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罗林宝

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇异质结
  • 4篇探测器
  • 4篇纳米
  • 4篇开关比
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇SI异质结
  • 3篇欧姆接触
  • 2篇气-液-固生...
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米线
  • 2篇结构层
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇化学气相沉积...
  • 2篇P型

机构

  • 6篇合肥工业大学

作者

  • 6篇卢敏
  • 6篇王莉
  • 6篇胡继刚
  • 6篇罗林宝
  • 4篇吴春艳
  • 2篇王祥安
  • 2篇赵兴志
  • 2篇朱志峰
  • 2篇李强
  • 2篇揭建胜
  • 2篇张彦

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH<Sub>3</Sub>、PH<Sub>3</Sub>中的一种或几种...
王莉赵兴志王祥安卢敏罗林宝揭建胜李强朱志峰张彦胡继刚
一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH<Sub>3</Sub>、PH<Sub>3</Sub>中的一种或几种...
王莉赵兴志王祥安卢敏罗林宝揭建胜李强朱志峰张彦胡继刚
文献传递
基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法，其特征是首先通过热蒸发的方法在三温区管式炉中合成制备p-型ZnSe纳米线，对n-型重掺杂Si片进行预处理，再用镊子将制备所得的p-型ZnS...
王莉卢敏罗林宝吴春艳胡继刚
文献传递
基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器，其特征是光电探测器的结构层自下而上依次为：n-型掺杂Si片、感光层和石墨烯电极，感光层为p-型ZnSe纳米线，感光层与石墨烯电极之间为欧姆接触，在感...
王莉卢敏罗林宝吴春艳胡继刚
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基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法，其特征是首先通过热蒸发的方法在三温区管式炉中合成制备p-型ZnSe纳米线，对n-型重掺杂Si片进行预处理，再用镊子将制备所得的p-型ZnS...
王莉卢敏罗林宝吴春艳胡继刚
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基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器，其特征是光电探测器的结构层自下而上依次为：n-型掺杂Si片、感光层和石墨烯电极，感光层为p-型ZnSe纳米线，感光层与石墨烯电极之间为欧姆接触，在感...
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