崔瑞瑞 作品数:26 被引量:64 H指数:5 供职机构: 贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室 更多>> 发文基金: 贵州省科技计划项目 国家自然科学基金 贵阳市科学技术计划项目 更多>> 相关领域: 理学 机械工程 一般工业技术 电气工程 更多>>
高性能薄膜电阻 本实用新型公开了一种高性能薄膜电阻,包括绝缘基板,在绝缘基板上设有采用气相沉积法获得的电阻薄膜,在每个电阻薄膜的两侧及两侧边缘设有采用气相沉积法获得的引出电极及顶部电极,引出电极与顶部电极连接为一体,在电阻薄膜的顶面及顶... 邓朝勇 雷远清 崔瑞瑞 张荣芬文献传递 超导MgB_2掺杂及薄膜制备研究进展 2012年 综述了MgB2超导体近期的研究成果,介绍了MgB2的电子结构和超导性质以及化学掺杂对MgB2超导性质的影响,认为通过掺杂可以提高MgB2超导材料在高场下的Jc,少量的SiC掺杂可以得到目前最优异的Jc。讨论了制备MgB2超导薄膜的各种方法,发现HPCVD法制备MgB2超导薄膜有巨大的发展空间,并展望了MgB2超导体的应用前景。 王洪伟 张松 崔瑞瑞 李绪诚 张荣芬 邓朝勇关键词:MGB2 电子结构 超导性质 新型近红外超长余辉材料Zn3Ga4GexO(9+2x):1%Cr^(3+)的制备与发光性能研究 被引量:7 2016年 采用高温固相反应法制备了Zn3Ga3.99GexO9+2 x:1%Cr3+(x=1,2,3,4,5)新型近红外长余辉荧光粉,利用X射线衍射(XRD)和荧光(PL)光谱分别对其晶体结构、PL性质和余辉性能进行了分析。结果表明,Zn3Ga3.99Cr0.01GexO9+2 x实际上是Cr3+和Ge4+共同取代了ZnGa2O4尖晶石结构中的部分Ga3+而形成的固溶体;样品可以被近紫外光和蓝绿光有效地激发,发射出640~720nm波长范围的红光和近红外光,峰值位于695nm波长附近,属于Cr3+的特征发射,对应于2 E→4A2的跃迁;余辉持续时间均超过300h。进一步分析了烧结温度对Zn3Ga3.99GexO9+2 x:1%Cr3+(x=1,2,3,4,5)材料的发光和余辉性能影响,得到Zn3Ga3.99Cr0.01Ge1O11的最佳烧结温度是1 200℃,且随温度的升高,样品的发光和余辉性能均得到提高。 刘微 崔瑞瑞 邓朝勇关键词:固溶体 近红外 长余辉 白光LED用红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4Eux3+Nax+的制备及发光性能研究 被引量:13 2014年 采用高温固相法合成白光LED用红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4Eux3+Nax+,对样品分别进行X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱的测定,讨论了不同掺杂量下合成的荧光粉的发光性质。XRD图谱分析表明,在1 000℃下灼烧9h得到的样品为纯相的SrMoO4。研究结果表明,制备的Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4:Eux3+Nax+荧光粉可以被近紫外光(393nm)和蓝光(464nm)有效激发;发射光谱中,在波长在611nm和615nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于615nm左右,与Eu3+的5D0→7F2跃迁对应。进一步探讨Na+和Eu3+掺杂浓度对发光强度的影响,得出Sr0.7Ca0.3-2 x MoO4:Eux3+Nax+样品的发光强度比SrMoO4:Eu3+Na+增强,当掺杂量x=0.07时,Sr0.7Ca0.3-2 x MoO4:Eux3+Nax+样品在波长614nm处发光强度最强。最后测试计算样品在393nm紫外激发下的色坐标,当Eu3+和Na+的掺杂量x=0.02时,样品红色显示最强。研究结果表明,所合成的红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4:Eux3+Nax+新型红色荧光粉适合在白光LED中应用。 吴冬妮 崔瑞瑞 邓朝勇关键词:钼酸盐 红色荧光粉 高温固相法 白光LED 金属薄膜电容及其制备方法 本发明公开了一种金属薄膜电容,包括绝缘基板,在绝缘基板的顶部设有带引出端Ⅰ的金属薄膜电极Ⅰ,在引出端Ⅰ接口外的金属薄膜电极Ⅰ表面上设有介质薄膜,在介质薄膜的顶部设有带引出端Ⅱ的金属薄膜电极Ⅱ。本发明采用五氧化二钽等既绝缘... 邓朝勇 马亚林 石健 崔瑞瑞文献传递 磁控溅射法结合异位退火制备MgB_2超导薄膜的研究 被引量:2 2015年 采用磁控溅射法,结合真空异位退火,成功制备MgB_2超导薄膜,探索了退火温度、退火时间、磁控溅射功率和溅射气压对MgB_2薄膜超导特性的影响。通过XRD、SEM和PPMS测量的结果来分析退火及溅射的工艺参数对MgB_2超导薄膜的晶体结构、表面形貌及超导性能的影响。