加,极化反转时间在低电场时成指数关系下降,高电场时幂律关系下降:在居里温度附近,极化反转电流随温度增加而减...
- 田召明张树人刘劲松陈富贵杨成韬
- 关键词：极化反转
- 文献传递
- 退火工艺对Pb(Zr_(0.55)Ti_(0.45))O_3铁电薄膜结晶取向的影响被引量：1
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si上成功的制备了Pb(zr0.55Ti0.45)O3(PZT)铁电薄膜,通过传统退火(CFA)和快速退火(RTA)不同的退火方式,获得了(100)和(111)择优取向的铁电薄膜。对薄膜电学特性的测试表明,薄膜的织构对其电学性能有很大影响,(111)取向的薄膜与(100)取向的薄膜相比,剩余极化Pr和矫顽场Ec较大,但抗疲劳特性却较差。
- 田召明张树人陈富贵杨成韬
- 关键词：铁电薄膜射频磁控溅射
- c轴择优取向ZnO薄膜RF溅射工艺研究被引量：1
- 2007年
- 通过射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,该文着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对氧化锌薄膜结晶性能、表面形貌、择优取向与微结构的影响,并对溅射工艺与取向、结构的关系进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。
- 陈祝张树人杜善义杨成韬陈富贵董加和孙明霞
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射氧分压
