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王鸿

作品数：17 被引量：49H指数：5
供职机构：上海科学技术大学更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 11篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 13篇电容
  • 13篇电容器
  • 13篇陶瓷
  • 11篇晶界层
  • 9篇电容器材料
  • 8篇SRTIO
  • 7篇钛酸
  • 5篇钛酸锶
  • 5篇晶界层电容器
  • 4篇晶界
  • 3篇电容器陶瓷
  • 2篇导体
  • 2篇性能及微观结...
  • 2篇压电
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇介电
  • 2篇晶界结构
  • 2篇晶粒间界
  • 2篇半导体
  • 2篇PLZT

机构

  • 13篇中国科学院
  • 7篇上海科学技术...
  • 2篇上海大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 17篇王鸿
  • 10篇徐保民
  • 10篇殷之文
  • 3篇宋祥云
  • 2篇钟吉品
  • 2篇温树林
  • 2篇杨欣
  • 1篇夏义本
  • 1篇张树人
  • 1篇居建华
  • 1篇魏敏敏
  • 1篇史伟民
  • 1篇朱兴文

传媒

  • 7篇硅酸盐学报
  • 3篇无机材料学报
  • 2篇硅酸盐通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇第三次全国功...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇第六届全国电...

年份

  • 5篇1993
  • 3篇1992
  • 5篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1986
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
晶界层电容器晶界重新绝缘化研究被引量：4
1989年
试验了不同涂复材料对晶界层电容器晶界重新绝缘的作用,探讨了它们使晶界重新绝缘的机理和特点。不同的涂复材料在晶界重新绝缘过程中的作用不同,对晶界层电容器的性能有较大的影响。实验表明:涂复金属氧化物有利于提高材料的耐压性能。涂复PbO-Bi_2O_3-B_2O_3可改善材料的温度特性。涂复CuO可改善材料的频率特性。涂复PbO-Bi_2O_3-B_2O_3-CuO可使材料呈现良好的综合性能。
张树人王鸿
关键词：晶界层电容器电容器
晶界势垒对晶界层电容器性能的影响被引量：2
1990年
本文从晶界势垒的角度研究了中间夹层的 Schottky 晶界势垒对晶界层电容的介电常数、工作电压等电性能的影响。对在空气中烧成和在还原气氛中烧成的 SrTiO_3晶界层电容器电性能的较大差别给予了一些解释。
钟吉品王鸿殷之文
关键词：半导体陶瓷陶瓷电容器
低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的研究被引量：15
1991年
研究了施主杂质Nb_2O_5,碱金属氧化物添加物Li_2O和烧成温度对低温一次烧成SrTiO_3陶瓷晶界层电容器介电性能和显微结构的影响。结果表明。Li_2O的加入量对液相烧结的进行和晶粒的生长有很大影响。具有一定特性的液相还能作为氧在晶界上迁移的通道,而有利于氧的挥发,促进晶粒的半导化,Nb_2O_5含量为0.1mol％左右时就能具有良好的效果。在液相特性不能满足晶粒生长要求的情况下,Nb_2O_5含量显著影响着晶粒的半导化程度。添加过多的Nb_2O_5会阻碍晶粒的生长。烧结温度对晶粒生长和材料的介电常数也有明显的影响,适当提高烧结温度能提高材料的介电常数。
徐保民王鸿殷之文
关键词：钛酸锶陶瓷晶界层电容器氧化锂
Ni-Cr添加对给定组分PZT陶瓷性能的影响被引量：1
1992年
