您的位置: 专家智库 > >

魏孔芳

作品数:42 被引量:26H指数:3
供职机构:中国科学院近代物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 15篇会议论文
  • 7篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 18篇理学
  • 7篇核科学技术
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 15篇离子辐照
  • 13篇重离子
  • 9篇重离子辐照
  • 6篇辐照
  • 5篇高能
  • 4篇发光
  • 4篇高能重离子
  • 4篇ADS
  • 4篇HE
  • 3篇电子能损
  • 3篇多层膜
  • 3篇射线衍射
  • 3篇金属多层膜
  • 3篇核能
  • 3篇反应堆
  • 3篇X射线衍射
  • 3篇ZNO薄膜
  • 2篇带隙
  • 2篇电荷态
  • 2篇调制

机构

  • 42篇中国科学院近...
  • 8篇中国科学院大...
  • 7篇中国科学院研...
  • 2篇兰州大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇斯洛伐克科技...

作者

  • 42篇魏孔芳
  • 39篇王志光
  • 29篇姚存峰
  • 23篇申铁龙
  • 20篇盛彦斌
  • 19篇孙建荣
  • 15篇臧航
  • 14篇朱亚滨
  • 13篇马艺准
  • 12篇庞立龙
  • 9篇刘纯宝
  • 9篇崔明焕
  • 9篇缑洁
  • 9篇李炳生
  • 9篇宋银
  • 5篇金运范
  • 4篇张崇宏
  • 3篇张宏鹏
  • 3篇李远飞
  • 3篇常海龙

传媒

  • 10篇原子核物理评...
  • 2篇物理学报
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇中国工程科学
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇第二届全国反...
  • 1篇第五届反应堆...
  • 1篇第四届全国反...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 4篇2011
  • 6篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
42 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Fe/Cu多层膜的辐照与退火研究
一些生成热为正的材料体系,在液相和固相都不互溶,难于用传统的熔炼技术制备合金。载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合...
魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
80keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响被引量:1
2010年
室温下用80keVN离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.01014,5.01015和5.01016ions/cm2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×1015ions/cm2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势。对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论。
臧航王志光魏孔芳孙建荣姚存峰申铁龙马艺准杨成绍庞立龙朱亚斌
关键词:ZNO薄膜X射线衍射透射电镜
94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究
2010年
室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化。结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50eV快速增大至约1.81eV,然后再减小至约1.67eV。对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨。
杨成绍王志光孙建荣姚存峰臧航魏孔芳缑洁马艺准申铁龙盛彦斌朱亚斌庞立龙李炳生张洪华付云翀
关键词:重离子辐照光学带隙
高温铅铋熔体中自动化控氧/腐蚀装置及方法
本发明属于核科学高温铅铋熔体中控氧/腐蚀装置领域,涉及一种高温铅铋熔体中自动化控氧/腐蚀装置及方法。一种高温铅铋熔体中自动化控氧/腐蚀装置,其特征在于包括有储料罐,在储料罐上设有真空系统、温控系统、冷却系统、氧浓度控制系...
常海龙王志光姚存峰孙建荣张宏鹏李炳生盛彦斌魏孔芳徐瑚珊
文献传递
He^(2+)注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究
2018年
利用拉曼光谱研究了He^(2+)注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小。
韩驿彭金鑫李炳生王志光魏孔芳刘会平张利民
关键词:碳化硅离子注入拉曼光谱
氦离子辐照烧结碳化硅损伤效应研究
2022年
利用中国科学院近代物理研究所320 kV高压平台提供的氦离子辐照烧结碳化硅,辐照温度从室温到1000℃,辐照注量为10^(15)~10^(17)cm^(-2)。辐照完成后,进行退火处理,然后开展透射电子显微镜、拉曼光谱、纳米硬度和热导率测试。研究发现,烧结碳化硅中氦泡形核阈值注量低于单晶碳化硅。同时,氦泡形貌和尺寸与辐照温度、退火温度有关。另外,对辐照产生的晶格缺陷、元素偏析进行了研究。结果表明,辐照产生了大量的缺陷团簇,同时氦泡生长也会发射间隙子,在氦泡周围形成间隙型位错环。在晶界处,容易发生碳原子聚集。辐照导致材料先发生硬化而后发生软化,且热导率降低。
李炳生李炳生李君涵廖庆徐帅张桐民王志光王志光魏孔芳
快重离子辐照引起Ni/SiO_2界面原子混合及相变研究
2009年
在室温下用308 MeV的Xe离子和853 MeV的Pb离子辐照Ni/Si O2样品,用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。通过分析Ni/SiO2样品中元素成分分布和结构随离子辐照剂量和电子能损的变化,探索了离子辐照在Ni/SiO2样品中引起的界面原子混合与结构相变现象。实验结果显示,Xe和Pb离子辐照均能引起明显的Ni原子向SiO2基体的扩散并导致界面附近Ni,Si和O原子的混合。实验观测到低剂量Xe离子辐照可产生NiSi2相,而高剂量Xe离子辐照则导致了Ni3Si和Ni O相的形成。根据热峰模型,Ni原子的扩散和新相的形成可能由沿离子入射路径强电子激发引起的瞬间热峰过程驱动。
刘纯宝王志光魏孔芳臧航姚存峰马艺准盛彦斌缑洁金运范A.BenyagoubM.Toulemonde
关键词:快重离子辐照卢瑟福背散射X射线衍射
高温辐照蠕变装置
本发明涉及核能结构材料抗辐照性能评价设备及方法技术领域,尤其是涉及一种高温辐照蠕变装置。其特点是包括高温靶室,所述的高温靶室下端设置有差动变压器和应力加载系统,高温靶室上还设置有观察窗和束流检测系统,高温靶室一侧通过真空...
李炳生王志光魏孔芳申铁龙
一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法
本发明涉及一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料磁致电阻的方法,其措施是:(1)半金属性薄膜的膜厚控制在100纳米到10微米之间;(2)辐照重离子的种类为A<Sup>q+</Sup>,A为选自原子序数10到92号...
孙建荣王志光金运范姚存峰王瑜玉魏孔芳申铁龙缑洁臧航
文献传递
金属多层膜的离子辐照效应研究
载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合形成非晶态或晶态合金等。本工作选择生成热为正值的 Fe/Cu、Cu/Nb 系统...
魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银卢子伟姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
共5页<12345>
聚类工具0