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苗信建

作品数：11 被引量：13H指数：2
供职机构：贵州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇量子
  • 4篇晶体
  • 4篇局域
  • 4篇局域态
  • 4篇光子
  • 4篇光子晶体
  • 4篇发光
  • 4篇硅
  • 3篇量子点
  • 3篇硅量子点
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米硅
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 1篇带隙
  • 1篇带隙特性
  • 1篇电致发光
  • 1篇电子结构
  • 1篇对称性
  • 1篇研究论文

机构

  • 11篇贵州大学
  • 5篇中国科学院
  • 1篇复旦大学

作者

  • 11篇苗信建
  • 10篇黄忠梅
  • 10篇黄伟其
  • 5篇周年杰
  • 5篇刘世荣
  • 5篇尹君
  • 5篇秦朝建
  • 2篇苏琴
  • 2篇陈汉琼
  • 2篇王刚
  • 1篇吕泉
  • 1篇刘仁举
  • 1篇吴学科
  • 1篇胡文波

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇贵州大学学报...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇发光学报
  • 1篇贵州科学
  • 1篇中国科技成果

年份

  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
不同对称性条件下光子晶体局域态的演化
2014年
光子晶体不仅可以用来调控自发辐射,还可以用来控制光的传输和局域。研究采用平面波展开法进行模拟计算。首先改变光子晶体H1缺陷及其附近介质柱的半径,使得光子晶格缺陷处超晶胞的旋转对称性具有C6v,C3v或C2v等点群的性质;然后分析二维圆形介质柱三角光子晶体的局域态在光子禁带中演化。计算结果表明:随着介质柱的半径的变化,光子晶体局域态会发生变化,其演化表现出阶段性;同时随着对称性破缺程度的加深,会有更多缺陷态进入光子禁带。计算选择硅(Si)作为介质柱材料,主要为硅基光子晶体激光器的选模提供理论参考。
周年杰黄伟其苗信建黄忠梅尹君
关键词：光子晶体对称性局域态激光器
硅基二维光子晶体的实验与计算研究
光子晶体（photonic crystals，PCs）以光子为信息载体，利用光子带隙（photonic band gap，PBG）或带隙中的缺陷模可以制作许多高性能器件。基于硅在通信波段透明和目前成熟的硅基超微细加工技术...
苗信建
关键词：平面波展开法光子带隙纳米激光器
文献传递
“纳米硅制备及其发光性质研究成果”最新报告
2015年
“纳米硅制备及其发光性质研究成果”研究小组最近在英国《自然》杂志子刊Scientific Reports上发表研究论文 《Magic electron affection in preparation process of silicon nanocrystal》, 报道了该小组有关纳米硅的制备及其发光性质研究的最新进展。
黄伟其刘世荣黄忠梅董泰阁王刚苗信建吴学科秦朝建
关键词：发光性质纳米硅SILICONMAGIC研究论文
反射Talbot效应的高阶衍射及其在硅光晶上的成像应用被引量：1
2014年
用纳秒脉冲激光在硅材料上制备一维和二维硅光子晶体结构,在这种一维和二维硅光子晶体上观测到反射泰伯(Talbot)效应成像。文中给出反射Talbot效应成像的理论模型,与传统的透射泰伯效应不同,反射泰伯效应有明显的泰伯距离变化和高阶衍射成像等现象。在反射泰伯效应成像中,相邻反射泰伯像之间的间距随像距增加呈线性增长;在泰伯距离间隔中,观察到交替的亮场和暗场成像。实验结果表明,选择适当输入光束的波阵面形状能够增大泰伯像的放大率,选择高阶衍射级能够提高泰伯像的分辨率。这种反射泰伯效应成像具有光路简洁和能够进行微区放大的特点,且不需将成像仪器放入样品室,这在硅基微加工与制备显微检测方面会有很好的应用。
黄忠梅黄伟其胡文波苗信建
关键词：波阵面
硅量子点发光的激活及其物理模型研究被引量：2
2012年
在真空或惰性气体中制备的硅量子点发光很弱,硅量子点表面被氢较好钝化后的发光也不强.硅量子点表面的硅氧键或硅氮键能破坏这种钝化并在带隙中形成局域电子态,在局域电子态对应的激活中心有很强的发光.可以用这种方式构建发光物质,控制硅量子点表面的键合可获得不同波长的发光.在硅量子点的发光激活处理过程中,退火是很重要的环节.对于硅量子点发光激活的机理,本文给出了相应的物理模型.实验证明,在600和700 nm波长附近观察到了激活硅量子点的受激发光,在1500 nm到1600 nm波长范围观察到了激活硅量子点的较强发光.
黄伟其黄忠梅苗信建刘世荣秦朝建
关键词：硅量子点局域态
硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光被引量：2
2015年
用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术（PLD）制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在1250～1650nm 波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多.
董泰阁黄伟其黄忠梅王刚苗信建吕泉刘世荣秦朝建
关键词：电致发光
通信波段硅基气孔光子晶体的带隙特性及其物理模型研究被引量：3
2014年
用平面波展开法对硅背景下的通信波段不同晶格类型和气孔形状光子晶体的能带结构进行数值计算与分析,提出了相应的物理模型.结果表明:利用光子受限效应和晶格对称性效应可以有效地调控光子带隙.随光子晶体填充率的增加,其约束光子的能力增强,光子带隙在一定范围内展宽且其中心频率蓝移;带隙随晶格对称性增加而变宽.对基元形状和旋转角度的研究发现,光子带隙随基元旋转角度变化具有周期性和对称性,表现出各向异性,由此优化出对应的不同晶格的最佳谐振腔型结构.
苗信建黄伟其黄忠梅周年杰尹君
硅量子点的形状及其弯曲表面效应被引量：3
2013年
硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象.CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实,CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光.
黄伟其周年杰尹君苗信建黄忠梅陈汉琼苏琴刘世荣秦朝建
关键词：硅量子点局域能级
纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光被引量：2
2014年
纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN线、693 nm处的LO1线和604 nm处的LO2线特征发光.特别是,Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口,在1310 nm到1600 nm范围形成LYb线特征发光.
黄伟其黄忠梅苗信建尹君周年杰刘世荣秦朝建
关键词：局域态特征线
表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响
2014年
将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。
尹君黄伟其黄忠梅苗信建刘仁举周年杰
关键词：量子限制效应
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