探讨了Ni_2O_3-Cr_2O_3组合添加对含Fe_2O_3压电陶瓷性能的影响。实验得出,在给定组分中添加微量Ni_2O_2-Cr_7O_3将使材料性能变软。材料的介电常数(ε_(33)/ε_0)、机电耦合系数(K_p)和机械品质因数(Q_m)分别达到1500,0.597和230。文章分析了材料添加Ni_2O_3—Cr_2O_3后其性能变软的原因。
朱兴文孙振鹤王鸿
关键词：掺杂陶瓷压电陶瓷
钡改性PLZT系材料的介电性能及微观结构被引量：1
1992年
研究了PLZT系统中处在反铁电-铁电相界并在反铁电相一侧的组成用Ba改性后的介电性能和微观结构,获得了介电系数大于5000,介质损耗小于1×10^(-2)和电阻系数为10^(11)Ω·Cm的介质材料。研究结果表明:用Ba置换Pb有助于微观结构中晶粒均匀皮和化学组成均一性的提高。文章对此进行了讨论。
杨欣魏敏敏谢怡芬王鸿
关键词：介电性质反铁电陶瓷
α-C:H薄膜及其在硅太阳电池上作增透膜的研究被引量：10
1993年
采用高频等离子体汽相淀积法在不同材料衬底上淀积出α-C:H薄膜。Raman谱分析表明,该薄膜既具有类金刚石相,又具有金刚石相。测量了该薄膜可见光范围的透射率和折射率。本文提出把该薄膜涂覆在硅太阳电池上作光学增透膜,使其在0.55—1.0μm波长范围内光谱响应明显提高,并使该电池短路电流增加率达38％。
夏义本安其霖居建华史伟民王鸿
关键词：太阳能电池增透膜
锶改性PLZT系材料的介电性能及微观结构
1993年
研究了PLZT系统中接近铁电和顺电相界的三个反铁电组成在用 Sr 改性后的介电性能和微观结构.实验结果指出,随着 Sr 对 Pb 置换量的增大,材料的介电系数、介质损耗、击穿场强以及介电系数随温度的变化速率均逐渐减小,晶粒度和化学组成的均一性则增大.通过研究,获得了介电系数大于2000,Δ∈/∈20在±10%左右的陶瓷材料.文章对此进行了讨论.
杨欣谢怡芬王鸿
关键词：介电性能锶改性
空气中烧成大SrTiO[*v3*]边界层电容器的研究
了施主掺杂量，烧成后的冷却条件、氧化温度对SiTiO[*v3*]半导化的影响。施主添加量和高温烧结后冷却时的边界氧化是获得良好性能的边界层电容器的两个关键因素。实验结果指出，0.5mol的Nb[*v2*]O[*v3*]添...
钟吉品王鸿
关键词：陶瓷介质电容器电容器陶瓷半导体物理电容率
SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的晶界研究——Ⅱ.晶界模型与材料电性能被引量：6
1993年
根据低温一次烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器两晶粒间晶界相结构的复杂性和不同晶界的势垒特性,建立了具有复合晶界特征的晶界等效电路模型,据此解释了材料的I-V非线性特性和介电-电压特性。认为低施主掺杂的材料,击穿区的I-V非线性特性主要是由通过“洁净”晶界和窄晶界的隧道电流引起的,从而与温度无关;而高施主掺杂的材料,击穿区的I-V非线性特性既包括通过“洁净”晶界和窄晶界的隧道电流,亦包括通过宽晶界的雪崩击穿电流,从而与温度有关。在低的直流偏压下,材料的电容量随偏压变化很小,但由通过“洁净”晶界和部分窄品界而贯穿样品的热激发漏导电流的存在,使材料的介电损耗明显增加。
徐保民宋祥云王鸿殷之文温树林
关键词：晶界层电容器
SrTiO3陶瓷晶界层电容器材料的离子偏析
1993年
利用透射电子显微镜及其电子衍射和X射线能谱分析,高分辨电子显微镜及其微区电子衍射,以及离子探针,证实了低温一次烧结的SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料其晶界绝缘层的形成是由于受主性杂质Li_2O的晶界偏析造成的,并且进一步分析了引起离子偏析的条件和机理。发现只有在施主掺杂和还原气氛烧结的情况下才存在Li_2O的晶界偏析现象。这是因为由施主杂质进入晶格和还原烧结气氛而增强的晶格氧挥发是引起Li_2O晶界偏析的根本原因。
徐保民殷之文王鸿
关键词：晶界层电容器
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共2页<12>
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