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王昊

作品数:10 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 6篇硅基
  • 4篇晶面
  • 4篇晶体管
  • 3篇衬底
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻测试
  • 2篇电阻测试方法
  • 2篇选区
  • 2篇桥接
  • 2篇金属栅
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道电阻
  • 2篇饱和电流
  • 2篇III-V族
  • 2篇差值法
  • 2篇串联电阻
  • 1篇电阻值

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇杨富华
  • 10篇王昊
  • 10篇韩伟华
  • 6篇洪文婷
  • 5篇马刘红
  • 4篇杨晓光
  • 4篇杨涛
  • 3篇吕奇峰
  • 1篇张望

传媒

  • 3篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管
2014年
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向。首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制。在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的制备方法。研究表明,垂直结构纳米线容易实现高密度生长,而水平结构纳米线有利于逻辑栅的制作。通过比较垂直生长、水平生长、衬底转移和自上而下纳米加工技术制备Ⅲ-Ⅴ族纳米线的工艺优缺点,为水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线在硅衬底上的大面积异构集成及其器件的制作提供了新的解决方案。
洪文婷韩伟华王昊吕奇峰杨富华
关键词:硅衬底
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面,在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构,从...
韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
文献传递
一种无结晶体管的电阻测试方法
本发明公开了一种无结晶体管的电阻测试方法,包括:制作由多个无结晶体管串连而成的有栅极结构和无栅极结构;这两组结构中多个无结晶体管的源级和漏极依次制作在两个相邻的接触台面上,且两个相邻接触台面之间通过导电通道连接,导电通道...
王昊韩伟华马刘红杨富华
文献传递
基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长
2015年
介绍了基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长的方法,主要包括选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线和微通道外延薄膜。选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线可以有效控制Ⅲ-Ⅴ族纳米线的直径,并控制位错扩散,从而可以在硅衬底上生长出高晶体质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。同时,微沟道外延可以将位错限制在外延材料中极小范围内,保证外延材料的器件层晶体质量良好。微沟道外延分为两种形式:垂直生长和横向生长,原理分别是高深宽比陷阱和横向过生长。通过这两种生长形式,可以分别制备纳米条及纳米薄膜。硅基图形衬底的设计为Ⅲ-Ⅴ族材料在硅基衬底上集成提供了有效的途径,势必成为Ⅲ-Ⅴ族材料和硅异质集成的主流方法之一。
吕奇峰洪文婷马刘红王昊韩伟华杨富华
Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展被引量:2
2016年
从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前的平面硅差异不大,但无催化剂条件下难以选区定位生长水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线。硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管不仅能有效提高沟道迁移率等性能,而且可以保证与硅工艺的兼容性,同时降低Ⅲ-Ⅴ族材料晶体管高昂的成本。研究表明,水平结构的硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管将具有更大的发展潜力。
张望韩伟华吕奇峰王昊杨富华
关键词:晶体管
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面,在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构,从...
韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
文献传递
硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法
本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括:步骤A,在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线;步骤B,去除整段硅纳米线的中段部分,在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端...
韩伟华杨晓光杨涛王昊洪文婷杨富华
文献传递
硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法
本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括:步骤A,在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线;步骤B,去除整段硅纳米线的中段部分,在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端...
韩伟华杨晓光杨涛王昊洪文婷杨富华
文献传递
一种无结晶体管的电阻测试方法
本发明公开了一种无结晶体管的电阻测试方法,包括:制作由多个无结晶体管串连而成的有栅极结构和无栅极结构;这两组结构中多个无结晶体管的源级和漏极依次制作在两个相邻的接触台面上,且两个相邻接触台面之间通过导电通道连接,导电通道...
王昊韩伟华马刘红杨富华
文献传递
基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法
一种基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法,其中基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管,包括:一SOI衬底;一源区,其位于SOI衬底上面的一侧;一漏区,其位于SOI衬底上面的另一侧;一硅纳米线,该硅...
王昊韩伟华杨富华
文献传递
共1页<1>
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