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戴一思

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇阳极
  • 1篇阴极
  • 1篇有源
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态电压
  • 1篇瞬态电压抑制...
  • 1篇金属线

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇吴健
  • 1篇董树荣
  • 1篇钟雷
  • 1篇曾杰
  • 1篇戴一思

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种瞬态电压抑制器及其应用
本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括P衬底；P衬底上嵌设有N阱、第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；N阱上嵌设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；P衬底与N阱的交界处嵌设有第三N+有源注入区；第一N+有源注入区...
董树荣曾杰吴健钟雷戴一思
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