您的位置: 专家智库 > >

孙敬韦

作品数:3 被引量:9H指数:1
供职机构:四川大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域:化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇陶瓷
  • 2篇ZNO
  • 1篇低熔点玻璃
  • 1篇烧结性
  • 1篇烧结性能
  • 1篇陶瓷烧结
  • 1篇陶瓷研究
  • 1篇体积电阻
  • 1篇体积电阻率
  • 1篇体积密度
  • 1篇热学性能
  • 1篇复相
  • 1篇复相陶瓷
  • 1篇NB
  • 1篇NB2O5
  • 1篇SIO2含量
  • 1篇SNO
  • 1篇ZRO2
  • 1篇AL2O3-...
  • 1篇AO

机构

  • 2篇四川大学

作者

  • 3篇汤帆
  • 3篇黄永前
  • 3篇孙敬韦
  • 2篇何洋
  • 1篇李正荣

传媒

  • 1篇耐火材料
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Bi_2O_3含量对ZnO-BaO-Bi_2O_3-B_2O_3系玻璃性能的影响被引量:9
2012年
用熔融冷却方法制备了ZnO-BaO-Bi2O3-B2O3系低熔点玻璃,研究了Bi2O3含量对所制玻璃热学性能和体积电阻率的影响。结果表明:随着Bi2O3含量的增大,所制玻璃密度和线膨胀系数增大,而膨胀转变温度(tg)、膨胀软化温度(tf)和体积电阻率(ρv)减小;当Bi2O3摩尔分数为0~12%时,随着Bi2O3含量增大,玻璃的tg、tf和ρv显著降低;而当Bi2O3摩尔分数为12%~25%时,这种变化趋势明显减弱。
李正荣黄永前孙敬韦汤帆
关键词:低熔点玻璃热学性能体积电阻率
添加MgO对不同SiO2含量的ZrO2-Al2O3-SiO2陶瓷烧结的影响
2013年
以高纯石英砂、α-Al2O3、ZrO2为原料,MgO为添加剂(添加质量分数分别为0、1%、2%、3%),经研磨、造粒、成型,并在1 600℃烧结2 h后获得了SiO2含量(w)分别为4%、8%、12%的ZrO2-Al2O3-SiO2系陶瓷试样。采用XRD、SEM对试样进行物相和显微结构的分析。结果表明:1)所制备的ZrO2-Al2O3-SiO2陶瓷的主要物相是单斜氧化锆、莫来石和刚玉,随着SiO2含量(w)由4%增加到12%,SiO2与Al2O3反应生成的莫来石量增加,体积膨胀效应越发明显,导致烧结试样的致密度降低;2)添加MgO促进了ZrO2-Al2O3-SiO2陶瓷的烧结,在SiO2含量为4%(w)的陶瓷中加入1%(w)的MgO时,烧结试样的致密度最大,其相对密度达到90.49%,体积密度为3.90 g·cm-3。
孙敬韦黄永前汤帆何洋四川大学
关键词:烧结性能
ZnO-Nb_2O_5掺杂SnO_2基陶瓷研究
2012年
通过常压烧结制备SnO2基陶瓷,研究了ZnO、Nb2O5单掺杂及ZnO-Nb2O5复合掺杂对SnO2基陶瓷的烧结性能及电阻率的影响。采用SEM及XRD对试样分别进行了微观结构观察及物相分析。研究表明,掺杂ZnO能提高陶瓷的体积密度,但对于降低电阻率的影响不明显,当ZnO掺杂量在0.5%~0.75%(质量分数)时,SnO2基体积密度可达到6.67~6.73g/cm3;掺杂Nb2O5不能有效提高烧成陶瓷的体积密度,但能显著降低SnO2基陶瓷的电阻率;0.5%(质量分数)ZnO~1.5%(质量分数)Nb2O5复合掺杂在1450℃下烧成的陶瓷可得到较好的性能,其体积密度可达到6.61g/cm3,常温电阻率为867.84Ω.cm。
汤帆黄永前孙敬韦何洋
关键词:体积密度
共1页<1>
聚类工具0