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王连红

作品数:7 被引量:17H指数:3
供职机构:太原理工大学新材料界面科学与工程教育部与山西省重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇氮化镓
  • 4篇纳米
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇液固
  • 2篇纳米棒
  • 2篇GAN纳米棒
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 1篇导热
  • 1篇氧化镁
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米材料
  • 1篇树脂
  • 1篇透明改性
  • 1篇维纳米材料
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米管
  • 1篇晶体
  • 1篇环氧
  • 1篇环氧树脂

机构

  • 7篇太原理工大学
  • 1篇教育部

作者

  • 7篇王连红
  • 6篇梁建
  • 6篇马淑芳
  • 5篇许并社
  • 4篇万正国
  • 2篇刘旭光
  • 1篇贾虎生
  • 1篇闫文慧
  • 1篇杨东

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇太原理工大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 4篇2008
  • 3篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
ZnO六方纳米管晶体的制备与光致发光性能被引量:5
2008年
常压下在空气中以氧化锌和碳粉为原料,利用高温碳热还原反应法制备出了自组装ZnO纳米晶体,采用SEM、XRD、PL等手段对产物进行了表征。结果表明产物为自组装多层六方管状结构的晶体,且是单一的六角晶系纤锌矿ZnO相。分析表明其生长机理为首先形成ZnO薄片,然后薄片再卷曲为管状物,其中碳热能和静电能为卷曲驱动力。室温光致发光谱显示,ZnO六方管晶体在以545nm为中心的范围内,形成较强较宽的绿光发射峰,而红光发射的强度增幅尤其突出。
马淑芳梁建王连红万正国刘旭光许并社
关键词:ZNO光致发光
一种氮化镓薄膜的制备及表征
氮化镓是一种直接宽带隙(3.4 eV)材料,被广泛用于蓝光和紫外光发光二极管和激光二极管上。由于氮化镓具有高熔点、高临界击穿电场和高饱和漂移速度,是制作耐高温、高压和高功率光电器件的理想材料,现成为国内外研究的热点。本文...
王连红梁建马淑芳杨东许并社
关键词:氮化镓薄膜GAN
GaN纳米棒的合成与表征
2007年
利用化学气相沉淀法(CVD)以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm,长度在2-10μm,表面比较光滑,利用场发射扫描电镜(FESEM),X射线衍射仪(XRD),能量散射谱(EDS)对样品进行了成分和结构分析,表明GaN纳米棒是单晶的纤锌矿结构,同时对其生长机理进行了探讨。
王连红梁建马淑芳万正国许并社
关键词:氮化镓纳米棒催化剂
CVD法制备硅基氮化镓薄膜被引量:6
2008年
利用化学气相沉积法(CVD),分别以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓(GaN)薄膜,实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子能量散射谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行分析,生成物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜。片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米,厚度数十纳米,薄膜表面平整、致密,没有裂纹或龟裂现象,与Si衬底结合紧密。氮化镓薄膜的带边峰位于367nm处,同时出现了黄光发射峰。并对此种氮化镓薄膜的生长机理进行了探讨。
王连红梁建马淑芳刘旭光许并社
关键词:氮化镓薄膜
GaN纳米棒的合成与表征
利用化学气相沉淀法(CVD)以 GaO和 NH 为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了 GaN 纳米棒.纳米棒直径在50~200mn,长度在2~10μm,表面比较光滑.利用场发射扫描电镜(FESEM),X 射线衍射仪(X...
王连红梁建马淑芳万正国许并社
关键词:氮化镓纳米棒催化剂
LED封装用环氧树脂的导热透明改性被引量:6
2008年
采用沉淀转化法,以卤水、碳酸钠为原料,聚乙烯醇(PVA)为改性剂,制备了分散性较好的纳米氧化镁粒子。以纳米MgO为填料,添加环氧树脂AB胶固化体系中,增强固化物的导热性能。研究了纳米MgO经过偶联剂改性后,对原环氧树脂固化系的性能的影响。通过测试,表明纳米MgO对固化物的导热性有增强作用,少量的MgO填充还影响固化物的透光性能。
万正国贾虎生梁建马淑芳闫文慧王连红
关键词:环氧树脂氧化镁导热
氮化镓一维纳米材料及薄膜的制备与表征
氮化镓(GaN)是一种优良的直接宽带隙Ⅲ-V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下氮化镓的禁带宽度为3.39eV,具有高熔点、高临界击穿电场和高饱和漂移速度等优点,是制作耐高温、高压和高功率光电器...
王连红
关键词:氮化镓半导体材料
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