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张小明: 作品数：17 被引量：10H指数：2; 供职机构：河北工业大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”河北省应用基础研究计划更多>>; 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

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Heusler型半金属材料的制备与物性研究: Heusler合金中拥有着丰富多彩的物理特性,并且展现出了庞大的应用前景,一直是国际上物理学界乃至材料学界研究的热点之一。Heusler型半金属材料的研究经久不衰,尤其是近两年的半Heusler型拓扑绝缘体的发现,吸引着...; 张小明; 关键词：HEUSLER合金半金属拓扑绝缘体; 文献传递

Heusler型X2RuPb(X=LU，Y)合金的反带结构和拓扑绝缘性被引量：5: 2014年; 采用第一性原理的计算方法,在不同条件下对Heusler型X2RuPb(X=Lu,Y)体系的电子结构展开研究.计算结果表明,这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下,能够具有真正的拓扑绝缘体特性.杂化作用和自旋-轨道耦合作用都对材料产生"反带"结构发挥作用.但是针对不同成分所构成的材料,它们各自所起作用的程度有所不同,二者可以相辅相成.利用替换掺杂和四角变形双重调控方式可以更理想地进行"反带"结构调控进而获得理想的拓扑绝缘体,这对于材料的实际制备具有重要意义.; 王啸天代学芳贾红英王立英刘然李勇刘笑闯张小明王文洪吴光恒刘国栋; 关键词：拓扑绝缘体 HEUSLER合金

一种具有交换偏置效应的形状记忆合金的制备方法: 本发明为一种具有交换偏置效应的形状记忆合金的制备方法。该方法包括以下步骤：按照Mn2‑xCoxNiAl所示成分的原子数比为：Mn：Co：Ni：Al＝(2‑x)：x：1:1，分别...; 刘国栋王峻峰代学芳张小明李英; 文献传递

铁基Heusler合金Fe_2Co_(1-x)Cr_xSi的结构、磁性和输运性质的研究被引量：3: 2012年; 基于多种实验手段和能带计算的方法,对四元合金Fe_2Co_(1-x)Cr_xSi的晶体结构、磁性、输运性质及能带结构进行了研究.研究发现,随着Cr的增加,合金Fe_2Co_(1-x)Cr_xSi保持了高度有序结构,逐渐从Hg_2CuTi结构的Fe2CoSi过渡到L2_1结构的Fe_2CrSi;由于次晶格网络的破坏,居里温度逐渐下降;系列合金的分子磁矩呈现线性下降,符合半金属特性;剩余电阻比率与原子占位有序程度密切相关,呈现两端大、中间小的特点.在Cr替代Co的过程中,材料半金属能隙逐渐打开,表现半金属特征.同时费米能级从Fe_2CoSi半金属能隙的价带顶上移至Fe_2CrSi能隙的导带底.最大的能隙宽度出现在x=0.75处,这表明四元合金有可能成为具有更高自旋极化率和更强抗干扰能力的自旋电了学材料.; 杜音王文洪张小明刘恩克吴光恒; 关键词：磁性半金属 HEUSLER合金

半Heusler型拓扑绝缘体LaPtBi能带调控的研究被引量：2: 2012年; 采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波的方法,研究了化学替代和施加等体积单轴(拉、压)应力两种方式对半Heusler型拓扑绝缘体LaPtBi能带的影响.计算结果表明,通过在LaPtBi合金中用Sc元素替换La,或者用Pd替换Pt,都可以使得原本受立方对称性保护的Γ_8能带在费米能级附近打开一带隙;而对于施加等体积单轴应力来扭曲立方晶格的方式,在使得Γ_8能带打开的同时,还可以实现对费米能级位置有规律地调控,使LaPtBi合金最终成为真正意义上的体材料是绝缘性而表面是金属性的拓扑绝缘体.; 张小明刘国栋杜音刘恩克王文洪吴光恒柳忠元; 关键词：第一性原理计算拓扑绝缘体

半Heusler型Na_(1-x)Cs_xAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究被引量：2: 2014年; 采用第一性原理的计算方法,研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中,掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响.发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素,能够诱导Na1-x Csx AlGe合金的能带结构由原本正常带序(0 x<0.125)转换为反转带序(0.125 x 1).基于对这一现象的深入讨论,我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中,掺杂元素(Cs)是通过其离子半径的不同,进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化,来诱导拓扑反带结构形成的.; 王啸天代学芳贾红英王立英张小明崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋; 关键词：第一性原理计算拓扑绝缘体

一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料: 本发明为一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料。该材料的化学式为：VxCoyNzMw，其中，N是III-V族元素；M为过渡族元素；2≥...; 刘国栋卢遵铭代学芳张小明刘何燕罗鸿志孟凡斌; 文献传递

电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料及其制备方法: 本发明为一种电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料及其制备方法。该材料化学式为：CoFeCrAl1‑xGax，其中0＜x＜1；其中，Co、Fe、Cr、Al、Ga的原子比为1:1:1...; 张浩鹏刘国栋代学芳张小明刘影刘何燕; 文献传递

一种磁罐电涡流传感器装置: 本实用新型属于无损非接触测量装置技术领域，尤其涉及一种磁罐电涡流传感器装置。包括磁罐探头、延伸电缆及前置器三部分；所述磁罐探头包括磁罐本体以及探头线圈，磁罐本体包括上端开口的圆筒，圆筒底部设有圆柱形线圈套筒，线圈套筒中心...; 赵敏王莉蓉张小明何珺刘国栋刘影贺泽晴李明航

活性元素Ti和SiO2界面结合机制的第一性原理计算被引量：1: 2020年; Ti元素是钎焊SiO2f/SiO2复合材料重要的活性元素,因此,使用第一性原理计算研究了Ti和SiO2的界面结合机制.分别建立了两种不同的终止面和化学计量比的界面,使用界面分离功、电子行为和界面能研究了界面原子间的结合.结果表明,在O终止界面中,界面处Ti和O形成很强的离子-共价键,界面分离功最大可达到8.99 J/m2.在Si终止面界面中,Ti和Si形成共价-离子键,界面分离功为2.65 J/m2.在温度为1173 K时,当Si的活度大于e−35时,富Si界面的界面能更低,界面倾向于形成Ti-Si化合物.当Si的活度小于e−35时,富O界面在热力学上更加稳定,界面倾向于形成Ti-O化合物.SiO2中的Si被Ti置换出后,Si扩散进入钎料,活度升高,与钎料中的Ti反应生成Ti-Si化合物,所以界面结构为SiO2/Ti-O化合物/Ti-Si化合物/钎料.; 薛海涛魏鑫郭卫兵张小明; 关键词：第一性原理