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孟令琴

作品数:9 被引量:17H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第十四研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 3篇通信
  • 2篇移动通信
  • 2篇频率合成器
  • 2篇合成器
  • 2篇多址
  • 1篇低相噪
  • 1篇电路模型
  • 1篇调频
  • 1篇调频信号
  • 1篇信号
  • 1篇性能模拟
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇噪声
  • 1篇直接数字频率
  • 1篇直接数字频率...
  • 1篇直接数字频率...
  • 1篇射频
  • 1篇射频宽带
  • 1篇设计方法

机构

  • 9篇北京理工大学
  • 2篇解放军理工大...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇总参第六十三...

作者

  • 9篇孟令琴
  • 7篇费元春
  • 4篇毛峥
  • 1篇王利众
  • 1篇李有科
  • 1篇郭德淳
  • 1篇王格芳
  • 1篇于文震
  • 1篇陈宁
  • 1篇韩荣桂

传媒

  • 2篇电子技术(上...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微波学报
  • 1篇北京理工大学...
  • 1篇兵工学报
  • 1篇四川通信技术

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
L,S波段宽频带、低相噪混频锁相频率合成器被引量:9
2002年
分析了宽频带、低相噪锁相频率合成器的设计方法 ,并给出宽频带、低相噪频率合成器的设计方案 .采用分段混频分频 PL L 频率合成器 ,实现了基于大规模锁相集成芯片 Q32 36的宽带锁相频率合成器 .其输出频率为10 0 0~ 2 16 0 MHz,频率步进 2 0 MHz,相位噪声优于 - 98d B/ Hz(偏离载频 1k Hz处 ) ,杂散抑制优于 6 0 d B,输出功率 Pm>8d B.测试结果表明 ,该设计有效地扩展了信号带宽 ,达到了极低的相位噪声 .
孟令琴费元春韩荣桂
关键词:宽频带低相噪相位噪声设计方法
时分多址(TDMA)通信系统频率源的研制
2003年
频率合成器是现代电子系统的重要组成部分 ,在通信、雷达、电子对抗、导航、广播电视、遥测遥控、仪器仪表等许多领域都得到广泛的应用。在雷达等通信设备中 ,它为发射机的调制器提供载频信号 ,也为接收机或发射机的混频器提供稳定可靠的本振源。该锁相频率合成器体积小、成本低、通用性强、使用灵活方便 ,频率控制可以通过硬件 (面板 )实现 ,也可以通过软件写入 ,工作频带 :3 80~ 4 40 MHz,频率步进 1 .2 5 MHz,输出功率≥7d Bm,相位噪声≥ -95 d Bc/Hz/1 0 k Hz。该频率合成器双路输出 ,收、发双工工作 ,已成功地用于时分多址 (TD-MA)
孟令琴费元春毛峥
关键词:时分多址TDMA通信系统频率源频率合成器移动通信
SiGe PMOSFET性能模拟被引量:1
2003年
由于受热力学基本定律的限制 ,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限 ,而 Si Ge材料的引入使得占据小于 1GHz频段的 Si产品可以进一步覆盖 2~ 30 GHz的 RF和无线通信市场。根据前人的材料研究工作 ,在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,进一步研究长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,引入了插值所得的近似因子以修正 silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后依据修正后的模型对 Si Ge
孟令琴费元春毛峥
关键词:SIGEPMOSFET性能模拟
印刷螺线天线的分析计算
2001年
本文运用全波分析法对印刷螺旋天线进行了算法分析 ,根据 Helmholtz方程在边界处满足的边界条件系统推导了单层印刷螺旋天线在自由空间和媒质中赫兹矢量位形式的并矢格林函数。在其计算中采用了离散复镜像理论 ,适当提取渐近项 ,以加快积分的收敛速度 ,并避免了数值计算中非常麻烦的极点处理问题。通过矩量法推导了阻抗矩阵和激励矩阵。并对一由绝缘材料支撑的印刷螺旋天线进行了计算 ,为工程设计提供了理论依据。
郭德淳孟令琴费元春
关键词:宽带天线矩量法并矢格林函数
射频宽带、低噪声单片放大器设计被引量:4
2005年
本文介绍一种宽带、低相位噪声射频集成放大器设计,采用负反馈频率补偿技术,通过优化设计反馈网络电阻及电容值,有效地展宽了工作频带;采用了封装电容做级间匹配电容,提高了电路模型精度增加了流片的可实现性;通过级间匹配电容,有效地补偿了带内平坦度。电路结构简单,性能优良,在0.8μm SiGe BiCMOS工艺上实现的放大器3dB带宽0~7.5GHz,将广泛应用于光纤通信、软件无线电、雷达及通信一体化接收前端。
孟令琴于文震费元春
关键词:负反馈频率补偿技术电路模型
硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究被引量:2
2004年
本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。
孟令琴费元春
关键词:无线射频半导体技术异质结双极晶体管砷化镓场效应管
DDS芯片STEL-1180及其在非线性调频中的应用
2002年
文章介绍了直接数字频率合成芯片STEL 1180的特点、结构、功能 ,并讨论了用它产生非线性调频信号的方法。电路结构简单 ,精度高。
毛峥孟令琴
关键词:DDS芯片非线性调频直接数字频率合成器调频信号
AD6622在WCDMA中的应用被引量:1
2001年
AD662 2四通道TSP设计用来连接DSP和高速DAC。其内部每个滤波器都包含大范围内插因子 ,使AD662 2可以被用来在同一个高速采样流中实现窄带或宽带载波。高分辨率的数控振荡器保证频率规划的灵活性并支持数字 /模拟空中接口。基于RAM的结构使重新配置和多模式应用易于实现。同时采用AD662 2中的 4个TSP传输 3.84Mbit/s的数据 ,很好地满足了WCDMA系统时钟要求 ;整个系统的主时钟最高到 75Mbit/s。
孟令琴毛峥陈宁费元春李有科
关键词:WCDMA移动通信码分多址
频率合成技术在卫星通信中的应用
2000年
论述了间接式频率合成和直接数字式频率合成技术在卫星通信中的应用 ,并给出工程中的实例分析 ,提出了一些减小频率合成器体积、重量。
王利众王格芳孟令琴
关键词:卫星通信锁相环
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