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文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇单质
  • 3篇溶剂
  • 3篇热电材料
  • 2篇溶剂热
  • 2篇热电转换
  • 2篇热电转换效率
  • 2篇纳米级
  • 2篇结晶度
  • 2篇晶形
  • 1篇低维
  • 1篇电性能
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔膜
  • 1篇形貌
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇压电陶瓷材料
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能

机构

  • 6篇清华大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 6篇韦国丹
  • 4篇南策文
  • 4篇邓元
  • 4篇刘静
  • 3篇周西松
  • 1篇蔡强
  • 1篇邬俊波
  • 1篇徐志成

传媒

  • 3篇第12届全国...

年份

  • 2篇2004
  • 4篇2002
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种纳米级金属碲化物的制备方法
一种纳米级金属碲化物的制备方法,该方法以铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐及单质Te为原料,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在碱和还原剂存在的条件下,于100℃-180℃反应合成纳米级热电材料M<Sub>x</Sub>Te<Sub>...
南策文邓元周西松韦国丹刘静
文献传递
有机溶剂热法合成半导体单质碲棒和管
半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构,在工业中的应用范围较为广泛.本工作在有机溶剂热合成技术基础上,以DMF为溶剂,以MCM-41为生长助剂,在碱性条件下合成了微米级的不同形状的碲棒和管.碲的冷却速度在碲...
韦国丹邓元蔡强刘静南策文
关键词:纳米管半导体材料
文献传递
不同形貌的SnTe纳米晶的低温合成
利用溶剂热反应,SnCl<,2>与Te在100℃~180℃反应生成不同形貌的纳米SnTe粉末.其中N,N-二甲基甲酰胺为溶剂.产物用X-射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)进行了表征.产物的形貌和大小与反应温度和时...
邓元韦国丹刘静周西松邬俊波南策文
关键词:溶剂热反应纳米棒热电材料
文献传递
B位改性钛酸铅陶瓷的介电和压电性能研究
制备了一系列以Ni<'4+>和Nb<'5+>B位取代Ti<'4+>的新型改性PT压电陶瓷材料.典型配方主要性能参数:ε<,33><'T>/ε<,0>=134,tan δ=0.0005,k<,t>/kp=31,τε=168...
韦国丹徐志成邓元南策文
关键词:温度系数压电陶瓷材料介电常数压电性能掺杂改性
文献传递
一种纳米级金属碲化物的制备方法
一种纳米级金属碲化物的制备方法,该方法以铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐及单质Te为原料,N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,在碱和还原剂存在的条件下,于100℃-180℃反应合成纳米级热电材料M<Sub>x</Sub>Te<Sub>...
南策文邓元周西松韦国丹刘静
文献传递
低维金属纳米材料的溶剂热合成和表征
韦国丹
关键词:溶剂热金属纳米线多孔膜纳米线阵列
共1页<1>
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