冉广照
- 作品数：60 被引量：20H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 金属键合硅基激光器的制备方法
- 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；...
- 秦国刚洪涛陈挺冉广照陈娓兮
- 文献传递
- 晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究
- 2005年
- 尤力平冉广照
- 关键词：SI3N4电子显微学SIO2纳米线非晶晶态
- 固体C<,70>薄膜相变
- 固体C<,70>(或C<,60>)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP...
- 陈开茅冉广照陈源付济时张伯蕊朱美栋乔永平武兰青
- 关键词：相变异质结
- 文献传递
- 一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用
- 本发明提供了一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的制备方法通过在旋涂钙钛矿量子点分散液时其溶剂采用正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种，能够降低对上一层钙钛矿薄膜Ⅰ或钙钛矿薄膜Ⅱ的...
- 储子昊李阳李艳平冉广照
- Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光被引量：1
- 2010年
- 采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN:Er)薄膜和SRN:Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN:Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750nm的发光带和一个峰位在1.54μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳米硅,后者为Er3+的特征发射。SRN:Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er3+在520,550和850nm附近的精细结构,并且Er3+在1.54μm的发光有12倍的增强。光谱精细结构的出现证明Er3+的微观环境由于掺Ni而变得有序。与在SRN中相比,在这种有序环境中Er3+的光学活性有明显的增强。拉曼散射光谱测量证明在SRN:Er/Ni超晶格中纳米硅的数目比在SRN:Er薄膜中有一定的增加。因而,Er3+1.54μm发光12倍的增强是Er3+本身光学活性的增强和纳米硅数目的增加共同作用的结果。
- 孙凯徐万劲冉广照
- 关键词：ERNI光致发光
- 硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光
- 2009年
- 硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n+型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅(SiO2∶Si)薄膜,然后用热扩散法进行了锰(Mn2+)掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3~5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm(2.36 eV),一般认为这是来自Mn2+能级4T1→6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅(SiO2∶Si∶Mn2+)做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光(EL),光谱范围覆盖了400~800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2+以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2+的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。
- 文杰陈挺冉广照
- 关键词：纳米硅电致发光光致发光
- 边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法
- 本发明涉及一种边发射激光芯片与硅光芯片中光波导的耦合结构及方法，属于光子集成领域，通过将边发射激光芯片倾斜装焊在硅光芯片之上，把倾斜输出的光直接投射到硅光波导入射光栅上，对激光芯片和硅光芯片的结构和加工工艺无特殊要求，对...
- 冒芯蕊李艳平冉广照
- 一种硅基激光器及其制备方法
- 本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO<Sub>2</Sub>结构，相互导通...
- 李艳平冉广照洪涛陈娓兮秦国刚
- 文献传递
- 基于表面等离基元超材料的TM偏振Ⅲ-V/Si混合激光器
- <正>由于Ⅲ-V族材料的能带特点,无应变或压应变量子阱激光器发出的通常为TE模式的光,而TM模式的光有包括偏振复用在内的多种应用前景。为此,我们采用了表面等离基元超材料,基于一种全新的偏振转换原理,制作了以TM偏振模式为...
- 葛超洋张连学方鑫翟文豪田程李艳平冉广照
- 文献传递
- 一种有机电致发光器件及其制备方法
- 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该发光器件包括n<Sup>+</Sup>-Si:Au硅衬底层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层。该器件的阳极的空穴注入机制不同于现有技术，该机制是空穴从Au产生中心...
- 秦国刚李延钊冉广照乔永平
