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孙中哲

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇发光
  • 3篇发光管
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇异质结
  • 2篇双异质结
  • 2篇相干
  • 2篇相干长度
  • 2篇晶片
  • 2篇集成光源
  • 2篇光放大
  • 2篇光放大器
  • 2篇光学
  • 2篇光源
  • 2篇放大器
  • 2篇盖层
  • 2篇半导体光放大...
  • 2篇半导体集成
  • 2篇ALGAAS

机构

  • 5篇吉林大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 7篇孙中哲
  • 3篇杜国同
  • 2篇赵永生
  • 1篇刘国范
  • 1篇张旺
  • 1篇韩和相
  • 1篇赵永生
  • 1篇宋俊峰
  • 1篇陈晔
  • 1篇赵慕愚
  • 1篇周伟
  • 1篇李熙
  • 1篇姜秀英
  • 1篇徐宝琨
  • 1篇汪兆平
  • 1篇朱作明
  • 1篇李国华

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
短相干长度半导体集成光源
本发明为一种半导体双异质结发光器件。其结构包括在GaAs和InP单晶片衬底(2)上外延生长出下限制层(3)、有源层(4)、上限制层(5)、盖层(6)以及发光管上电极(7)、电流注入条区(8)构成发光管(9)部分，同样的外...
杜国同赵永生孙中哲张邦衡
文献传递
纳米晶PLT薄膜的合成与表征被引量：2
1995年
纳木材料的制备技术结合Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺在（１００）单晶硅上制备了粒径在２０～８０ｎｍ的多晶ＰＬＴ（Ｐｂ＿（１－ｘ）Ｌａ＿ｘＴｉＯ＿３）纳采晶膜，并用ＩＲ、ＴＧＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等对膜的制备过程及结果进行了研究。结果表明，所制各的ＰＬＴ纳米晶膜属多晶钙钦矿结构，薄膜表面平整致密，厚度均匀，约为１μ，颗粒为球形或椭球形，粒度呈对称分布。
彭作岩李熙赵慕愚孙中哲刘国范徐宝琨
关键词：铁电薄膜
AlGaAs短波长超辐射集成光源
1998年
设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。
赵永生孙中哲李雪梅宋俊峰王之岭姜秀英杜国同GregoryDevaneKathleenA.StairR.P.H.Chang
关键词：半导体光放大器集成光源铝镓砷
短相干长度半导体集成光源
本发明为一种半导体双异质结发光器件。其结构包括在GaAs或InP单晶片衬底(2)上外延生长出下限制层(3)、有源层(4)、上限制层(5)、盖层(6)以及发光管上电极(7)、电流注入条区(8)构成发光管(9)部分,同样的外...
杜国同赵永生孙中哲张邦衡
文献传递
AlGaAs超辐射集成光源
孙中哲
关键词：超辐射发光管半导体光放大器集成光源
InP基半导体低维结构材料的分子束外延生长、表征及相关器件研究
半导体低维结构(量子点、量子线)的应变自组装生长及相关器件的研究,不仅对在基 础研究中有重要的学术意义,而且有望开拓广阔前景,因而得到了国内外材料科学工作者的广泛重视,成为目前国际上最前沿的研究课题之一.作者在博士期间,...
孙中哲
关键词：半导体低维结构量子点量子线光学特性
(n11)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究
1999年
报道不同指数面（ｎ１１）上生长的Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ 和Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ系列样品的长光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在背散射条件下不同的偏振配置下，观测到这些样品中对应的Ｌ０ 模和Ｔ０ 模的相对强度随着不同的指数面呈现出规律变化，同时把这一实验结果与（ｎ１１）指数面上生长的闪锌矿结构材料的喇曼散射选择定则的理论预计相比较。
张旺李国华朱作明陈晔韩和相汪兆平周伟孙中哲
关键词：喇曼散射半导体
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