王军
- 作品数:29 被引量:17H指数:3
- 供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
- 一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO<Sub>2</Sub>作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面(110)面GaN厚膜。方法二:用(302)面γ-LiAlO<Sub>...
- 周圣明黄涛华邹军李抒智周健华王军
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- 改进氧化锌单晶质量的处理方法
- 一种改进氧化锌单晶质量的处理方法,该方法主要由切割、退火、抛光、清洗等几个主要步骤组成。本发明可以得到结构完整、单相性好的氧化锌衬底基片,可以满足ZnO同质外延薄膜的生长需要。
- 陈光珠杭寅陈喆张连翰何明珠王军宁凯杰张沛雄王向水
- 文献传递
- γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究
- 2008年
- 利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边移动了20meV,这与A、B激子和C激子的能量差一致;而在拉曼光谱上,激发光偏振方向的改变导致E2模式的强度发生明显改变.
- 周健华周圣明黄涛华林辉李抒智邹军王军韩平张荣
- 关键词:PLD
- 铝酸锂晶体的退火方法
- 一种铝酸锂晶体的退火方法,其特点是:将需要退火的γ-LiAlO<Sub>2</Sub>晶体埋入氧化铝坩埚内的富锂的铝酸锂粉体中,在氧化铝坩埚上盖好氧化铝盖,然后在马弗炉中缓慢升温到1000~1500℃之间的某一温度下保温...
- 周圣明林辉王军腾浩
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- 蓝宝石晶体的生长方法对晶体质量的影响研究
- 蓝宝石晶体具有熔点高、硬度大以及优良的光学和物化特性,是一种典型的军民两用材料,在红外导弹的整流罩和强激光武器的窗口材料等领域有着重要的应用,同时也是LED照明产业最为重要的衬底材料。本文简述了蓝宝石晶体的几种重要生长方...
- 陈喆张连翰宁凯杰陈光珠王军何明珠杭寅
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- 稀土离子掺杂的TGG晶体生长和磁光性能
- 基于非互易法拉第效应的磁光材料是光学通讯、光参量放大器、光学调制器以及高功率激光器等系统中的关键材料。随着光纤激光器的快速发展,近红外波段的高质量磁光材料的需求不断的增加。铽镓石榴石(TbGaO,TGG)以及掺杂改性的铽...
- 王向永陈哲王军杨磊徐民洪佳琪杭寅
- 关键词:磁光材料
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- 提拉法Ti:LiAlO_2晶体的生长、缺陷及N_2退火研究被引量:3
- 2007年
- 本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌。结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;N2退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMS)达到最低值。
- 黄涛华周圣明邹军周健华林辉王军
- 关键词:化学腐蚀
- 提拉法生长高温挥发性晶体的保温罩
- 一种提拉法生长高温挥发性晶体的保温罩,包括一支撑坩埚的保温层、一置于所述的坩埚和保温层上方的具有内腔的保温罩体,一保温罩顶盖,该顶盖的中央有一通孔,所述的保温罩体一侧外壁上有一与保温罩体连成一体的观察窗体,自该观察窗体至...
- 周圣明王军邹军张连翰何晓明李抒智
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- 掺锰铝酸锂晶体的生长方法
- 一种掺锰铝酸锂晶体的制备方法,包括下列步骤:(1)含锰铝酸锂原料的合成:以氧化铝、碳酸锂和二氧化锰为原料按化学配比配料,将原料充分混合均匀后压块,然后置于刚玉坩埚中预烧;(2)晶体的生长:将预烧后的原料放在铱金坩埚中,并...
- 滕浩周圣明林辉王军
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- 提拉法生长高温挥发性晶体的保温罩
- 周圣明王军
- 一种提拉法生长高温挥发性晶体的保温罩。本发明装置能抑制晶体生长时组份的挥发,可成功地制备出大尺寸、高质量铝酸锂晶体;该保温罩装置也适用于用提拉法生长其它高温挥发性晶体,如:LiGaO2、Gd3、Ga5、O12、GGG、C...
- 关键词:
- 关键词:晶体提拉法挥发性