您的位置： 专家智库 > >

陈坚

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇离子束
  • 2篇离子束混合
  • 2篇金属
  • 2篇硅
  • 1篇平衡相
  • 1篇平衡相图
  • 1篇温度
  • 1篇相变
  • 1篇相图
  • 1篇界面区
  • 1篇金薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇合金
  • 1篇合金薄膜
  • 1篇XE
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度

机构

  • 4篇北京大学
  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇陈坚
  • 4篇刘家瑞
  • 2篇李玉璞
  • 2篇高文玉
  • 1篇朱沛然
  • 1篇杨锋

传媒

  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1990
  • 3篇1989
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
离子束诱导的金属-硅界面的原子混合
1989年
一、引言离子束与固体的相互作用可分为以下几种过程:注入、辐照损伤、溅射和原子混合。离子束混合是指具有能量的离子注入到两种元素的界面区附近,诱导两种元素的相互交混。从七十年代末开始兴起以来,离子束混合的理论与实验研究日益受到重视。从应用的角度讲,它已成为制备过饱和固溶体。
李玉璞毛思宁陈坚刘家瑞
关键词：离子束混合衬底温度溅射法界面区合金薄膜平衡相图
300keV Xe^(2+)离子束诱导的金属/硅界面反应
1990年
采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe^(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
毛思宁杨熙宏陈坚刘家瑞高文玉朱沛然
关键词：离子束
温度对Ar^+诱导Au-Si界面原子混合的影响
1989年
本文在77至573K温区研究了Ar^+诱导的Au-Si<111>界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q_((S)_i)—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不同的;得到了具有确定组份比的Au_(48)Si_(51)(≈AuSi)均匀混合层;T>32℃时,深入到Si中的Au原子呈指数衰减的尾巴,为解释此指数尾巴,提出了填隙原子增强扩散机制及方程。
李玉璞陈坚刘家瑞章其初
关键词：温度
几种无限供应的金属/硅体系离子束混合相变
1989年
研究了五种无限供应的 Bilayer 膜金属/硅体系中(Ni/Si,Cu/Si,Nb/Si,Mo/Si,Ti/Si),因离子束注入引起的界面原子交混及相变过程。界面温度和注入离子剂量显著影响薄膜相变,在生成各种金属 Si 化物及固溶体时,反应温度和生长激活能大大降低,相变动力学过程与热退火反应不尽相同,诱导离子和基体取向对成相生长也有影响。讨论了相应微观机理。
毛思宁杨熙宏陈坚刘家瑞高文玉杨锋
关键词：离子束混合相变金属硅
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0