郭永庆
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
- 供职机构：甘肃民族师范学院物理与水电工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- Co掺杂钙钛矿SrTiO_3磁性机理的理论研究被引量：1
- 2011年
- 采用第一性原理LDA+U方法研究了Co掺杂SrTiO3的磁性机理,对不同掺杂体系的基态能量、电子结构、态密度、居里温度及缺陷替位能进行了计算分析。结果表明,无氧空位的掺杂体系呈现出反铁磁性或顺磁性,而有氧空位掺杂体系却表现出铁磁性;掺杂体系的晶胞磁矩主要来自于Co离子局域磁矩的贡献;随着Co和氧空位浓度的增加,掺杂体系表现出室温铁磁性;Co离子和氧空位的共同作用降低了体系的缺陷替位能;掺杂体系中Co离子之间的铁磁性耦合可以用束缚磁极子机制解释。
- 王青李强戴剑锋郭永庆张仁辉
- 关键词：COSRTIO3第一性原理
- 超导体MgB_2成相过程研究被引量：1
- 2011年
- 根据镁和硼的基本化学性质、杂化轨道理论、前线轨道理论和粉末反应理论,分析了粉末反应中MgB2晶核的形成及生长过程。这一过程可分三步完成:(1)两种粉粒碰撞接触,做反相微幅受迫振动,产生MgB2成相区;(2)两个硼原子相遇,价轨道经sp2杂化生成B2,镁原子的两个3s价电子自旋相反成对填入B2的π轨道形成π键,生成MgB2,此即MgB2初始晶核。初始晶核有四个外露半满电子轨道,具有顺磁性,电场分布不对称;(3)初始晶核以确定的杂化轨道平面方向,分别沿a轴和c轴相互接近反应,形成晶核沿三个轴六个方向的生长,π键演化成π63键,镁离子处于硼层的六角中心,最终形成MgB2单晶晶粒。固-液界面有利较大晶粒形成。温度升高,晶粒变大。由初始晶核可能生成MgB4和MgB7等。用初始晶核顺磁性和晶粒表面局域电子,对成相过程可做进一步试验检验。
- 郭永庆冯旺军李翠环陈映杉
- 关键词：MGB2晶核
- MgB2的反应相变和晶粒生长过程研究
- MgB2是2001年发现的临界温度(Tc)为39K的超导材料,被认为是最有希望可应用于20K-30K温区的超导材料。但与传统的低温超导体相比,MgB2的临界电流密度(Jc)较低,而且随外加磁场(H)的增加而迅速降低,Mg...
- 郭永庆
- 关键词：轨道杂化晶粒生长临界电流密度
- 文献传递
- 高压合成MgB_2超导体单晶的研究现状
- 2012年
- 简要叙述了MgB2超导体的超导机制、超导特性及其应用,重点介绍了目前MgB2单晶体生长过程中存在的主要问题和高压合成MgB2超导体单晶的研究现状.
- 郭永庆
- 关键词：MGB2超导机制单晶生长
- 超导体MgB_2成相过程及试验检验
- 2012年
- 粉末反应中MgB2成相过程可分三步完成:两种粉粒由于热运动接触碰撞,做反相微幅受迫振动,形成MgB2成相区;两个硼原子接近,价轨道发生sp2杂化,反应生成B2,镁原子的两个3s价电子自旋相反且成对填入B2的π轨道形成π键生成MgB2,此即MgB2初始晶核。初始晶核有不对称的电场分布和四个外露半满杂化电子轨道;初始晶核分别沿a和c三个轴六个方向接近反应,生长成单晶晶粒。晶粒表面的外露半满杂化电子轨道、镁离子和电子的局域电场可能将相邻晶粒中的晶格周期性接通,形成库伯对穿过晶粒界面的通道;不同晶面中的两种化学键可能导致两种费米分布、两种库伯对和双能隙。利用初始晶核顺磁性和晶粒表面局域电子,对成相过程可做进一步试验检验。
- 郭永庆冯旺军李翠环陈映杉
- 关键词：MGB2晶核
- (TiZr)_n(n=1～7)团簇的几何构型与性质的密度泛函研究被引量：2
- 2012年
- 采用密度泛函DFT中的B3LYP方法,选择LANL2DZ基组,对(TiZr)_n(n=1～7)团簇的各种可能构型进行了优化,得到了各团簇的最稳定结构,并对最稳定结构的几何结构、IR光谱、成键特性和稳定性等进行了理论分析.结果表明:(TiZr)_n(n=2～7)团簇易形成笼状结构,Ti原子易于得到电子,而Zr原子易于失去电子;体系随着原子数的增多,自由度增加,IR光谱表现出宽带谱特征;定域化轨道标识函数图揭示了(TiZr)_n(n=1～7)基态团簇原子间多为金属键作用,在特定结构下有共价键成分出现;随着原子数增加,(TiZr)_n(n=1～7)团簇带隙减小,金属性增强;(TiZr)_1和(TiZr)_3团簇具有相对较高的动力学稳定性.
- 王青李强戴剑锋郭永庆
- 关键词：团簇密度泛函理论
- 有限元法分析栅极对CNTs场发射性能的影响
- 2010年
- 建立了栅极冷阴极结构和二极管结构的碳纳米管(CNTs)场发射阴极,利用有限元素法对发射体的场发射性能进行了模拟,进一步计算并分析了栅极、栅极电压以及栅孔半径等参数对碳纳米管尖端电场分布和场发射性能的影响.结果表明,栅极对碳管尖端的激发电场具有很强的增强作用;栅极电压越高,场增强因子越大;最佳场发射栅孔半径为碳纳米管半径的10倍;栅极使得碳纳米管的开启电压降低,发射电流密度增加.
- 郭永庆慕晓文
- 关键词：场发射碳纳米管
