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常艳玲

作品数:2 被引量:38H指数:2
供职机构:北京大学信息科学技术学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电致发光
  • 2篇制备及特性
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇发光
  • 2篇发光器件
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇双绝缘层
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇绝缘层
  • 1篇二极管

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇孙晖
  • 2篇张琦锋
  • 2篇吴锦雷
  • 2篇常艳玲
  • 1篇王艳新

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究被引量:15
2008年
运用液相法生长成ZnO纳米线薄膜,并利用肖特基型异质结的发光原理,构造成功肖特基型ZnO纳米线二极管发光器件.在大于6V直流电压驱动下,观察到近紫外波段392nm处和可见光波段525nm的发射谱带.从单向导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了该种器件的电致发光机理.
王艳新张琦锋孙晖常艳玲吴锦雷
关键词:ZNO纳米线肖特基二极管电致发光
ZnO纳米线双绝缘层结构电致发光器件制备及特性研究被引量:24
2007年
在利用液相法生长ZnO纳米线薄膜的基础上,构造成功基于ZnO纳米线双绝缘层结构的交流电致发光器件.此器件呈现出良好的阻容特性,在室温下以一定频率的交流电压驱动,可观察到近紫外波段387nm处和可见光波段552nm处的发射谱带.从阻容结构的导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了这种器件的电致发光机理及频率特性.
常艳玲张琦锋孙晖吴锦雷
关键词:纳米线电致发光
共1页<1>
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