王颖华
- 作品数：13 被引量：15H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 渠道火花烧蚀法制备p型透明氧化物半导体薄膜
- 渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation,CSA)是利用脉冲电子束轰击烧蚀靶材以制备薄膜的方法。它与熟知的脉冲激光束沉积法(Pulsed Laser Deposition,PLD)类似,所不同的是CS...
- 李喜峰王颖华李桂锋张群黄丽章壮健
- 文献传递
- 一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法
- 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu <Sub>1-x</Sub>Ni <Sub>x</Sub>O)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气...
- 张群施展杨铭王颖华
- 文献传递
- p型透明导电薄膜及其二极管的研究
- 本文采用固态反应法成功制备了SrCu2O2、CuAlO2和CuFeO2的陶瓷靶材,并首次使用渠道火花烧蚀方法(Channel Spark Ablation,CSA)制备相应的SrCu2O2、CuAlO2和CuFeO2薄膜...
- 王颖华
- 关键词：薄膜二极管导电薄膜
- 文献传递
- 一种p型透明导电硫化物薄膜的制备方法
- 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS<Sub>2</Sub>:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝...
- 王颖华张群李桂锋
- 文献传递
- 一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法
- 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu<Sub>1-x</Sub>Ni<Sub>x</Sub>O)陶瓷靶，在基板温度为室温的条...
- 张群施展杨铭王颖华
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- 高迁移率IWO透明导电氧化物薄膜制备及其退火处理研究被引量：11
- 2008年
- 采用直流磁控溅射法在清洁玻璃基片上制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜。研究了氧分压及其退火处理对IWO薄膜光电性能的影响。实验发现薄膜的光电性能对氧分压非常敏感,退火郸理有助于改善IWO薄膜的电阻率。获得了最小电阻率为2.2×10-4Ω.cm,载流子迁移率为63.5 cm2/V.s,可见光范围平均透射率(含基片)为83.2%的IWO薄膜样品。
- 李桂锋张群王颖华李喜峰
- 关键词：退火处理磁控溅射
- P型掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的制备和性能研究被引量：2
- 2008年
- 采用渠道火花烧蚀技术,在普通玻璃基板上制备掺锌硫化铜铝CuAl0.90Zn0.10S2透明导电薄膜。运用X射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的晶体结构和表面形貌。研究不同的制备条件对薄膜光电性能的影响。结果显示,薄膜表面平整致密,均为p型导电。氩气压强和基板温度对薄膜的电阻率和载流子浓度具有显著影响,例如,随着氩气压强增加,电阻率会先降低再上升,而载流子浓度则先增加再降低。在优化的制备条件下,薄膜的电阻率最小值为0.2Ω.cm,载流子浓度为6.67×1018cm-3,载流子迁移率最大为1.06 cm2V-1S-1。在基板温度Ts=500℃时,获得了室温下最高电导率为50.9 S.cm-1的薄膜。薄膜可见光区域的平均透射率大于60%。
- 王颖华张群李桂锋施展谭华
- 关键词：透明导电薄膜P型半导体
- 一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法
- 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu<Sub>1－x</Sub>Ni<Sub>x</Sub>O)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为...
- 张群施展杨铭王颖华
- 文献传递
- 室温制备P型透明导电CuO:Ni薄膜的研究被引量：2
- 2009年
- 在自主研发的一系列p型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电薄膜。Seebeck系数测试表明所有薄膜均为p型导电。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分别研究了薄膜的晶格结构和表面形貌,证实了所制备薄膜均为非晶结构。研究了氧气压强、脉冲电压和脉冲电流等成膜条件对薄膜电学性能和光学性能的影响。在氧气压强为3.0Pa,脉冲电压为-18kV,脉冲电流为4.5mA条件下,获得了电导率最大值7.1S·cm-1,可见光区域的平均透射率为65%,光学禁带宽度为4.3eV的光电性能相对优良的p型透明导电薄膜。
- 施展杨铭李桂锋王颖华张群
- 关键词：透明导电氧化物P型半导体
- P型掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的制备和性能研究
- 迄今为止,实际应用的透明导电薄膜均为 n 型半导体薄膜,且都作为无源器件的单一电学涂层或光学涂层使用。相应的 p 型材料的研究进展缓慢,这就制约了透明 pn 结,透明 TFT 等全透明有源器件的实现。早期 p 型透明导电...
- 王颖华张群李桂锋
- 文献传递
