柳翠
- 作品数：16 被引量：49H指数：4
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺核科学技术更多>>
- 射频辉光放电自偏压对制备类金刚石薄膜结构和性能的影响
- 本文采用高压探头示波器系统研究了射频辉光放电参数对自偏压的影响规律,在纯氩气和氩气-乙炔混合气的辉光放电中,自偏压随着功率的平方根线性增加;随着气压增加线性降低。采用纳米压痕仪、Raman表征,研究结果表明,功率500W...
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- 文献传递
- 掺铒Al_2O_3薄膜的性能与制备被引量：2
- 2004年
- 简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器。
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- 关键词：掺铒AL2O3薄膜光致发光磁控溅射
- 射频辉光放电自偏压对类金刚石碳膜结构和性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用高压探头示波器系统研究了射频辉光放电参数对自偏压的影响规律.结果发现自偏压随着射频功率平方根而线性增加,随纯Ar和Ar,C2H2混合气体气压的降低而降低,自偏压随C2H2的比率增大而增加,而且,射频输入功率在500和700 W下,由射频辉光放电所制备的类金刚石薄膜分别通过Raman光谱和纳米压痕技术测试,研究了这些薄膜的微观结构和机械性能.功率500 W制备的类金刚石薄膜(ID/IG为0.66)较700W制备的类金刚石薄膜(ID/IG为1.44)具有较高的硬度和sp3键含量,表明在500 W功率下制备的类金刚石薄膜中有高含量的sp3键.
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- 关键词：射频放电类金刚石碳膜RAMAN光谱
- 非平衡磁控溅射类金刚石碳膜的性能被引量：8
- 2004年
- 用非平衡磁控溅射的方法在室温下制备了光滑、均匀、致密的类金刚石(DLC)薄膜,分析和研究了DLC膜的形貌、结构和摩擦特性.结果表明,靶工作电流对DLC膜的沉积有重要的影响.随着工作电流的增大,薄膜的沉积速率增大,薄膜中sp^3键的含量增加.薄膜的摩擦系数随着工作电流的增加略有增大,在摩擦的初始阶段,摩擦系数较高,随着摩擦循环次数的增加,摩擦系数逐渐减小,并逐渐趋于稳定。
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- 有开放约束磁场磁控溅射系统等离子体引出被引量：8
- 2003年
- 在磁控溅射系统阴极靶施加同轴可调约束磁场显著改善了系统放电特性。研究了在Ar气放电系统伏安特性随不同的气压、溅射电压变化规律。采用同轴平面探针诊断距阴极 60mm、1 1 0mm和 2 30mm三个不同位置收集电流密度 ,负偏压 1 50V。实验结果表明存在不同的开放约束磁场和气压下放电特性符合I∝Vn(n≈ 1 2～ 1 5) ,开放约束磁场降低了系统的放电电压 ,增强了等离子体的引出效果 ,提高了系统在较低真空度的放电稳定性。轴向开放约束磁场显著提高了收集电流密度 ,离子收集通量在距阴极 2 30mm的位置达到 9 5mA/cm2 。收集电流密度达到饱和值后不再受轴向开放约束磁场强度和工作电流的影响。根据磁流体理论讨论了引起系统中伏安放电特性的变化原因。
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- 关键词：等离子体
- 90°弯管磁过滤阴极弧沉积类金刚石膜的特性分析被引量：1
- 2007年
- 利用动态机械热分析仪研究了四种镁硅合金的阻尼性能.研究表明:铸造镁硅合金具有良好的阻尼性能.并且体现出有别于纯镁的新阻尼特征,铸造镁硅合金具有较纯镁在更大应变振幅范围内的弛豫型内耗.由于Mg2Si对晶界的钉扎作用,界面阻尼峰出现在较纯镁更高的温度.少量钙的添加改善了Mg2Si析出的形态,但对阻尼性能的影响似乎不明显.
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- 关键词：显微组织阻尼性能阻尼机理
- TiNi合金表面沉积类金刚石薄膜的性能评价被引量：2
- 2005年
- 类金刚石膜作为新型的生物材料得到了广泛的关注。本实验制备的薄膜为典型的类金刚石膜,膜层比较致密、均匀和光滑。膜层硬度随离子束能量变化,在束电源为750V附近出现峰值,硬度达到了15GPa,该膜的摩擦系数为0.124。在Troyde’s模拟体液中的电化学分析表明,类金刚石膜显著提高了Ti-Ni合金表面抗点蚀能力。
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- 关键词：TINI合金类金刚石膜离子束表面改性表面性能
- 钛离子注入对DLC膜结构与性能的影响
- 本文就钛离子注入对DLC膜的改性进行了系统地研究,针对注入能量和剂量对薄膜的结构和性能的影响进行了分析,为实现金属离子注入和气相沉积同步沉积技术奠定基础,研究结果表明: 1.钛离子注入可极大地改善DLC膜的表面性能、机械...
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- 文献传递
- 类金刚石碳膜制备工艺及掺杂性能研究
- 该文基于产业化应用和改善类金刚石膜与基体结合力为目的，在大型工业用等离子体-离子束增强沉积系统中，获得了DLC膜和梯度复合DLC膜。采用了闭合场非平衡磁控溅射和90°弯管磁过滤阴极弧两种适合产业化的技术，在单晶硅基体上沉...
- 柳翠
- 关键词：类金刚石碳膜
- 文献传递
- 非平衡磁控溅射沉积系统伏安特性模型研究被引量：8
- 2004年
- 非平衡磁控溅射沉积系统的伏安特性对阴极溅射和薄膜沉积过程具有重要的影响 .通过分析在常规磁控溅射沉积系统中非平衡磁场对于放电过程的影响 ,根据蔡尔得定律研究了非平衡磁场对磁控溅射沉积系统伏安特性影响的基本规律 ;
- 牟宗信李国卿车德良黄开玉柳翠
- 关键词：等离子体金属薄膜伏安特性磁场分布
