田晶
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：云南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：文化科学电子电信理学更多>>
- 一种基于液相化学反应的黑硅制备方法
- 本发明涉及一种基于液相化学反应的黑硅制备方法。该方法是将硅片置于腐蚀溶液中，然后向其中加入金属化合物，通过催化作用下的离子刻蚀反应在硅片表面进行织构化处理，形成具有微结构表面的黑硅材料。对硅表面进行纳米尺度的表面织构化，...
- 杨培志李学铭廖承菌杨雯田晶郝瑞亭
- 文献传递
- 促进深度学习的课堂评价机制研究
- 随着人工智能、脑科学、学习科学、大概念等研究的深入,以及社会快速的变化与发展,人们对学习有了更深的认识与更多的需求,开始逐步探索深度学习。学生要达到深度学习,需要将深度学习与课堂评价相结合,注重对学习过程的研究。如何在理...
- 田晶
- 田纳西增值评价基本经验综述及其对我国教育评价的启示被引量：4
- 2020年
- 增值评价是目前国际上最为前沿的评价方式,其中最著名的是20世纪80年代在田纳西州的诺克斯县建立的田纳西州价值评估系统(TVAAS)。为提升我国教育评价水平,分析了TVAAS的基本理念和价值取向,综述了TVAAS基本经验,提出了我国教育评价改进的建议。应以学生学业进步为评价目的,促进教育公平,在评价过程中促进教师专业发展,提高教育水平,鼓励第三方评价机构的建立,加强学校与之合作。
- 田晶
- n型Ge基Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30)Ⅰ-型笼合物的制备及电传输特性
- 2010年
- 用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba8Ga16-xZnxGe30I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响。研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物。Zn掺杂前对应化合物表现为金属传导特性,Zn掺杂后对应化合物表现为典型的杂质半导体传导特性。室温下,随Zn掺杂量的增加,化合物的载流子浓度和载流子有效质量逐渐降低;Zn掺杂对室温载流子迁移率无明显影响。在300～900K温度范围内,随Zn掺杂量的增加对应化合物的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐增加。Zn掺杂后对应化合物的功率因子与掺杂前相比有所降低,且达到最大值的温度都向低温方向偏移。
- 邓书康申兰先郝瑞亭田晶杨培志
- 关键词：热电材料电传输特性
- Ge诱导晶化多晶Si薄膜的制备及结构表征被引量：2
- 2011年
- 采用测控溅射,通过Ge诱导晶化法在Si衬底上制备多晶Si薄膜。采用Raman光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及场发射扫描电镜(FESEM)等对所制备的薄膜进行表征。结果表明,当生长温度为800℃时,Ge有诱导非晶Si(a-Si)薄膜晶化的作用,所制备的多晶Si薄膜在(200)方向具有择优取向,且在此方向对应的晶粒尺寸约为53.7 nm。表面粗糙度为2.39 nm,表面平均晶粒尺寸约为69 nm。
- 邓书康康昆勇郝瑞亭申兰先田晶涂洁磊廖华杨培志
- 关键词：多晶硅薄膜
