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吴春蕾
作品数:
43
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供职机构:
北京大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
黄芊芊
北京大学
黄如
北京大学
王阳元
北京大学
王佳鑫
北京大学
朱昊
北京大学
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电子电信
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机构
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北京大学
作者
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黄如
43篇
吴春蕾
43篇
黄芊芊
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王阳元
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王佳鑫
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朱昊
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2019
3篇
2018
12篇
2017
6篇
2016
9篇
2015
10篇
2014
2篇
2013
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抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法
本发明公开了一种抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明通过在源区和隧穿结下方的体区之间插入绝缘层,而在源区和沟道之间的隧穿结处不...
黄如
黄芊芊
吴春蕾
王佳鑫
王超
王阳元
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一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法。该器件包括隧穿源区、沟道区、漏区和位于沟道区上方的控制栅,其中,隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为反错层型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异...
黄如
吴春蕾
黄芊芊
王佳鑫
王阳元
文献传递
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管,底栅介质层位于底栅电极的上方,双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方,金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端,且各覆盖部分双层石墨烯有源区,金属源电极与金属漏电极选取不同材料,对...
黄如
王佳鑫
黄芊芊
吴春蕾
朱昊
赵阳
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垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法
一种垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法,所述隧穿晶体管包括热电子发射源区,隧穿源区,沟道区,隧穿漏区,以及纳米线的栅;控制栅环绕于沟道,带带隧穿发生在隧穿源区与沟道交界面处,在隧穿源区下方存在一个与隧穿源区掺杂...
王超
黄如
吴春蕾
黄芊芊
一种复合机制的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种复合机制的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管通过改变栅形貌,利用条形栅两侧的PN结耗尽效应使得栅下表面沟道能带提...
黄如
黄芊芊
吴春蕾
王佳鑫
詹瞻
王阳元
文献传递
抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及制备方法
一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管,包括隧穿源区,沟道区,漏区以及位于沟道上方的控制栅,隧穿源区为III-V族化合物半导体混合晶体,该混合晶体的混晶比沿垂直器件表面方向连续变化,隧穿源区与沟道交界面处的异质隧穿结的...
黄如
吴春蕾
黄芊芊
王佳鑫
王阳元
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垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法
一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法。所述短栅隧穿场效应晶体管具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂,沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高,靠近源端处沟道掺杂浓度较低;另外...
黄如
吴春蕾
黄芊芊
王超
王佳鑫
王阳元
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超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的隧穿场效应晶体管包括:衬底、源区内层、源区外层、栅叠层、漏区和沟道区内层和沟道区外层;本发明的超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管通过器件结构...
黄如
赵阳
吴春蕾
黄芊芊
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一种隧穿场效应晶体管及制备方法
本发明公开一种隧穿场效应晶体管及制备方法,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管的隧穿源区及沟道区沿器件垂直方向为异质结构,其中上层采用具有较宽禁带宽度半导体材料,中间层为...
黄如
吴春蕾
黄芊芊
王佳鑫
王阳元
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超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法
本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯-多层壳的纳米线结构,该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿...
黄如
吴春蕾
黄芊芊
樊捷闻
王阳元
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