阮勇
- 作品数：118 被引量：76H指数：5
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程电气工程更多>>
- 无线MEMS传感系统在燃气轮机等恶劣环境下的应用被引量：3
- 2014年
- 燃气轮机是应用于航空、能源、海陆交通等诸多领域的重大核心装备之一。对燃气轮机工作过程中各项环境参数(如温度、压力等)的实时监测,可进一步完善和优化燃气轮机结构、提高效率、减少排放和降低维护费用。新近发展起来的基于微机电系统(MEMS)技术的传感系统在高温、高压等恶劣环境下具有无可比拟的应用优势,特别是在恶劣工作条件下以燃气轮机为代表的大型机电设备的各项环境参数监测中,应用潜力巨大。本文对燃气轮机等恶劣环境下的传感技术、无线信号传输技术及SiC无线MEMS传感系统实现方案进行了综合介绍、评述和讨论,并对无线MEMS传感系统在燃气轮机等恶劣环境下的应用进行了展望。
- 尤政王伟忠陈硕阮勇
- 关键词：燃气轮机实时监测恶劣环境
- 氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法以及复合结构
- 本申请提供一种氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法以及复合结构。通过所述氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法，在制备所述碳化硅结构和所述氮化铝结构时，对AlN(氮化铝薄膜层)采用Cl基刻蚀气体，使得AlN侧向腐蚀较小，有效维持A...
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- 热电偶测试装置、温度检测方法、处理设备和存储介质
- 本申请涉及一种热电偶测试装置、温度检测方法、处理设备和存储介质。所述热电偶测试装置包括热电偶、采集模块和处理模块，将热电偶的热端设置于待测的目标管道内，采集模块获取热电偶产生的第一电压和热电偶的冷端温度值，向处理模块传输...
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- ITO薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法，包括如下步骤：将基底置于腔室，并设置靶材与基底之间的距离为56mm～65mm；对所述腔室进行抽真空处理以及加热处理，使所述基底的温度为285℃～328℃；向所述腔室通入氩气，并调节所述...
- 阮勇尤政张晓琳
- 文献传递
- 硅基叉指式电容加速度计标准化工艺制造
- 叉指式电容加速度计是一种实用化的MEMS惯性器件,其快速发展更是受到近几年来实际需求的牵动。在MEMS加速度和陀螺等惯性器件的研制过程中,其加工方法以硅基为例主要分为体硅（Bulk Silicon）和表面硅（Surfac...
- 阮勇张大成
- 关键词：MEMSICP
- 文献传递
- 微米尺度结构最大抗扭强度的在线测试和研究被引量：2
- 2006年
- 提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试.实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微米量级时的最大剪切力,键合面为常用的矩形其边长从6μm到120μm,并根据实际移动距离计算得出的最大剪切力.并实验实际得出最大剪切扭矩和相应的键合面积的曲线,以及最大扭转剪切破坏应力与悬臂梁加载距离的关系,并针对60μm×60μm的矩形键合结构进行了加载和位移的重复性实验测量,两次测量结果符合较好.微电子机械系统(microelectromechanical system,MEMS)器件的设计人员可以根据结论曲线,针对所需的抗扭强度设计相应的键合面积,为MEMS器件工艺的在线定量测试与设计提供参考.
- 阮勇郇勇张大成张泰华王阳元
- 关键词：阳极键合硅深刻蚀键合强度
- 微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统及其控制方法
- 本发明提出一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统及其控制方法，包括：激励信号源；基座；三轴微动平台，与基座固定相连，用于对微机电系统MEMS磁通门磁强计的位置进行调整；芯片固定装置，用于固定微机电系统MEMS磁通门磁...
- 杨建中刘幂尤政李滨阮勇
- 文献传递
- 一种三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法
- 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于PZT薄膜Pb<Sub>0.5</Sub>(Zr<Sub>0.4</Sub>Ti<Sub>0.6</Sub>)<Sub>0.5</Sub>...
- 阮勇任天令谢丹刘理天杨景铭
- 文献传递
- 圆片级封装中的二次硅-玻璃键合工艺研究
- 2024年
- 针对MEMS谐振器真空封装更高的要求,将盖帽硅片、器件硅片(Si)和玻璃衬底通过二次Si—玻璃(D-SOG)阳极键合工艺,实现了MEMS谐振器加工的同时,完成MEMS谐振器的6in圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数,第二次键合温度由第一次键合温度350℃调整到380℃,键合压力分别为800N(第二次键合)和600N(第一次键合);优化第二次键合封装密封环的键合面积宽度为700μm;达到良好的MEMS谐振器封装效果,器件的泄漏速率为3.85×10^(-9) Pa·m^(3)/s。该研究可以有效降低加工成本和工艺难度、提高器件可靠性,满足了MEMS器件对封装密封性的要求,后续可广泛应用到基于D-SOG的MEMS谐振器封装工艺中,具有良好的应用前景。
- 郑雅欣阮勇祝连庆宋志强吴紫珏
- 关键词：微机电系统
- 深硅刻蚀方法
- 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：提供覆盖有图形化的掩膜层的硅片，首先刻蚀未被所述掩膜层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，还包括循环重复的钝化步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，直至达到预定的刻蚀...
- 阮勇尤政崔志超
- 文献传递
