王晓华
- 作品数：247 被引量：215H指数：7
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
- 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法属于半导体材料技术领域。由于蓝宝石具有绝缘性，所以以其为衬底生长氮化镓不能符合器件制作的要求，以碳化硅为衬底生长氮化镓成本又很高。以硅为衬底采用现有方法生长氮化镓其位错密度又很高，同样不能满...
- 张宝顺王晓华
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- 一种光学薄膜和光电器件表面激光损伤阈值测量装置
- 本发明提供了一种光学薄膜和光电器件表面激光损伤阈值测量装置，其包括激光电源(1)、激光器(2)、光束整形器(3)、偏振能量调节器(4)、聚焦透镜(5)、分光镜(6)、成像光学系统(7)、图像传感器(8)、光电探测器(9)...
- 王菲李玉瑶王晓华魏志鹏方铉张国玉付秀华车英
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- 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
- 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝...
- 郝永芹马建立钟景昌赵英杰王晓华乔忠良
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- 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法
- AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之...
- 李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邹永刚邓昀王勇王晓华赵英杰
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- 一种低应力散热层半导体衬底及其制备方法和应用
- 本发明涉及新型衬底材料技术领域，提供了一种低应力散热层半导体衬底及其制备方法和应用。本发明提供的低应力散热层半导体衬底由上至下依次为半导体衬底层、类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层。本发明在半导体衬底层和金刚石薄膜层中间添加类...
- 魏志鹏郭德双唐吉龙王华涛徐英添范杰郝永芹王新伟林逢源王晓华马晓辉
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- 基于胶体量子点和硅的SAM-APD材料及其制备方法和SAM-APD
- 本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的...
- 方铉王登魁郝誉房丹牛守柱楚学影翟英娇李金华王晓华
- 一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法
- 大尺寸量子点属于半导体光电子材料技术领域。该领域已知技术所探索的各种制备低维量子材料的方法中，不足之处是难于控制量子点的空间尺寸、形状和组分分布，使得它难于方便地引入器件中发挥效应。尤其是结构中难以控制的各向异性(形状、...
- 李占国刘国军李林李梅尤明慧乔忠良王勇邓昀王晓华赵英杰李联合
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- 利用原子淀积Al_2O_3对InP光学稳定性的研究被引量：1
- 2013年
- 提出一种钝化InP表面的新方法———湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度,并使其表面暴露在空气中一段时间后仍具有较好的稳定性。实验利用光致发光(PL)谱,对样品的发光性质进行测试。通过对样品进行XPS测试表明,通过对样品进行退火处理,可增强In-S键结合强度,进一步降低表面态密度。最后,利用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行表征。
- 房丹唐吉龙魏志鹏赵海峰方铉田珊珊楚学影王晓华
- 关键词：INP硫化光致发光谱AL2O3
- 表面修饰的ZnS：Mn量子点的发光性质及其对生物分子的检测被引量：7
- 2013年
- 采用水热法制备了ZnS:Mn量子点,探讨了掺杂离子浓度对ZnS:Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明:掺杂离子的摩尔分数达到2%时,ZnS:Mn量子点在595 nm附近的发光最强;继续增加掺杂浓度反而出现荧光猝灭的现象。本文还研究了表面修饰对量子点形貌和发光性质的影响。通过透射电子显微镜(TEM)观察样品的形貌,发现经过3-巯基丙酸(MPA)修饰后的样品表面团聚现象得到改善,并且尺寸单一、单分散性较好,平均粒径约为5 nm。经过修饰后的样品减少了表面非辐射性缺陷中心,使掺杂Mn2+所引起的595 nm附近的发射峰强度增大。将MPA修饰后的ZnS:Mn量子点与牛血清白蛋白(BSA)分子进行生物偶联,并利用BCA法对偶联上的蛋白含量进行定量检测,结果显示经过修饰后的量子点偶联蛋白的能力更强。
- 杜鸿延魏志鹏李霜楚学影方铉方芳李金华陈新影王晓华
- 关键词：ZNSMN表面修饰发光
- 改进型1.06μm Nd:YAG激光器泵源被引量：1
- 1998年
- 本文报道了用改进的液相外延技术制作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ分别限制单量子阱激光器，将其端面分别蒸镀增透膜和高反膜后，激光器输出功率提高近１倍。用此ＬＤ端面泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，当泵浦源输出２．７Ｗ时。
- 王晓华史全林高欣任大翠
- 关键词：半导体激光器钕:YAG激光器
