陈皓帆
- 作品数：9 被引量：20H指数：3
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- 相关领域：自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>
- 一种高频响薄膜热电极温度传感器
- 本实用新型公开一种高频响薄膜热电极温度传感器，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的SiO<Sub>2</Sub>薄膜阻...
- 杨丽红赵源深陈皓帆孙骞孙金祥周华徐敏关超
- 文献传递
- Cu/CuNi薄膜热电偶薄膜工艺优化与灵敏度研究
- 在复杂环境下,对瞬变温度进行准确、高效的测量一直是测温领域研究的重点和难点。薄膜热电偶将薄膜技术同传统的热电偶测温原理结合起来,不仅能够实现热电偶基本的测温功能,同时可以充分利用薄膜材料所具有的优良性质实现对瞬时温度的测...
- 陈皓帆
- 关键词：薄膜热电偶正交试验退火处理灵敏度
- 文献传递
- 退火处理对Cu、CuNi薄膜及其热电偶电性能的影响
- 2015年
- 采用磁控溅射法在单晶硅片基底上制备多个Cu薄膜和CuNi薄膜,对其进行退火处理,分析不同退火温度对薄膜电阻率的影响。结果显示,随着退火温度的升高,两种薄膜的电阻率逐渐减小,且Cu薄膜的电阻率变化较CuNi薄膜更为明显。在镀有SiO2绝缘膜的硅片基底上制备T型(Cu/CuNi)薄膜热电偶,并进行退火处理,对退火前后的热电偶进行静态标定。实验数据表明,T型薄膜热电偶经过退火处理后,灵敏度由退火前38.35μV/℃增大到44.10μV/℃。
- 张波杨丽红陈皓帆
- 关键词：薄膜热电偶磁控溅射退火处理电阻率
- 一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法
- 本发明公开一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的Si...
- 杨丽红赵源深陈皓帆孙骞孙金祥周华徐敏关超
- T型薄膜热电偶灵敏度与薄膜电阻率的关系被引量：3
- 2014年
- 在优化薄膜制备工艺的基础上,通过实验对Cu、CuNi薄膜的电阻率与T型薄膜热电偶(TFTC)灵敏度之间的关系进行了研究。首先,通过设计正交试验,以Cu、CuNi薄膜电阻率为考察指标,得到了影响电阻率的主次因素以及各工艺参数对薄膜电阻率的影响规律。然后根据实验结果确定工艺参数条件,制备出了薄膜电阻率不同的3个T型薄膜热电偶,并对其灵敏度进行了实验标定。标定结果表明:T型薄膜热电偶的薄膜电阻率越小,其灵敏度越大。
- 杨丽红陈皓帆王景良
- 关键词：灵敏度电阻率正交试验
- 一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法
- 本发明公开一种高频响薄膜热电极温度传感器及其制备方法，所述的高频响薄膜热电极温度传感器，包括单晶硅基底、两根温度补偿导线、采用磁控溅射法镀制而成的Cu薄膜热电极和CuNi薄膜热电极，另外还包括镀制于单晶硅基底表面上的Si...
- 杨丽红赵源深陈皓帆孙骞孙金祥周华徐敏关超
- 文献传递
- Cu/CuNi薄膜热电偶动态特性理论与实验研究被引量：5
- 2013年
- 具有快速响应特性的薄膜热电偶非常适用于测量瞬变温度,其动态特性理论分析一直都是研究的重点和难点。以流体为被测对象,提出了以对流换热为边界条件的薄膜热电偶一维非稳态传热模型,并依据此模型模拟Cu/CuNi薄膜热电偶阶跃温度响应,同时利用迅速投掷法对用磁控溅射法制备的热结点厚度为1μm的Cu/CuNi薄膜热电偶进行动态标定。模拟和实验结果都表明薄膜热电偶阶跃响应近似于一阶系统,可以用时间常数来反映动态特性,理论和实测的时间常数分别为4.28ms和7.89ms。从结果可以看出,理论值接近实验值,从而验证了该模型的合理性,为进一步提高薄膜热电偶的动态特性提供了理论基础。
- 杨丽红赵源深陈皓帆孙金祥
- 关键词：薄膜热电偶动态特性传热模型时间常数
- Cu/CuNi薄膜热电偶薄膜制备工艺优化研究被引量：5
- 2014年
- 为使磁控溅射方法制备出性能良好的Cu/CuNi薄膜热电偶,在确定Cu、CuNi薄膜临界尺寸的基础上,以基底温度、靶基距、溅射功率、工作气压为因素进行正交试验,研究制备工艺对薄膜电阻率的影响.实验结果表明:基底温度是影响薄膜电阻率大小的最主要因素,在一定范围内,温度越高,电阻率越小;确定了使Cu、CuNi薄膜电阻率最小的工艺条件.以薄膜电导理论为基础,结合薄膜微观结构和表面形貌,解释了薄膜电阻率随基底温度变化的原因.
- 杨丽红陈皓帆
- 关键词：薄膜热电偶磁控溅射正交试验电阻率
- 磁控溅射工艺参数对Cu薄膜电阻率的影响被引量：8
- 2013年
- 在确定Cu薄膜临界尺寸的基础上,选定基底温度、靶基距、溅射功率和工作气压为影响因素设计正交试验,研究了磁控溅射制备工艺对Cu薄膜电阻率的影响。研究结果表明:基底温度是影响薄膜电阻率的最主要因素,电阻率随着基底温度的升高而减小;在工艺条件为基底温度200℃、靶基距45 mm、溅射功率100 W、工作气压0.5 Pa时,所制薄膜的电阻率将会达到最小。最后,结合薄膜微观形貌对试验结论进行了分析,并对最佳工艺条件进行了实验验证。
- 陈皓帆杨丽红
- 关键词：磁控溅射电阻率正交试验基底温度
