叶枝灿
- 作品数：5 被引量：21H指数：2
- 供职机构：教育部更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的测试被引量：2
- 2006年
- 采用Y2O3和Ni作催化剂,在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米管。在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米管产物进行进一步提纯后,用这种碳纳米管粉末与酒精配制成悬浮液,通过旋涂、干燥、退火等工艺得到碳纳米管阴极薄膜。I-V测试表明用该法得到的碳纳米管薄膜具有良好的电子场致发射性能。
- 钱开友颜丙勇王芸叶枝灿徐东蔡炳初
- 关键词：旋涂法碳纳米管场发射
- 场发射硅锥阵列的干法制备与研究被引量：2
- 2006年
- 阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。
- 王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初
- 关键词：干法刻蚀RIE场发射
- 基于光刻胶回流特性的平面化工艺被引量：2
- 2005年
- 研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕,使其表面平整化的方法,结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺,即光刻胶90℃下60 min前烘后,并在90℃下回流60 min,不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度,而且还可以完全除去其表面的磨痕,获得平滑的表面结构。
- 叶枝灿徐东王芸王莉吴茂松
- 关键词：光刻胶平面化牺牲层
- 用于MEMS器件的键合工艺研究进展被引量：15
- 2005年
- 随着MEMS器件的广泛研究和快速进步,非硅基材料被广泛用于MEMS器件中。键合技术成为MEMS器件制作、组装和封装的关键性技术之一,它不仅可以降低工艺的复杂性,而且使许多新技术和新应用在MEMS器件中得以实现。目前主要的键合技术包括直接键合、阳极键合、粘结剂键合和共晶键合。
- 张东梅叶枝灿丁桂甫汪红
- 关键词：直接键合阳极键合共晶键合
- 碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试
- 2005年
- 研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构,计算机模拟证明,这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试,为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试,表明传感器的灵敏度为0.22μA/kPa(5kPa^101kPa)。
- 钱开友王芸叶枝灿颜丙勇徐东蔡炳初
- 关键词：碳纳米管场发射压力传感器计算机模拟
