蔡红
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究被引量：3
- 2010年
- 为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明,当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.
- 唐正霞沈鸿烈江丰方茹鲁林峰黄海宾蔡红
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
- 氧化铝膜对铝诱导制备多晶硅薄膜的影响被引量：9
- 2010年
- 为了考察硅铝界面氧化铝膜对铝诱导多晶硅的影响,本文用磁控溅射方法制备了界面有无氧化铝膜的硅铝复合结构。XRD测试表明两种铝诱导方法均制备了具有(111)高度择优取向的多晶硅薄膜。光学显微镜和扫描电镜照片显示,有氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜有两层,下层为大晶粒(40μm-60μm)枝晶状多晶硅,拉曼谱显示其结晶质量接近单晶,而上层膜晶粒较小,结晶质量较差。无氧化铝膜时铝诱导的多晶硅薄膜只有单层结构,其晶体结构和结晶质量都与有氧化铝膜时铝诱导的上层多晶硅薄膜相似。结果表明,硅铝界面上氧化铝的存在大大提高了铝诱导多晶硅薄膜的质量,但是另一方面也限制了铝诱导多晶硅的晶化速率。
- 唐正霞沈鸿烈鲁林峰黄海宾蔡红沈剑沧
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅氧化铝膜
- Mn、Co掺杂SiC薄膜结构与光致发光性能研究被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究。结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si—C键振动减弱,Si-O基团的振动增强。样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度。
- 宋曙光沈鸿烈李丹蔡红唐正霞
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射掺杂荧光性能
- 多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究被引量：2
- 2010年
- 采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势。
- 蔡红沈鸿烈黄海宾唐正霞鲁林峰沈剑沧
- 关键词：多孔硅高温退火拉曼谱
- 准单晶硅薄膜的制备与太阳能电池研究
- 本文介绍用低压化学气相沉积方法在双层多孔硅上外延生长准单晶硅薄膜并进而制备太阳能电池的研究结果。首先采用电化学腐蚀的方法制备了双层多孔硅，研究了两步阳极氧化法形成不同孔隙率的双层多孔硅层的机制和不同温度下多孔硅衬底对外延...
- 沈鸿烈蔡红岳之浩张磊江丰鲁林峰唐正霞
- 关键词：化学气相沉积硅太阳能电池
- 文献传递
