张天福
- 作品数：3 被引量：17H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多晶硅导电材料辐射损伤噪声灵敏表征技术研究
- 多晶硅导电材料作为集成电路和光伏产业重要的基础材料，它在辐射环境下性能的退化对航天电子器件和系统的运行可靠性具有巨大影响。多晶硅导电材料常规电学表征参量对辐射损伤不灵敏，而噪声与材料内部缺陷密切相关，可以忠实反映材料内部...
- 张天福
- 文献传递
- MOS结构电离辐射效应模型研究被引量：17
- 2009年
- 基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到,在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与辐射剂量成线性关系,在中到高辐射剂量下诱导陷阱电荷密度趋于饱和,模型可以很好地描述这两种陷阱电荷与辐射剂量之间的关系.最后讨论了低剂量辐照下,两种辐射诱导陷阱电荷密度之间的关系,认为低辐射剂量下两者存在线性关系,并用实验验证了理论模型的正确性.该模型为辐射环境下MOS器件辐射损伤提供了更准确的预测模型.
- 陈伟华杜磊庄奕琪包军林何亮张天福张雪
- 关键词：MOS结构氧化层陷阱
- 多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
- 2009年
- 在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路。
- 张天福杜磊何亮陈伟华赵鸿飞
- 关键词：多晶硅
