董武军
- 作品数：4 被引量：16H指数：3
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划辽宁省教育厅高校重点实验室项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氧分压对Mg掺杂ZnO薄膜结晶质量和光学特性的影响被引量：5
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积技术,通过改变沉积过程中的氧气压力,在蓝宝石(0001)基片上制备了一系列ZnMgO合金.通过X射线衍射、反射和透射光谱以及室温和变温荧光光谱,对薄膜的结构和光学性能进行了系统地表征,分析了工作气压对ZnMgO合金薄膜的结晶质量及光学特性的影响.研究结果表明:随着沉积环境中氧气压力的增大,ZnMgO薄膜的结晶质量下降,富氧环境下,与蓝宝石晶格平行的ZnO晶粒的出现是导致薄膜结晶质量下降的主要原因;相对于本征ZnO,不同氧气环境下沉积的ZnMgO薄膜的紫外荧光峰均出现了不同程度的蓝移.随着工作气压的增大,ZnMgO薄膜的紫外荧光峰峰位从3.374eV逐渐红移到3.332eV,氧气压力增加导致的ZnMgO薄膜中Mg含量的减少是紫外荧光峰红移主要原因;与ZnO薄膜相比,ZnMgO薄膜的紫外PL光谱存在着明显的宽化现象,而且主要由两个荧光峰构成,分别对应为束缚激子复合过程和局域激子复合过程;ZnMgO薄膜中束缚激子的激活能较大,并随薄膜沉积环境中氧气压力的增加有逐渐增大的趋势.
- 鲍善永董武军徐兴栾田宝李杰张庆瑜
- 关键词：ZNO脉冲激光沉积薄膜生长光学特性
- TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响被引量：5
- 2010年
- 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。
- 陈伟绩秦福文吴爱民刘胜芳杨智慧姜辛李帅董武军
- 关键词：GAN化学气相沉积玻璃衬底
- 沉积温度对N掺杂Cu_2O薄膜生长及光学特性的影响被引量：5
- 2011年
- 利用反应射频磁控溅射技术,首次利用氧化铜作为溅射靶,在氮气和氩气的混合气氛下,制备出N掺杂的Cu2O薄膜。通过改变沉积温度,研究了氮掺杂Cu2O薄膜的结构特征和生长模式以及光学特性。研究结果表明低温沉积时,薄膜表现为比较强的(100)织构;随着沉积温度增加到500℃,薄膜逐渐转变为(111)织构,沉积温度增加导致的临界成核自由能的增加是决定薄膜织构特征的重要因素;原子力显微镜分析发现不同沉积温度的薄膜表面形貌的空间标度指数α>1,属于表面扩散支配的薄膜生长机制;薄膜表面形貌的空间标度指数和关联长度随沉积温度的变化与薄膜织构度之间存在明显的关联;不同温度沉积的氮掺杂Cu2O薄膜的禁带宽度为(2.52±0.03)eV。
- 李洪婧马春雨李帅董武军张庆瑜
- 关键词：CU2O氮掺杂光学特性
- ZnO薄膜和P掺杂ZnO薄膜的制备与表征
- ZnO具有纤锌矿晶体结构,属于直接宽带半导体,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV。作为新一代半导体材料,氧化锌具有广泛的应用,如：ZnO薄膜可以制成短波长光电子器件,透明导电膜,表面声波器件,纳米发电机等。...
- 董武军
- 关键词：ZNO脉冲激光沉积表面形貌光学特性
- 文献传递
