2025年8月11日
星期一
|
欢迎来到营口市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
张德臣
作品数:
8
被引量:6
H指数:1
供职机构:
河北工业大学
更多>>
相关领域:
电子电信
金属学及工艺
更多>>
合作作者
刘玉岭
河北工业大学
张志花
河北工业大学
徐晓辉
河北工业大学
李湘都
河北工业大学
檀柏梅
河北工业大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
5篇
科技成果
2篇
专利
1篇
期刊文章
领域
5篇
电子电信
1篇
金属学及工艺
主题
2篇
底片
2篇
电路
2篇
抛光片
2篇
化学机械全局...
2篇
集成电路
2篇
键合
2篇
键合强度
2篇
硅器件
2篇
锗
2篇
大规模集成电...
1篇
氮化
1篇
氮化钛
1篇
电路工艺
1篇
抛光
1篇
自掺杂
1篇
微电子
1篇
微电子技术
1篇
磨料
1篇
纳米
1篇
纳米材料
机构
8篇
河北工业大学
作者
8篇
刘玉岭
8篇
张德臣
6篇
张志花
4篇
徐晓辉
4篇
李湘都
3篇
李薇薇
3篇
张楷亮
3篇
檀柏梅
2篇
王娟
2篇
周建伟
2篇
张文智
1篇
张西慧
1篇
金杰
1篇
张存善
1篇
王新
1篇
邢哲
1篇
袁育杰
1篇
高鹏
1篇
王永滨
1篇
曹阳
传媒
1篇
电子科学学刊
年份
2篇
2005
1篇
2003
1篇
2002
1篇
2000
1篇
1999
1篇
1997
1篇
1996
共
8
条 记 录,以下是 1-8
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
硅CVD外延自掺杂效应的分析研究
被引量:6
1996年
本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。
刘玉岭
金杰
徐晓辉
张德臣
关键词:
硅
CVD
自掺杂
用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片
一种用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片,其主要技术特征是在硅抛光片上淀积锗层,然后两片相对锗层在中间,放入烧结炉内键合,可制备N<Sup>-</Sup>/N<Sup>+</Sup>、P<Sup>-</Sup>...
刘玉岭
徐晓辉
张文智
张德臣
张志花
文献传递
ULSI制备中SiO_2介质表面状态的研究
刘玉岭
檀柏梅
李薇薇
张楷亮
张存善
邢哲
张德臣
张志花
李湘都
ULSI制备中介质CMP机理的研究还在定性的阶段,人们还缺少有关定量方面的知识。我们通过大量实验优化了CMP工艺,系统的研究CMP工艺过程参数,提出了介质CMP化学作用模型,通过增加化学作用,提高抛光速率,加入表面活性剂...
关键词:
关键词:
ULSI
化学机械全局平面化
用化学方法提高固体表面光洁度的研究及应用
刘玉岭
徐晓辉
李湘都
王永滨
张德臣
张志花
该项目属于精细化学工程与表面化学工程领域,主要用于提高固体材料表面光洁度:去除吸附颗粒、控制金属离子在表富集、降低粗糙度,如:微电子器件高质量硅单晶抛光片制备;0.35μm以下甚大规模集成电路(ULSI)多层布线立体结构...
关键词:
关键词:
表面光洁度
大规模集成电路
化学机械抛光
纳米材料在微电子技术中的应用
刘玉岭
王娟
檀柏梅
张建新
李薇薇
周建伟
张西慧
张楷亮
张志花
李湘都
张德臣
成功实现了分散度小的粒径可控生长,有效控制了金属杂质含量;解决了纯度及稳定性问题,提高了适用性。制得可用于不同材质抛光的不同粒径范围,具有较小分散度的硅溶胶,为CMP工艺提供了合格的精抛磨料。此成果完成后,用于微电子用抛...
关键词:
关键词:
纳米材料
微电子技术
用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片
一种用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片,其主要技术特征是在硅抛光片上淀积锗层,然后两片相对锗层在中间,放入烧结炉内键合,可制备N<Sup>-</Sup>/N<Sup>+</Sup>、P<Sup>-</Sup>...
刘玉岭
徐晓辉
张文智
张德臣
张志花
文献传递
铝、钽、钨、铜及氮化钛等金属纳米磨料CMP技术及其应用的研究
刘玉岭
李薇薇
王娟
周建伟
金善明
杨福山
高鹏
孙守梅
袁育杰
李广福
张德臣
张志花
李湘都
采用高PH值(一般PH值大于10.5)抛光液,实现了抛光高速率、反应产物可溶、易于清洗;抛光速率可控,防止设备腐蚀,减少了金属离子的污染;按照速率的要求来确定温度;利用络合剂解决在碱性介质下氧化物和氢氧化物的沉淀问题;利...
关键词:
关键词:
CMP技术
超大规模集成电路纳米磨料化学机械全局平面化新技术
刘玉岭
王新
檀柏梅
刘钠
张楷亮
曹阳
于广
张德臣
主要内容:对国际上微电子技术发展的亟待解决的关键技术、衬底与立体结构多层布线的高平整、低损伤、高光洁、低沾污要求进行了理论及试验研究,并分别获得关键理论与技术突破。实现了铜抛光的低损伤(<10nm),高速率600nm/m...
关键词:
关键词:
超大规模集成电路
集成电路工艺
化学抛光
磨料
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张