公共文化服务平台

分子对飞秒激光场响应的含时密度泛函理论研究被引量：3: 2016年; 采用含时密度泛函理论方法研究线性分子碳化锂(Li2C2)对飞秒激光场响应的电子-离子动力学行为.在典型的近共振和非共振的激光频率作用下,分别对比分析了分子的共振和非共振电离过程.研究发现:分子在共振频率激光场的作用下发生更强的电离过程,并倾向于发生库伦爆炸,键长的振荡断裂与电离相互促进影响,而分子在较弱的激光场作用下发生单光子电离过程;随着双脉冲时间间隔的增加,离化电子数在一定范围内呈振荡上升趋势,随后趋于常数.; 张小琴王锋洪许海苏文勇苟秉聪陈慧敏; 关键词：含时密度泛函理论电离

双势阱体系中的量子混沌问题: 该论文首先利用福克-普朗克方程计算了双阱势中单粒子在振荡力驱动下运动系统的相空间维格纳函数.维格纳函数随时间的演化表明量子态与经典态混沌轨道及周期轨道之间有明显对应关系.若选取适当的参数,可以观察到量子波包的局域现象及退...; 苏文勇; 关键词：量子混沌维格纳函数隧道效应隧道效应; 文献传递

类锂O^(+5)离子共振态的多通道复数转动计算: 1999年; 目的研究类锂Ｏ＋５的三激发态能级结构、电子间的关联效应以及自离化宽度．方法用马鞍点复数转动方法计算Ｏ＋５的波函数和马鞍点能量，采用多通道耦合和分通道求和两种方法计算俄歇宽度和位移．结果得到了Ｏ＋５的２ｓ２ｓ２ｐ２Ｐｏ三激发共振态的波函数、马鞍点能量、俄歇宽度和位移．结论用马鞍点复数转动方法处理空内壳层的洞原子三激发态系统是很有效的，对于空内壳层系统３电子关联效应更加复杂。; 刘兆龙苟秉聪苏文勇张茹; 关键词：类锂能级结构

样品位置和光腰半径变化对折射型光限幅器性能的影响被引量：1: 2004年; 本文以衍射理论为基础,通过数值计算,研究了以自聚焦和自散焦为基础的非线性折射型光限幅器的光限幅特性,探讨了样品盒的安装位置和入射光束腰斑半径的变化对折射型光限幅器工作性能的影响。结果表明:折射型光限幅器的光限幅特性曲线随激光输入功率的增加是衰减振荡的。光束聚焦差时,样品盒宜靠近焦面安装;光束聚焦好时,样品盒可稍远离焦面安装。对于自聚焦(自散焦)型非线性光限幅器,当样品盒安装在焦点左面(右边)半个瑞利范围内某位置时,透过率最小,限幅器可获得最佳限幅效果。; 邓罗根李英兰苏文勇周铁中; 关键词：非线性光学光限幅自聚焦自散焦

Dynamic Behavior of Voltage Across Small Capacitance Josephson Junction: 1999年; Aim To study the dynamic behavior of voltage across small capacitance Josephson junction. Methods A model of the mesoscopic Josephson junction coupled with a single mode quantized radiation field was used. Results A Gaussian type envelope factor exhibiting quantum collapse and revival(CR) phenomenon was obtained. Conclusion It is shown that for the squeezed state the time evolution of the voltage can exhibit drastically quantum CR phenomenon.; 邵彬邹健苏文勇李前树

TiB_2等C_(32)型化合物价电子结构分析被引量：7: 2000年; 根据余瑞璜提出的“固体分子的经验电子理论”,在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结合能及熔点理论基础上 ,研究 Ti B2 等高性能材料电子结构 .发现 IVB,VB族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高 ,原因是组成元素的杂阶升高 ,单键半距随杂阶升高而逐渐下降 .其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系 ,表明用经验电子理论进行电子结构分析可为材料设计提供有力的理论指导 .; 苏文勇张瑞林; 关键词：熔点二硼化钛价电子结构化合物

不同电极构型的砷烯和砷化锑扩展分子的电子输运性质: 2020年; 通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质。结果表明,在两种Au-As-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通,并在0.5 V时达到较宽的3.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在0.4 V之前几乎没有电流,之后缓慢增加并在1.5 V达到与类型Ⅰ相同的饱和电流。这说明不同的电极接触方式改变了砷烯扩展分子的分子轨道性质,但是并未改变它们的最大电流导通能力。在两种Au-AsSb-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通并在0.5 V时达到较宽的1.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在1.0 V之前电流增加缓慢,之后迅速增加并在1.25 V达到1.0 nA饱和电流。对比发现,类型Ⅰ扩展分子容易导通且具有较宽的电流平台值;类型Ⅱ扩展分子不易导通,之后会达到一个较窄的电流平台值,这使砷类分子器件具备了更丰富的电子输运性质,从而在电路中满足稳恒输出、阈值开关、线性响应的不同要求。; 杨亚杰苏文勇衡成林王锋; 关键词：电子输运饱和电流

行业型高校思想政治工作实践与探索--以北京理工大学为例被引量：1: 2022年; 当前,我国开启了全面建设社会主义现代化国家新征程,中国正朝着第二个百年奋斗目标奋勇前进。在此进程中,高校作为培养综合性人才的主要阵地,应该牢牢把握培养人才的主导权,将培养社会主义接班人和建设者的任务与发展中国特色社会主义、实现中华民族伟大复兴目标紧密结合。新时代行业型高校立德树人的职责被赋予新的使命,既应该面向行业,也需要面向新时代。以中国共产党创办的第一所理工科院校——北京理工大学在思想政治工作方面的实践为参考,浅析行业型高校思想政治工作的着力点和创新性。; 周格羽苏文勇温敏李军刚; 关键词：思想政治工作

SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析被引量：5: 2005年; 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.; 苏文勇李蕊邵彬; 关键词：SIGE异质结双极晶体管基区渡越时间

单层黑磷和蓝磷扩展分子结的电子输运特性: 2018年; 本工作应用非平衡格林函数理论和密度泛函理论研究了二维材料单层黑磷扩展分子结和蓝磷扩展分子结的电子输运特性,以及在应力作用下能隙和伏安特性的变化特点。结果发现,两种扩展分子结在发生应变(拉伸和压缩)过程中,随着应变(拉伸和压缩)的增加,HOMO能量和LUMO能量逐步靠近,导致能隙逐渐降低,分别减小了0.67eV和1.33eV。能隙降低,同时导通轨道间隔和导通轨道迁移率也降低,导致伏安特性曲线中量子化台阶逐渐消失,出现了类似金属的I-V曲线特点。此外,单层黑磷扩展分子结在0.75~2.00V范围内产生稳定电流,有望应用于电路中的稳流装置。; 孙豆豆苏文勇; 关键词：电子输运能隙

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

苏文勇