李玉璋
- 作品数：29 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程电气工程理学更多>>
- AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析
- 2006年
- 对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的正常工作.本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化,拟合出有源区电子的有效势垒高度,并与理论模拟结果进行了比较,讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.
- 徐云李玉璋宋国峰甘巧强杨国华曹玉莲曹青郭良郭良
- 关键词：半导体激光器应变量子阱
- 分子束外延GaAs/Si应变层的光致发光和光反射谱研究被引量：1
- 1990年
- 研究了分子束外延GaAs/Si光致发光谱的激发强度和温度依赖关系。确定出2个本征发光峰,分别对应于导带至m_J=±3/2和m_J=±1/2价带的复合。这种价带的移动和分裂归因于由GaAs和Si的热膨胀系数不同所引起的GaAs层双轴张应力。还观测到4个非本征发光峰,分别为导带至m_J=±1/2碳受主态发光、可能与缺陷有关的发光以及可能由Mn和Cu受主杂质引起的发光。室温下将GaAs/Si和GaAs/GaAs材料的光反射谱进行比较,前者明显向低能移动约8meV,观测到3个特征谱结构,与光致发光结果相一致。
- 滕达庄蔚华梁基本李玉璋
- 关键词：GAAS/SI光致发光
- 一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并...
- 徐云陈良惠李玉璋曹青宋国峰郭良
- 文献传递
- 多量子阱结构中热载流子弛豫过程中的非平衡声子效应被引量：1
- 1989年
- 在多量子阱结构中的热载流子弛豫过程中考虑非平衡声子的存在,在求解载流子能量损失率方程中同时计入声子的发射和吸收,并联立解出非平衡声子的波耳兹曼方程,从而证明,在稳态和准平衡态条件下,由载流子能量损失率方程解出的弛豫时间τ_(avg),实际上是电子-声子散射时间常数与非平衡声子寿命之和,而不是以往所认为的仅为电子-声子散射时间常数。
- 李玉璋徐仲英葛惟锟许继宗郑宝贞庄蔚华
- 关键词：量子阱结构热载流子
- 一种制备微小化固态白光光源的方法
- 本发明公开了一种制备微小化固态白光光源的方法，该方法包括：将蓝光半导体激光器芯片烧结在热沉上，再将热沉烧结到散热基板上，再将散热基板固定在激光器管壳上；选用光纤棒作柱透镜，对激光器的快轴进行压缩，将压缩后的激光耦合进入光...
- 徐云陈良惠胡海峰宋国峰李玉璋王玉平
- 文献传递
- 以半导体激光器为基础的固态白光光源
- 本文通过用445 nm的GaN基蓝光半导体激光器作为激发光源激发黄色和红色混合荧光粉制备了固态白光光源。注入电流为350mA时光通量达到52lm,能效为31lm/W,显色指数为72.7,相关色温为5225K。文中对以半导...
- 徐云陈良惠胡海峰宋国峰李玉璋
- 关键词：半导体激光器光通量
- 文献传递
- 670nm半导体量子阱激光器批量生产
- 郭良马骁宇陈良惠王丽明茅冬生谭满清潘贵生刘德钧王树堂李玉璋
- （项目所属科学技术领域、主要内容、特点及应用推广情况） 该项目属于信息技术领域中光信息处理和存储系统关键光电子器件-GaInP/InGaAlP应变量子阱可见光红光波段（λ=620nm-690nm）激光器中试规模批量生产技...
- 关键词：
- 关键词：半导体量子阱激光器生产技术
- 局部优化应做为我院发展的基本方针
- 1992年
- 90年代是我院发展的关键时期,我认为,局部优化应做为这一时期我院发展的基本方针。探讨我院在90年代如何发展,其依据是我院的现状和以往取得成功的经验。首先应认清我院目前在全国科技力量中的位置,明确自己的优势和不足,认真汲取过去的经验,这样讨论我院的发展方针才有切实的基础。
- 李玉璋
- 关键词：中科院
- 一种微机械光开关理论分析
- 对悬臂梁微机械光开关光学和电学特性进行了理论分析,利用有效折射率方法对波导传播特性进行了分析;基于机械和电学特性导出了弯曲和电压的关系,并给出阈值电压的解析表式。
- 贾玉斌陈良惠李玉璋
- 关键词：光开关悬臂梁阈值电压
- 文献传递
- AlGaInP橙色发光二极管的研制被引量：3
- 1998年
- 利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。
- 王国宏马骁宇王树堂曹青彭怀德李玉璋陈良惠
- 关键词：LP-MOCVD发光二极管
