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温恒娟

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 17篇半导体
  • 12篇芯片
  • 11篇功率器件
  • 11篇半导体功率器...
  • 10篇芯片面积
  • 9篇功率半导体
  • 9篇功率半导体器...
  • 9篇半导体器件
  • 5篇高压器件
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷平衡
  • 4篇电流
  • 4篇电流检测
  • 4篇电路
  • 4篇曲率
  • 4篇终端结构
  • 4篇消费电子
  • 4篇击穿电压
  • 3篇电阻
  • 3篇漂移

机构

  • 21篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 21篇温恒娟
  • 19篇乔明
  • 19篇周锌
  • 15篇向凡
  • 15篇张波
  • 15篇何逸涛
  • 8篇李肇基
  • 5篇吴文杰
  • 4篇章文通
  • 3篇王猛
  • 2篇叶俊
  • 2篇李燕妃
  • 2篇胡曦
  • 2篇赵远远
  • 2篇庄翔
  • 1篇周淼
  • 1篇蔡林希
  • 1篇王卓
  • 1篇陈涛
  • 1篇胡利志

传媒

  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 10篇2012
  • 2篇2011
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种复合功率半导体器件
一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合...
乔明温恒娟向凡周锌何逸涛张波李肇基
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的...
乔明温恒娟胡曦王猛庄翔周锌何逸涛
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一种具有电流采样功能的LDMOS器件
一种具有电流采样功能的LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）。本发明通过控制主功率器件和电流检测功率器件的沟道区宽度之比以实...
乔明温恒娟向凡周锌何逸涛张波李肇基
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一种复合功率半导体器件
一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合...
乔明温恒娟向凡周锌何逸涛张波李肇基
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一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件
一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）。通过控制主功率LDMOS器件和电流检...
乔明温恒娟向凡何逸涛周锌张波李肇基
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一种高压LDMOS器件
一种高压LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规具有降场层结构的高压LDMOS器件结构基础上，通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度，减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积，即第一导电类型...
乔明向凡温恒娟何逸涛周锌张波李肇基
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一种用于SOI高压集成电路的半导体器件
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米...
乔明周锌温恒娟何逸涛章文通向凡叶俊张波
一种高压驱动电路
一种高压驱动电路，包括高压电平位移电路、高端输出级电路、低端输出级电路、电流源和死区控制电路。本发明提出的高压驱动电路中高端输出级电路高压PMOS管为薄栅氧结构，而不再像传统高压驱动电路那样采用厚栅氧结构；电路只使用四个...
乔明何逸涛周锌温恒娟向凡吴文杰张波
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一种横向高压DMOS器件
一种横向高压DMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度，减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积，在降场层3之间提供了额外的第二导电类型半导体电流通道16，增加了...
乔明向凡温恒娟周锌何逸涛张波李肇基
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一种MOS型功率半导体器件
一种MOS型功率半导体器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明将常规MOS型功率半导体器件中并排位于P型阱区内沿器件宽度方向呈条状结构的P型杂质重掺杂区2和N型杂质重掺杂区1改变成沿器件宽度方向呈交替间隔分布。本发明能够...
乔明何逸涛温恒娟向凡周锌吴文杰张波
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