褚立志
- 作品数：74 被引量：115H指数：7
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定被引量：14
- 2007年
- 为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜.X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜结果均显示,纳米Si晶粒只在距靶约0.5—2.8cm平行距离范围内的样品上形成,在此范围内,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小,并且晶粒尺寸的分布也发生变化.根据成核区起始和终止的突变特征,结合晶粒形成后的平抛运动规律,对晶粒气相成核的位置进行了估算.
- 褚立志卢丽芳王英龙傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀
- 脉冲时间间隔对激光烧蚀Si粒子密度分布的影响
- 2012年
- 采用Monte Carlo方法,对脉冲激光烧蚀所产生的烧蚀粒子在环境气体中的输运过程进行了数值模拟。研究了不同脉冲时间间隔与交叠区位置振荡幅度之间的关系,结果表明脉冲时间间隔影响了交叠区的振荡强弱,随着脉冲时间间隔的增加,交叠区的振荡幅度减小,脉冲时间间隔为10μs时达到最小值,而后开始增大。所得结果为进一步研究烧蚀粒子在环境气体中的输运动力学过程提供了理论依据。
- 褚立志李艳丽邓泽超丁学成赵红东傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀MONTECARLO模拟纳米SI晶粒
- 不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响
- 2012年
- 在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)散射光谱对样品进行特性分析.结果表明,在能量密度为2～4J/cm2时,衬底上沉积的纳米硅晶粒尺寸和面密度基本不变.结合纳米晶粒成核生长动力学,对结果进行了定性解释.
- 邓泽超罗青山丁学成褚立志王英龙
- 关键词：脉冲激光沉积能量密度晶粒尺寸
- 环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响
- 采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大...
- 王英龙张恒生褚立志丁学成傅广生
- 关键词：脉冲激光烧蚀晶粒尺寸环境气体
- 文献传递
- 初始溅射粒子密度对烧蚀粒子密度和速度分布的影响被引量：4
- 2010年
- 采用蒙特-卡罗(Monte Carlo)模拟方法,研究了初始溅射粒子密度对其传输中的密度和速度分布以及环境气体密度分布的影响.结果表明,随着初始溅射粒子密度增大,烧蚀粒子和环境气体高密度峰的交叠区离开靶的最大距离减小,被衬底反弹后,距靶的最小距离减小,烧蚀粒子的速度分布随初始溅射粒子密度增大而变宽,当初始溅射粒子密度大于8.33×1025m-3时,出现速度劈裂现象.所得结论为进一步定量研究纳米晶粒的成核机理提供了基础.
- 丁学成傅广生梁伟华褚立志邓泽超王英龙
- 关键词：MONTECARLO模拟密度分布
- 真空环境中脉冲激光烧蚀制备纳米银晶薄膜的生长特性被引量：9
- 2019年
- 采用XeCl准分子脉冲激光,在室温、真空环境下烧蚀银靶,通过改变激光能量密度和靶衬间距,在与靶面平行放置的Si(111)衬底上沉积了一系列纳米银晶薄膜。利用扫描电镜以及X射线衍射仪、选区电子衍射技术对薄膜进行表征,结果表明:薄膜由不同尺寸的银纳米晶粒组成;在固定激光能量密度的条件下,随着靶衬间距增加,薄膜的厚度和晶粒尺寸逐渐减小,晶粒间的聚合程度减弱,薄膜(111)晶面的XRD特征谱线强度减弱,(200)晶面的特征谱线强度增强;在固定靶衬间距的条件下,随着激光能量密度的增大,薄膜的厚度和晶粒尺寸逐渐增大,晶粒间的聚合程度增强,薄膜(111)晶面的特征谱线强度增强,(200)晶面的特征谱线强度略有减弱。结合晶粒成核和传输特性、烧蚀粒子迁移率,以及薄膜沿不同晶面生长所需表面能存在差异的情况,对实验结果进行了分析。
- 邓泽超刘建东王旭孟旭东丁学成褚立志王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀成核薄膜生长表面能
- 真空中脉冲激光烧蚀制备银纳米晶粒在水平衬底上的分布特性被引量：1
- 2019年
- 在室温、真空环境中,通过XeCl准分子脉冲激光烧蚀银靶,烧蚀产物沉积在水平放置的Si(111)衬底上。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、探针式表面轮廓(PTSP)仪和选区电子衍射(SAED)对沉积所得的样品进行表征。结果表明,样品主要由具有不同尺寸的银纳米晶粒组成;随着衬底与靶面水平距离的增加,样品厚度和晶粒尺寸逐渐减小;样品的(111)和(200)晶面的XRD特征谱线强度,随着衬底位置的改变而变化。在增加激光能量密度、衬底与烧蚀焦点垂直距离的情况下,晶粒尺寸及样品XRD特征谱线变化规律并未发生明显变化。结合银纳米晶粒传输特性和沉积样品沿不同晶面生长所需表面能的差异,对实验结果进行了分析。
- 邓泽超王旭刘建东孟旭东丁学成褚立志王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀真空
- 激光烧蚀制备按尺寸自然分离的纳米Si晶粒被引量：5
- 2007年
- 提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000Ω.cm的高纯单晶Si靶,在等离子羽轴线正下方2.0 cm处平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底来收集纳米Si晶粒。拉曼(Raman)谱测量结果显示,在距靶平行距离为0.5-2.8 cm范围内,所制备的薄膜中均有纳米Si晶粒形成。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,对图中的纳米Si晶粒统计分析表明,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小。从烧蚀动力学角度对实验结果进行了定性解释,因为不同尺寸的纳米Si晶粒获得了不同的水平速度,所以在重力作用下实现了尺寸的自然分离。
- 褚立志卢丽芳王英龙傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒激光烧蚀
- 调整靶衬间距实现纳米Si晶粒尺寸的均匀可控被引量：8
- 2009年
- 采用脉冲激光烧蚀装置,在10 Pa的氩气环境下,在1～6 cm范围内调整衬底与靶的距离沉积制备了纳米Si薄膜。X射线衍射(XRD)谱和Raman谱测量均证实,纳米Si晶粒已经形成;利用扫描电子显微镜(SEM)观测了所形成的纳米Si薄膜的表面形貌。结果表明,随着靶衬间距的增加,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸减小(尺寸均匀性变差),在3 cm时达到最小值(尺寸分布最均匀),而后开始增大(尺寸均匀性变差)。利用蒙特-卡罗(MonteCarlo)方法,对不同靶衬间距下烧蚀产物的输运动力学过程进行了数值模拟,得到与实验结果相同的结论。
- 王英龙褚立志邓泽超闫常瑜傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀MONTECARLO模拟
- 镍间隙掺杂硅纳米线电子结构的研究被引量：2
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对[100]方向镍间隙掺杂硅纳米线结构的稳定性和电子性质进行了计算。计算结果表明Ni原子更喜欢占据硅纳米线内部六角形间隙位置;掺杂体系费米能级附近的电子态密度来源于Ni3d态电子的贡献;同时发现不同构型的Ni掺杂硅纳米线,其带隙不同,且与未掺杂硅纳米线相比,带隙普遍减小。
- 梁伟华王秀丽丁学成褚立志邓泽超郭建新傅广生王英龙
- 关键词：硅纳米线掺杂电子性质第一性原理
