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固态存储控制器芯片关键技术及产业化: 骆建军樊凌雁付建云楼向雄刘海銮林天静吴俊军尹俊郭宏志张升; 存储产业规模巨大。过去，从移动存储卡，U盘，移动硬盘、电脑硬盘到大数据硬盘阵列，存储设备一直被国外少数公司垄断，严重制约了中国信息安全战略发展。该项目组通过产学研合作，实现了系列固态存储产品控制器芯片的国产化，使中国制造...; 关键词：; 关键词：芯片存储设备

集成PN结防护结构的薄膜换能芯片: 2023年; 研究设计了一种平面纵向集成PN结(半导体的空间电荷区)结构二极管的薄膜换能元芯片,并制作了3Ω和4Ω2种桥区电阻,每种电阻制备1.0 mm×1.0 mm、1.5 mm×1.5 mm、2.0 mm×4.0 mm 3种芯片尺寸,每种尺寸设计8,18,28,34 V 4种击穿电压的集成芯片样品,其中1.0 mm芯片对应4种击穿电压的芯片,1.5 mm、2.0 mm芯片对应34 V击穿电压进行静电对比试验。为研究集成防护结构对换能元的爆发性能的影响,对3Ω的1.0 mm集成芯片进行了发火试验测试。结果表明集成薄膜芯片尺寸越大,抗静电能力增强;芯片桥区电阻越大,越容易受到静电干扰损伤,其静电防护性能达500 pF/500Ω/25 kV。PN结结构的击穿电压越小,其旁路电流的能力越大,对换能元爆发性能的影响越大,击穿电压越大,对换能元的静电防护作用越小。对于33μF/16 V作用条件的火工品,选择18 V击穿电压的集成芯片说明集成薄膜芯片应用中需要根据换能元的工作电压选用合适的击穿电压,以保证集成芯片既可以防护静电干扰,不影响产品的正常作用。; 李慧李慧骆建军任炜褚恩义褚恩义陈建华; 关键词：微机电系统 PN结抗静电发火

一种基于Vivado的RISC-V处理器下载调试方法: 本发明公开了一种基于Vivado的RISC‑V处理器下载调试方法，包括以下步骤：S10，根据RISC‑V处理器硬件代码配置生成Vivado VIO IP核；S20，下载固件TCL脚本的编写；S30，调试TCL脚本文件的编...; 李浩骆建军

一种处理器核低功耗模式的实现方法: 本发明公开了一种处理器核低功耗模式的实现方法，包括以下步骤：S1，处理器核接受切换功耗模式的信号；S2，处理器清空处理器核中流水线的所有指令；S3，通过配置处理器核中的寄存器，选择切换的低功耗状态；S4，恢复处理器的默认...; 骆建军赵博涵

一种热反馈机制换能元芯片: 本实用新型公开了一种热反馈机制换能元芯片，至少包括衬底层，以及集成设置在该衬底层上的换能元和与所述换能元并联电连接的至少一个热敏电阻；所述热敏电阻为热耦合式阻态开关，用于根据其感应温度呈现为高阻态或者低阻态，其中，所述热...; 冯春阳李慧骆建军张成亮张正明王敦辉任炜陈建华褚恩义

一种热反馈机制换能元芯片的设计方法: 本发明公开了一种热反馈机制换能元芯片的设计方法，至少包括以下步骤：步骤S1：制备衬底层；步骤S2：在衬底层上形成绝缘层；步骤S3：在绝缘层上设置换能元以及至少一个热敏电阻；步骤S4：换能元和热敏电阻之间形成并联电连接；步...; 冯春阳李慧骆建军任炜陈建华褚恩义

基于RRAM的处理器架构及控制方法: 本发明公开了一种基于RRAM的处理器架构及控制方法，至少包括中央处理器(CPU)、随机存储器(RAM)、阻变存储器(RRAM)阵列模块以及纠错电路(ECC)，其中，CPU通过标准总线与RAM和纠错电路相连接，RAM作为数...; 骆建军胡振宇樊凌雁; 文献传递

引领求索与激励前行的典范--杰出导师邓先灿教授教书育人纪实: 2013年; 记述了国家科技进步一等奖获得者、国家级有突出贡献专家、杭州电子科技大学邓先灿教授在教书育人方面的事迹,总结了她在研究生培养方面的教育理念和成果。; 徐红骆建军罗志增樊菱雁; 关键词：国家科技进步一等奖研究生导师

数码闪存产品批量测录系统: 骆建军付建云樊凌雁陈龙秦会斌邓先灿徐建辉; 浙江省教育厅于2008年3月15日在杭州主持召开了由杭州电子科技大学和泰崴科技(杭州)有限公司共同完成的“数码闪存产品批量测录系统”项目鉴定会。鉴定委员会听取了项目研制工作总结报告、研究报告、查新报告、检验报告、用户使用...; 关键词：

基于金属-绝缘体相变材料的高钝感集成半导体桥芯片设计: 2024年; 为了提高半导体桥(SCB)火工品的安全性与可靠性,通过片上集成方式,在SCB两端并联金属-绝缘体相变材料VO_(2)对其进行分流防护。提出蛇形设计方法来降低VO_(2)薄膜在金属态的电阻值,使其与SCB阻值相匹配,测试了不同长宽比的VO_(2)薄膜及相应的集成芯片在室温(25℃)至100℃范围内的电阻曲线,并对集成芯片及单独SCB在1A1W5min和1.5A2.25W5min安流试验中的传热过程进行了仿真。结果表明:蛇形设计可以有效降低VO_(2)薄膜电阻,其阻值与蛇形长宽比(Ws/L)成反比;VO_(2)薄膜能够对SCB起到一定的分流防护作用;集成芯片尺寸对安流试验热传导过程的平衡温度有一定影响;能够通过1.5 A安流试验的最大VO_(2)阻值为5Ω,这是下一步的设计目标。; 程鹏涛李慧李慧骆建军骆懿骆懿任炜; 关键词：集成芯片

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