- 多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析被引量：3
- 1993年
- 对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源。
- 郑祥钦杨海强阎锋鲍希茂
- 关键词：多孔硅光致发光量子限制效应硅
- 硅／多孔硅异质结光生电压谱研究被引量：2
- 1994年
- 首次报道硅／多孔硅异质结光生电压谱，发现多孔硅的激发能有不连续性，表明多孔硅量子点由一层层硅原子有序排列而构成，其尺寸分布是不连续的，其差值为硅晶格常数的整数倍，光生电压谱是研究多孔硅和硅／多孔硅异质结能带结构的有效方法．
- 阎锋鲍希茂
- 关键词：硅多孔硅异质结
- 离子辐照对多孔硅性质的影响
- 1994年
- 本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响．离子辐照引入多孔硅成孔中心，影响多孔硅的形成．随辐照剂量增加，ＰＬ谱峰波长红移，强度下降，半高宽变窄，使制备多孔硅发光图形成为可能．
- 杨海强阎锋官浩鲍希茂
- 关键词：多孔硅离子辐照离子注入
- 多孔硅荧光皮秒衰减测量与发光机理分析被引量：2
- 1993年
- 荧光光谱、荧光皮秒衰减和红外光谱测量表明,自然氧化多孔硅中有两种不同的发光机理并存,一种是由量子限制效应所决定的,另一种是由氧化引入的发光机理。
- 章肖融鲍希茂阎锋干昌明蔡志岗黄旭光周世英
- 关键词：多孔硅发光荧光
- 自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响被引量：2
- 1993年
- 多孔硅在空气中自然氧化形成Si—O—Si键,引起晶格畸变,导致有序度下降,氧化层用HF去除,有序度可恢复。大束流电子束辐照直接引起晶粒无序化,其有序度不能在HF浸泡中恢复。
- 官浩阎锋鲍希茂杨海强吴晓薇洪建明
- 关键词：多孔硅微结构电子束辐照
- 光敏复合介质栅MOSFET探测器
- 光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控...
- 阎锋张荣施毅
- 文献传递
- 嵌于多孔硅的C_（60）的光致发光被引量：2
- 1995年
- 在室温下观察到嵌于多孔硅中的Ｃ６０分子有强可见光发射．除观察到了多晶状态的Ｃ６０分子峰位在７３０ｎｍ的特征谱外，还检测到了与多孔硅毗连或偶联的Ｃ６０分子的发射光谱，其主峰分别出现在６２０ｎｍ和６３０ｎｍ．嵌于多孔硅的Ｃ６０的发光强度增强可用激发载流子由多孔硅向Ｃ６０分子的转移效应解释．
- 阎锋鲍希茂吴晓薇陈慧兰
- 关键词：多孔硅碳60光致发光半导体材料
- 离子辐照与发光多孔硅
- 1995年
- 报道了离子辐照损伤对多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅。注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红移,半高宽减小,如果样品被非晶化将不发光,因此,为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据,制成的图形分辨率达2μm。
- 鲍希茂杨海强阎锋
- 关键词：多孔硅光荧光离子注入光电子技术
- 光敏复合介质栅MOSFET探测器
- 光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控...
- 阎锋张荣施毅
- 自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题被引量：3
- 1994年
- 多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态，改变了表面态的分布，从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。
- 吴晓薇鲍希茂郑祥钦阎锋
- 关键词：多孔硅光致发光光谱移动
