王朋伟
- 作品数：7 被引量：37H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 掺杂氧化镓氮化镓纳米线的制备与磁学光学性质研究
- 纳米材料是近几年来最受关注的新材料之一，其重要意义越来越为人们所认识。准一维半导体纳米材料因其独特的物理、化学性质及巨大的潜在应用价值而在纳米材料的研究中占有非常重要的地位。但是本征的半导体纳米材料，特别是宽禁带半导体材...
- 王朋伟
- 关键词：氮化镓纳米线磁学性质光学性质化学气相沉积法纳米材料
- 氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线被引量：2
- 2011年
- 在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据。
- 李琰王朋伟孙杨慧高靖云赵清俞大鹏
- 关键词：化学气相沉积法氮化镓纳米线
- Co掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其光致发光性能被引量：25
- 2008年
- 以Zn(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O为原料,通过水热法在较低温度下制备了纯ZnO和Co掺杂的ZnO(ZnO:Co)纳米棒.利用XRD、EDS、TEM和HRTEM对样品进行了表征,结合光致发光(PL)谱研究了样品的PL性能.结果表明,水热法制备纯ZnO和ZnO∶Co纳米棒均具有较好的结晶度.Co2+是以替代的形式进入ZnO晶格,掺入量为2%(原子分数)左右.纯的ZnO纳米棒平均直径约为20nm,平均长度约为180nm;掺杂样品的平均直径值约为15nm,平均长度约为200nm左右;Co掺杂轻微地影响ZnO纳米棒的生长.另外,Co掺杂能够调整ZnO纳米棒的能带结构、提高表面态含量,进而使得ZnO:Co纳米棒的紫外发光峰位红移,可见光发光能力增强.
- 王百齐夏春辉富强王朋伟单旭东俞大鹏
- 关键词：ZNO纳米棒CO掺杂水热法制备
- Au/SnO_2异质同轴纳米电缆被引量：1
- 2009年
- 本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两端是封闭的,而Au轴则几乎贯穿整个管,只在端部与SnO2之间有一定间隙。本文讨论了纳米电缆可能的生长机制,而空隙应该是由于两者的热膨胀系数不同所致。
- 单旭东王朋伟尤力平俞大鹏叶恒强
- 关键词：SNO2AU纳米电缆
- 一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)Mn掺杂：在Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线上原位掺杂Mn；2)氨化：将掺有Mn的Ga<Sub>2</Sub...
- 俞大鹏宋祎璞王朋伟
- 文献传递
- 一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)Mn掺杂：在Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线上原位掺杂Mn；2)氨化：将掺有Mn的Ga<Sub>2</Sub...
- 俞大鹏宋祎璞王朋伟
- 文献传递
- SnO2掺Ag纳米线的制备、结构表征及光学性质研究被引量：10
- 2008年
- 用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线。纳米线直径约50 nm,长几十微米。通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag纳米线为金红石型结构,XPS谱表明样品中含有Sn、O和Ag元素,Ag的浓度约为1.8 at.%,室温PL谱显示样品在626nm处有很强的红光发射峰。
- 王朋伟单旭东章新政俞大鹏
- 关键词：掺杂发光
