张惠惠
- 作品数：9 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术
- 本发明涉及一种集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术，关键工艺为：P<Sup>+</Sup>单晶硅衬底上进行剂量在1×10<Sup>15</Sup>cm<Sup>-2</Sup>-1×10<Sup>17</Sup>cm...
- 胡冬青吴郁贾云鹏张惠惠
- 文献传递
- IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
- 2014年
- 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。
- 周新田吴郁胡冬青贾云鹏张惠惠穆辛金锐刘钺杨
- 600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真研究
- 本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构...
- 张惠惠胡冬青吴郁贾云鹏周新田穆辛
- 关键词：绝缘栅双极晶体管性能表征
- 文献传递
- 600V电荷耦合ITC-IGBT的设计与仿真
- IGBT是电力电子技术中对电能进行转换、控制和利用的重要开关元器件，它的性能好坏直接关系到系统的转换效率。在高频应用中IGBT的开关速度成为限制电力系统发展的重要因素，因此如何提高IGBT的开关速度且不增加IGBT的功耗...
- 张惠惠
- 关键词：槽栅内透明集电极电荷耦合计算机仿真
- 600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真被引量：3
- 2013年
- 针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明集电极IGBT。采用仿真工具ISE-TCAD,对PNM-ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性等进行仿真,重点研究局域载流子寿命控制层的位置及其对内载流子寿命的影响,并与普通槽栅内透明集电极IGBT进行对比。结果表明,新结构具有较低的通态压降和关断损耗,尤其在短路特性方面,提高了槽栅IGBT的抗烧毁能力,且局域载流子寿命控制层的位置和寿命存在最佳范围。
- 张惠惠胡冬青吴郁贾云鹏周新田穆辛
- 关键词：槽栅
- 集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术
- 本发明涉及一种集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术，关键工艺为：P<Sup>+</Sup>单晶硅衬底上进行剂量在1×10<Sup>15</Sup>cm<Sup>-2</Sup>-1×10<Sup>17</Sup>cm...
- 胡冬青吴郁贾云鹏张惠惠
- 文献传递
- 不同碳化硅器件的直接比较被引量：1
- 2014年
- 本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作对比。全面比较了3种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围(1A^7A)的动态特性,并在T=125℃、ID=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单。因此在高频、高效功率转换领域中,SiC MOSFET是最好的选择。
- 张惠惠周新田穆辛Bettina RubinoMichele MacaudaMassimo NaniaSimion Buonome
- 关键词：SICMOSFETSICJFETSICBJT
- 内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究
- 2013年
- 针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命参数对ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性的影响。通过优化折中器件的缓冲层掺杂浓度、局域寿命控制区寿命参数和局域寿命控制区位置的关系,在器件特性满足要求的同时,改善器件的抗短路能力。文章最后给出一种可供参考的具有良好抗短路能力的IGBT器件设计方法,确定了缓冲层浓度的最低值和局域载流子寿命最大值,明确了局域寿命控制的合理范围。
- 张惠惠胡冬青周新田周东海穆辛查祎英
- 关键词：开关特性短路特性
- 不同碳化硅器件的直接比较
- 2013年
- 本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiC MOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiC MOSFET的总动态损耗远远低于SiC BJT和常闭型SiC JFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiC MOSFET是最好的选择。
- Bettina RubinoMichele MacaudaMassimo NaniaSimion Buonome张惠惠周新田穆辛
- 关键词：SICMOSFETSICJFETSICBJT
