赵永田
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 大口径多光谱ZnS头罩的研制被引量：8
- 2008年
- 多光谱ZnS是一种综合性能优异的红外光学材料,在长波红外及多波段红外探测成像系统中被广泛应用。化学气相沉积和热等静压后处理是制备多光谱ZnS材料的关键技术。介绍了化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺制备多光谱ZnS的工艺原理及沉积大口径头罩的结构设计;报道了研制成功的270mm大口径多光谱ZnS头罩。经测试分析,头罩的全波段透过率均已接近理论水平、吸收系数≤0.01cm-1、折射指数均匀性达到2.2×10-5、硬度160kg/mm2、抗弯强度70MPa、断裂韧性1.0MPa·m1/2。与美国Rohm&Haas公司的多光谱ZnS产品相比,该头罩的主要性能指标与其处于同一水平。
- 霍承松杨海付利刚石红春鲁泥藕赵永田魏乃光孙加滢余怀之苏小平
- 关键词：大口径
- 烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响
- 2022年
- 镁铝尖晶石透明陶瓷是一种优异的中红外材料,被广泛应用在军事领域和民用领域,具有典型的军民通用特点。本工作研究了烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响,确定了适合高质量镁铝尖晶石透明陶瓷烧结工艺路线,对加快大尺寸透明陶瓷装甲材料产业化具有重要意义。结果表明:热压Mg Al_(2)O_(4)透明陶瓷中Li离子可能以LiAlO_(2)形式存在;热等静压Mg Al_(2)O_(4)透明陶瓷的优先取向生长面为(311);热压和热等静压工艺制备的Mg Al_(2)O_(4)陶瓷中Al离子、Mg离子偏离化学计量配比且Al和Mg摩尔比大于2,随着热等静压压力增大,陶瓷内部小晶粒增多,同时发现MgAl_(2)O_(4)陶瓷晶粒尺寸控制在20~40μm有利于提升3~5μm平均透过率,处理温度1750℃、压力170 MPa条件下有利于提升MgAl_(2)O_(4)透明陶瓷3~5μm波段的平均透过率,平均透过率大于85%。同时,发现热等静压烧结时间对提升MgAl_(2)O_(4)透明陶瓷的红外透过率作用较小。
- 郭立赵永田石红春曹波刘宇阳陈观通郑安生马远飞林泉刘晓华
- 关键词：热压热等静压物相分析显微结构光学性能
- 沉积温度、压力对CVDZnS晶粒尺寸及性能的影响被引量：2
- 2020年
- 通过控制H2S流量(2±1)L/min、氩气流量(35±2)L/min,在不同沉积温度[(650±10)、(670±10)、(700±10)℃]、不同沉积压力[(5000±200)、(7000±200)、(9000±200)Pa]工艺条件下采用化学气相沉积法制备出原生ZnS(CVDZnS)样品。利用X射线衍射、金相显微镜、Spectrμm100 Fourier红外变换光谱仪对CVDZnS样品分别进行了物相分析、微观晶粒形貌观察以及2~15μm波段的红外透过率测试。结果表明:CVDZnS主要以立方相形式存在,有少量六方相,沉积生长的优先取向为s(111);金相分析表明在沉积压力为(5000±200)和(7000±200)Pa时,随着温度的升高平均晶粒尺寸有增大趋势,最大平均纵向晶粒尺寸值为15.5μm。平均纵向晶粒尺寸和平均横向晶粒尺寸的比值越接近"1",对于提高材料弯曲强度越有利。确定了在沉积温度为(670±10)℃、沉积压力为(7000±200)Pa工艺条件下,制备的CVDZnS可以有效提高2~5、7~10μm的平均透过率(~72.15%),降低6.0μm左右的吸收。
- 魏乃光郭立杨海刘晓华田智瑞黎建明李冬旭蒋立朋李文江赵永田杨建纯
- 关键词：沉积温度光学性能力学性能
- 降低m-CVDZnS多晶残余应力的带压退火研究
- 2022年
- 硫化锌(ZnS)具有较高的红外透过率及良好的力学、热学和光学等综合性能,经热等静压透明化处理后得到的多光谱硫化锌(m-CVDZnS)透射范围更宽(0.3~13μm),满足复合制导的需求,是红外双波段飞行器观察窗口和头罩的关键材料。而m-CVDZnS多晶中的残余应力直接影响窗口和头罩的光学均匀性和光学成像质量。本工作在热等静压设备中对CVDZnS多晶样品进行原位退火,采用的保护气体Ar气达到热等静压高温恒温所需压力后,退火过程不再进行充压或泄压(带压退火)。退火样品为多个尺寸约120 mm×165 mm×10.2 mm的m-CVDZnS多晶抛光样品,典型带压退火的优化工艺如下:高温退火条件采用990℃/150 MPa,结合600℃恒温和慢降温至室温退火。样品应力双折射测量结果表明,带压退火处理使残余应力明显减小,应力双折射平均值从12~13 nm/cm减少到3~5 nm/cm,降幅约100%;退火处理后应力分布均匀性明显提高。
- 周杰明黎建明李冬旭赵永田杨海魏乃光
- 关键词：残余应力应力双折射
- 温度对CVDZnS生长的影响
- 沉积温度对CVDZnS的生长影响显著.但在本文所选的温度区间内ZnS的生长速率几乎没有变化,结合放热CVD反应的速率曲线对此进行了分析研究.另外随温度的升高,粉末及球状生长加剧,严重景影响ZnS的光学、力学性能以及表观质...
- 付利刚苏小平杨海霍承松赵永田
- 关键词：化学气相沉积法红外材料光学性能沉积温度
- 文献传递
- 原生CVD ZnS 6.2μm处吸收峰的消除及机理分析被引量：2
- 2010年
- 原生CVD ZnS的特征之一是由于内部与S空位相关的Zn-H络合物的存在而在6.2μm处形成吸收峰。相对较低的沉积温度和较高的沉积压力以及Zn/H2S是产生这一问题的主要原因。通过改进实验参数(沉积温度、沉积压力、Zn/H2S),能够制备出与经过HIP处理过的ZnS一样的无Zn-H络合物的原生ZnS。本文依据Zn-H络合物产生的原因对沉积温度、压力等作用机理进行了分析,总结出进一步提高CVD ZnS质量的方法。
- 付利刚张福昌魏乃光赵永田王学武吕反修
- 关键词：ZNS
- 制备高光学均匀性CVDZnS球罩的设备
- 一种化学气相沉积制备高光学均匀性硫化锌球罩的设备，是在高温真空炉内设有锌池、锌蒸汽喷嘴、硫化氢喷嘴、沉积室、和卸料箱，沉积室侧壁装有凹模形式的球罩模具，并在球罩模具的中心位置上设有挡板。本实用新型的沉积室侧板上的球罩模具...
- 苏小平杨海霍承松付利刚赵永田魏乃光
- 文献传递
