李丹洋
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- Y、V共掺杂CaBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的结构及电性能研究
- 2015年
- 采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的Ca Bi4Ti4O15陶瓷（简称CYBTV）。Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度。测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σac和直流电导率σdc随温度（300-1150 K）的变化以及陶瓷的复阻抗谱。σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性：在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大。CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高。
- 李丹洋何新华符小艺
- 关键词：电导率
- Ca_(1-x)Y_xBi_4Ti_4O_(15)铁电材料的结构和电性能研究被引量：3
- 2014年
- 采用传统的固相反应法制备铋层结构铁电陶瓷材料Ca1-xYxBi4Ti4O15＋x/2（x=0~0.1）（简称CYBT）,研究了钇离子掺杂对CYBT陶瓷的烧结、晶相组成、显微形貌及电性能的影响。Y3＋的A位取代,可以改善CYBT陶瓷的烧结性能,提高体积密度和瓷体致密度。Y3＋的引入促进晶粒沿c轴方向生长,晶粒各向异性减小,室温介电常数增加。Y掺杂后离子半径差别和A空位浓度增加所产生的晶格畸变,使陶瓷的居里温度显著升高,当掺杂量x=0.10时,Tc升高了约80℃。Y掺杂显著降低了高温损耗,掺杂量x=0.075的样品表现出最好的压电性能,压电常数d33为15 pC/N。
- 王斌李丹洋符小艺何新华
- 关键词：晶格畸变居里温度压电性能
- Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究
- <正>采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV)。Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度。由于离子半径和价态差异,Y3+和V5+离子的A、B位复合掺杂,提高了材料的居...
- 李丹洋何新华符小艺
- 文献传递
