刘宝丹
- 作品数：55 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：天津市科技计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- IUMRS-ICEM2012:电子材料科技前沿
- 2012年
- 2012年9月23～28日,"2012年国际材料联合会—电子材料国际会议"(IUMRS-ICEM2012)在日本横滨国际会议中心举行。国际材料联合会—电子材料国际会议是国际材联主办的系列会议,每2年召开1次,先后共举办5届。本次会议由日本材料研究学会承办。IUMRS-ICEM2012大会邀请报告共5篇,设专题研讨会39个,内容涉及环境友好电子材料、电子材料和器件、下一代先进电子材料以及先进电子材料的模拟、制造、加工和表征等各个方面。此外,大会还同期举办了3个论坛,分别为有利于"有利于能源与环境可持续发展的材料工程"论坛,"快速发展的世界材料教育战略"论坛,"发展合作式的材料教育网络平台"论坛。电子材料是解决全球性问题的关键,特别是环境和能源的可持续发展问题。本次会议围绕电子材料及相关技术的前沿,汇集国际学术界以及行业专家,旨在交流电子材料领域的最新进展,在展示近2年来全球电子材料科学与器件研究最新成果和进展的同时,探讨进一步发展的方向,从而推动电子材料及相关技术研究的可持续发展。本刊约请了几位参会专家学者,对相关材料前沿进行综合报道。
- 王宁李宝文刘宝丹马衍伟
- 关键词：电子材料热电材料环境可持续发展环境友好专家学者
- 一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线阵列薄膜及其制备方法
- 本发明涉及纳米光电探测、纳米高温气敏探测器、半导体纳米材料与纳米技术领域，具体为一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米线阵列薄膜及其制备方法，所制备的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
- 刘宝丹张偲李晶张兴来
- 文献传递
- 基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
- 本发明涉及一种基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法，属于光电探测器领域。本发明是通过化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长GaN纳米线阵列，然后在GaN纳米线阵列上沉积一层Pt纳米颗粒，最后利用光刻技...
- 刘宝丹张兴来刘青云杨文进李晶刘鲁生姜辛
- 一种基于头发的柔性光学逻辑门及其制造方法
- 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于头发上的柔性光学逻辑门及其制造方法。该柔性光学逻辑门包括第一光电探测器和第二光电探测器，用于分别接收第一光信号和第二光信号。第一光电探测器和第二光电探测器的结构完全一致，均采...
- 刘宝丹张兴来李晶杨文进张偲刘小元王柯周洋姜辛
- 文献传递
- 一种ZnSe‑GaP固溶体纳米材料及其制备方法
- 本发明公开了一种ZnSe‑GaP固溶体纳米材料及其制备方法。所制备的ZnSe‑GaP固溶体纳米材料形貌呈线状，直径为50‑500纳米，长度为5微米‑5毫米。该ZnSe‑GaP固溶体纳米材料的制备方法是在三温区管式炉中加入...
- 姜辛杨文进杨兵刘宝丹
- 文献传递
- 一种3D树枝状结构的光电探测器及其制作方法
- 本发明涉及一种三维(3D)树枝状结构的光电探测器及其制作方法，属于光电探测器领域。光电探测器自下而上依次有Si基底、绝缘SiO<Sub>2</Sub>层、3C‑SiC/ZnO三维树枝状结构异质结材料和金属电极。首先，利用...
- 姜辛张兴来刘鲁生刘宝丹
- 文献传递
- 一种金属氧化物纳米催化剂原位生长及掺杂改性方法
- 本发明涉及金属氧化物催化剂形核及控制生长、掺杂改性、环境催化净化、微弧氧化、纳米材料与纳米技术领域，具体涉及一种金属氧化物纳米催化剂原位生长及掺杂改性方法。该金属氧化物纳米催化剂原位生长及掺杂改性技术主要利用微弧氧化法在...
- 刘宝丹姜亚南刘小元王柯张兴来刘鲁生姜辛
- 文献传递
- 一种基于头发的柔性光学逻辑门及其制造方法
- 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于头发上的柔性光学逻辑门及其制造方法。该柔性光学逻辑门包括第一光电探测器和第二光电探测器，用于分别接收第一光信号和第二光信号。第一光电探测器和第二光电探测器的结构完全一致，均采...
- 刘宝丹张兴来李晶杨文进张偲刘小元王柯周洋姜辛
- 文献传递
- 半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究
- 以GaN为代表的宽禁带半导体纳米材料在纳米光学、纳米电子学、纳米光电子学领域具有潜在应用价值。[1-5]半导体纳米材料的尺寸、成分、结晶度、生长取向及晶体结构缺陷与光电性能之间关系密切,尤其是晶体结构缺陷对其发光性能影响...
- 刘宝丹刘青云杨兵姜辛
- 关键词：半导体纳米材料光学性能
- 文献传递
- 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法
- 本发明公开了一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法，属于半导体技术和纳米技术领域。该方法是在生长衬底和初始缓冲层之间引入与衬底晶格不匹配的阻挡层，用于阻挡缺陷由衬底向氮化镓纳米线阵列晶体内部扩散，然后利用自组装技术和...
- 姜辛刘宝丹
- 文献传递
