李宇杰
- 作品数:3 被引量:24H指数:3
- 供职机构:北京大学物理学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>
- 基于Windows操作系统的X荧光光谱分析软件被引量:5
- 2005年
- 基于国际通用的X荧光解谱软件AXIL的原理,自主开发出了在Windows平台上工作的新的X荧光光谱分析软件。该软件在我们自行研制的全反射X荧光分析仪上已工作多年。实践证明,该软件不仅界面友好、操作灵活,而且功能强大、准确性高,可完全代替DOS操作系统下工作的AXIL,具有很高的应用价值。
- 马国立李宇杰田宇宏毕朝晖
- 氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型被引量:16
- 2005年
- 关于纳米硅 /氧化硅系统的光致发光 (PL)机制 ,有很多争议 .该系统包括氧化多孔硅 (PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒 (NSP)镶嵌氧化硅 .提出二种PL竞争机制 :量子限制 (QC)过程和量子限制 -发光中心 (QCLC)过程 .两个过程中光激发都发生在NSP中 ,光发射在QC过程是发生在NSP中 ,而在QCLC过程是发生在与NSP相邻的氧化硅中的发光中心上 .对两种过程的几率大小进行比较 .哪一过程对PL起主要作用 ,取决于俘获截面、发光效率、发光中心密度和NSP的尺寸 .对于一个有固定的俘获截面、发光效率和LC密度的纳米硅 /氧化硅系统 ,LC密度越高 ,NSP尺寸越大 ,越有利于QCLC过程超过QC过程 ,反之亦然 .对于固定的发光中心参数 ,NSP尺寸有一个临界值 ,当NSP的最可几尺寸大于临界值 ,QCLC过程主导发光 ,当NSP的最可几尺寸小于临界值时 ,QC过程主导发光 ,当NSP大小接近临界值时 ,QC与QCLC都要考虑在内 .利用这个模型讨论了一些已报导的纳米硅 /氧化硅系统PL的实验结果 .
- 秦国刚李宇杰
- 关键词:光致发光纳米硅氧化硅
- 以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒被引量:3
- 2004年
- 首次以ZnS为源 ,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒 ,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关 .在没有Au催化的条件下 ,ZnO颗粒呈圆形颗粒 ,直径多在 30 2 0 0nm之间 ,密度为 10 4— 10 9cm-2 ;有Au催化的条件下 ,ZnO纳米颗粒呈六边形 ,平均尺寸明显变小 ,在 10 10 0cm之间 ,而密度显著提高 ,为 10 8— 10 10 cm-2 .所制备的纳米ZnO颗粒在 4 97nm和
- 李宇杰石鹏博段然张伯蕊乔永平秦国刚黄兰
- 关键词:化学气相沉积法硫化锌光致发光凝聚态物理氧化锌纳米颗粒