陈卫东 作品数:15 被引量:25 H指数:3 供职机构: 四川师范大学物理与电子工程学院 更多>> 发文基金: 四川省教育厅重点项目 国家自然科学基金 教育部科学技术研究重点项目 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 机械工程 金属学及工艺 更多>>
SiN_x和SiN_x/SiO_x薄膜的荧光和红外吸收光谱研究 2007年 采用射频磁控溅射法在Si(100)和含有SiOx缓冲层的Si(100)上制备SiNx薄膜。直接生长在Si(100)的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650℃以上的高温热处理后有非常强的光致发光,当退火温度为800oC时发光强度达到最高。傅立叶红外吸收研究表明,直接生长在Si(100)的SiNx薄膜在退火后氧化程度略有增加;而SiNx/SiOx薄膜在高温热处理后氧化程度明显升高,但过高温度的退火会导致Si-N键显著减少。分析认为SiNx/SiOx薄膜的发光与Si-N键和Si-O键密切相关。 纪红萱 陈卫东 徐明关键词:SINX SIOX 红外吸收 Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光 被引量:3 2008年 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 陈青云 段满益 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明关键词:红外吸收 光致发光 真空退火对热蒸发纳米Cu薄膜性能的影响 2018年 退火是提高薄膜材料耐温性及导电性的重要手段。采用热蒸发法在载玻片上沉积厚约132 nm的Cu薄膜,再分别在100,200,300,400,500℃对薄膜进行退火处理,得到不同温度退火的纳米Cu薄膜;用原子力显微镜、四探针电阻测试仪和X射线衍射仪研究了退火温度对纳米Cu薄膜表面形貌、导电性能和晶体结构的影响。结果表明:当退火温度在500℃以下时,纳米Cu薄膜表面粗糙度和颗粒直径随着温度升高而增大,当温度到达500℃时突然减小; Cu薄膜的方块电阻随退火温度的升高呈降低趋势,薄膜的变异系数则出现先减小后增大的现象,当温度为300℃时变异系数最小;随着退火温度的升高,Cu薄膜的Cu(111)和Cu(200)晶面衍射峰越来越明显。 张明朝 汪林文 李玲 陈艳 张祥 蔡金阳 陈卫东关键词:热蒸发法 导电性能 表面形貌 六角星形Ag纳米结构的光学及传感特性 2016年 本文用时域有限差分法研究了六角星形Ag纳米结构的消光光谱及其传感特性。计算结果表明,随着顶角角度从20°逐渐增大到140°,六角星形Ag纳米结构消光光谱峰值波长出现蓝移现象,并且强度逐渐减弱。折射率灵敏度受顶角角度影响变化很大,但角度变化对消光光谱的半高全宽的影响较小,品质因数主要受折射率灵敏度的影响在30°时最大。对于实验中顶角钝化的情况,本文分析发现,顶角钝化程度对其消光光谱也有一定影响,品质因数会随着顶角钝化的增加而减小,传感特性减弱。 陈艳 郑杰 李玲 汪林文 张明朝 谢征微 陈卫东 陈卫东关键词:消光光谱 品质因数 NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻 被引量:1 2005年 在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属,FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上,提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结.基于自由电子近似并利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不同偏压下的隧穿磁电阻TMR与FI层厚度及NI层厚度的关系做了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值. 朱林 陈卫东 谢征微关键词:隧穿磁电阻 双Bowtie纳米光刻结构的聚焦特性研究 2017年 Bowtie孔径结构已被广泛用于纳米直写光刻领域来获得超衍射聚焦光斑。然而,利用该结构获得的超衍射聚焦光斑呈椭圆形,影响了Bowtie结构的进一步应用。为了获得超衍射且圆形对称的聚焦光斑,本文提出了双Bowtie新型纳米光刻结构并利用Comsol软件仿真模拟了该结构的焦斑对称特性和电场增强特性。结果表明利用双Bowtie结构获得了圆形对称焦斑,并且出射面的电场强度得到了增强,是入射面电场强度的22倍。本文进一步将双Bowtie结构与金属/介质/金属结构相结合,使得局域增强后的透射光的传输距离(工作距)得到了显著延长。 郑杰 刘贤超 黄跃容 刘昀玥 陈卫东 李玲NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻 被引量:4 2006年 在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(此处NM为非磁金属层,FI为铁磁绝缘体或半导体层)的基础上,我们提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结(此处NI表示非磁绝缘体或半导体层).插入NI层的目的是为了避免原双自旋过滤隧道结中相邻FI层界面处磁的耦合作用所导致的对隧穿磁电阻的不利影响.在自由电子近似的基础上,利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导、隧穿磁电阻与FI层及NI层厚度的变化关系以及随偏压的变化关系进行了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值. 朱林 陈卫东 谢征微 李伯臧关键词:隧穿磁电阻 Cr光栅掩模对金属平板超透镜成像质量的影响 2015年 利用有限元法并结合射频磁控溅射法制备不同厚度Cr膜的透光率的研究,模拟了金属平板超透镜近场成像特性.研究了作为"物"的Cr光栅掩模厚度、占空比对超透镜成像质量的影响.研究结果表明:成像系统的对比度随光栅掩模厚度的增加而增大,当厚度大于50 nm,达到一个稳定值;在相同掩模厚度下,成像系统的像平面随着光栅线宽W的增加而变远;在相同厚度变化范围内,W越大,对比度的变化范围(△C)和像平面位置的变化范围(△y)也都越大,但前者变化更大.研究表明:Cr光栅掩模的厚度、占空比对成像质量有明显的影响. 王诗琴 宫云志 吕厚祥 刘贤超 郑杰 张涛 谢征微 陈卫东 李玲关键词:成像质量 多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制 被引量:1 1995年 以横向光伏效应为工作模式,采用氢化非晶硅(a-Si:H)的快速退火固相晶化工艺,我们成功地研制了一维MIS结构的多晶硅(poly-Si)光位敏探测器(PSDs).测试结果表明:该器件光响应峰位在660nm附近,峰位处光谱灵敏度为1×10-3μA/μW,在20mW/cm2光功率密度下,对780nm的近红外光其平均位敏度约0.28mV/nm,与未经退火的α-Si:H器件相比,光响应最大光位敏度为0.46mV/nm,峰位红移60nm,光谱灵敏度提高了1-2个数量级。 董会宁 颜其礼 陈卫东 潘飞躁 李鹏关键词:多晶硅 半导体 退火 光晶格中偶极BEC的调制不稳定性 2006年 在GP方程和离散Schr d inger方程的基础上,对光晶格中偶极玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)的调制不稳定性进行了研究,得到了光晶格偶极BEC原子系统的激发谱和调制不稳定性区域与在位相互作用以及偶极-偶极相互作用之间的关系.结果显示,偶极-偶极相互作用对光晶格中偶极BEC的非线性激发和稳定性有很大的影响,为实际应用中如何操控偶极BEC提供有用的信息. 陈海峰 陈卫东 谢征微 朱林关键词:光晶格 BEC 调制不稳定性 偶极-偶极相互作用