研究表明,退火温度为670℃,退火时间为2h,MgB_2靶溅射功率控制在300W,Ar溅射气压保持为2Pa,MgB_2薄膜表现出最优的超导特性,其临界电流密度Jc为1.8×105A/cm2。 马军礼 张松 吴燕平 王旭 崔瑞瑞 邓朝勇关键词:磁控溅射 MGB2 超导薄膜 退火 助熔剂对Ca_(0.98)Bi_2Ta_2O_9:0.02Pr^(3+)发光性能的影响 被引量:2 2013年 采用传统高温固相反应法制备了Pr3+离子掺杂的铋层结构铁电氧化物Ca0.98Pr0.02Bi2Ta2O9(CBTO:Pr3+)荧光粉。利用X射线衍射、荧光光谱等研究了分别添加四种不同助熔剂(H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2)对CBTO:Pr3+粉体的晶体结构、发光强度的影响。结果表明,与未加助熔剂的样品相比,H3BO3,NH4F,CaCl2或CaF2的添加量为5%(摩尔分数)时,CBTO:Pr3+的发光强度分别提高了63%,43%,43%和29%;助熔剂的添加量为10%时,发光强度分别提高了186%,10%,13%和31%。随着H3BO3添加量的增加,CBTO:Pr3+的发光强度先增强后降低,在添加量为10%时,发光强度最大。样品温度特性测试表明CBTO:Pr3+粉体的热稳定性需要进一步改善。 吴莘 崔瑞瑞 李绪诚 李良荣 邓朝勇关键词:助熔剂 固相烧结法 稀土 CaSi_2O_2N_2:Ce^(3+)/Eu^(2+)荧光粉的发光性能研究 被引量:3 2015年 采用高温固相反应法制备了CaSi2O2N2:Ce3+/Eu2+荧光粉,研究了分别掺杂Ce3+、Eu2+及Ce3+/Eu2+共掺杂时荧光粉的发光特性。CaSi2O2N2:Ce3+在333nm激发下得到宽波段的发射谱,发射峰位于395nm,随着Ce3+浓度的增大,发射波长出现明显的红移,猝灭浓度为1 mol%。CaSi2O2N2:Eu2+在397nm激发下得到峰值位于540nm处的宽波段发射谱,猝灭浓度为1 mol%。对于Ca0.99-2 xSi2O2N2:xCe3+,xLi+,0.01Eu2+荧光粉,在333nm激发下,位于395nm处的发射峰十分微弱,在540nm处有宽带发射,随着Ce3+浓度增大,位于540nm处的Eu2+的特征发射显著增强。对于Ca0.98-ySi2O2N2:0.01Ce3+,0.01Li+,yEu2+荧光粉,在激发光波长为333nm,Eu2+浓度较低时,可以观察到两个发射带,峰值分别位于395nm及540nm,随着Eu2+浓度增加,位于395nm的发射强度一直减小,而540nm处的发射强度先增加后减小,猝灭浓度为0.4mol%。证实了Ce3+,Eu2+之间发生了有效的能量传递。计算出Ce3+、Eu2+之间能量传递的效率ηT,在Eu2+浓度为1 mol%时ηT趋于饱和,达到97.7%。通过计算,得到Ce3+与Eu2+之间的能量传递方式为电偶极-电偶极相互作用。 罗思远 李绪诚 崔瑞瑞 邓朝勇关键词:荧光粉 稀土 黄色荧光粉CaBi_2Ta_2O_9:Dy^(3+)的制备及发光性能 2014年 采用高温固相反应法制备了Dy3+掺杂铋层结构铁电氧化物CaBi2Ta2O9(CBTO)荧光粉。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)测试和荧光光谱(PL)的测定。研究表明:荧光粉CBTO:Dy3+的最强激发峰为450 nm,与商用蓝光LED的发射光波长相匹配,发射带峰值位于574 nm,对应于Dy3+的电偶极跃迁4F9/2→6H13/2。分析了Dy3+摩尔分数对样品发光强度的影响,其最佳摩尔分数为7%,根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。分别研究了电荷补偿剂Li+、Na+和K+对CBTO:Dy3+发射光谱的影响,结果显示不同的电荷补偿剂均能不同程度地提高样品的发光强度。 李金岚 崔瑞瑞 邓朝勇关键词:白光LED 光致发光 浓度猝灭 CaBi_2Ta_2O_9:Pr^(3+)黄色荧光粉的制备与性能研究 被引量:2 2014年 采用高温固相反应法,制备了系列Pr3+掺杂的CaBi2Ta2O9(CBTO:Pr3+)Bi层状结构铁电氧化物(BLSFs)粉体。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对样品的晶体结构和形貌进行了表征。利用积分球式分光光度计和荧光光谱仪对样品的光学性能进行了分析。XRD结果表明,所生成的样品均为CBTO纯相。样品的吸收和激发光谱表明,在449~500nm波长范围存在Pr3+的f-f跃迁吸收;样品的发射光谱由绿光(525~575nm)和红光(575~700nm)发射两部分组成,避免了白光LED中再吸收的问题。随着Pr3+掺杂浓度的增加,样品的发光强度先增强后减弱,当Pr3+的掺杂浓度为2mol%时发光强度最大。研究了Ca0.98Pr0.02Bi2Ta2O9的热稳定性,并通过计算得到其热猝灭激活能E=0.24eV。显色指数(CIE)色坐标图表明,所制备的样品可以被蓝光有效激发而发出黄光。研究结果表明,CBTO:Pr3+可以用于蓝光LED芯片激发用的黄色荧光粉。 崔瑞瑞 龚新勇 邓朝勇