王建宝
- 作品数：14 被引量：14H指数：3
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金基础研究重大项目前期研究专项国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格被引量：3
- 1996年
- 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．
- 盛篪周铁城龚大卫樊永良王建宝张翔九王迅
- 关键词：元素半导体锗SIGE合金硅超晶格
- 光生电压谱方法对Znse/GaAs异质结导带偏移的研究被引量：1
- 1997年
- 实验采用光生电压谱方法对Znse／GaAs异质结界面的光跃迁进行了观察．在光子能量略低于GaAs带边的地方，光生电压谱出现了一个峰．通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从GaAs价带顶跃迁至Znse导带底的过程，表明znse／GaAs异质结的能带排列属于错开型．并得出在温度小于70K的低温下Zns／GaAs异质结导带偏移植为150meV±10meV．
- 谌达宇王建宝靳彩霞陆昉
- 关键词：异质结硒化锌砷化镓
- 亚稳态Ge_xSi_(1-x)/Si单量子阱的缺陷性质
- 1997年
- 对于处在亚稳态生长区域内阱宽为15um锗组分x=0．25、0．33、0．40的单量子阱样品，及阱宽相同x=0．45、0．53的单量子阱样品，首先通过喇曼光谱测量了样品的应变弛豫程度，发现当锗组分增加到X≥0．45时，其应变开始逐渐弛豫，然后通过测量深能组瞬态谱（DLTS），研究应变弛豫程度不同的样品中形成的缺陷性质。在X=0.25、0.33、0．40样品中均可以观察到量子阱中载流子发射产生的DLTS峰，由它求得的能带们移值与理论预计值符合。对于X=0．45、0．53样品阱中载流子发射信号已被缺陷信号淹没，表明此时样品的缺陷浓度很大。相应的缺陷情况是：对于应变未弛豫的样品（X=0．25），DLTS测得的缺陷为一点缺陷；对于应变基本未弛豫的样品（X=0．33、0．40）DLTS测得的缺陷主要为一组界面缺陷；而应变部分弛豫的样品（X=0．45、0．53），DLTS测得的缺陷与前三种样品不同，样品的缺陷可能与形成的穿透位错有关。通过电化学腐蚀，可以确定这些缺陷均位于异质界面附近。
- 张博王建宝刘晓晗龚大卫陆方孙恒慧
- 关键词：亚稳态锗
- 用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格被引量：1
- 1990年
- 对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。
- 徐建国王建宝盛篪孙恒慧郑思定姚文华
- 关键词：喇曼光谱锗硅应变层超晶格
- 光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究
- 对宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于 ZnSe/GaAs 异质结导带偏移较小,目前对其能带排列的研究存在不同的结果。本文采用的样品 A 是用分子束外延技术将厚度为100nm 的 ...
- 谌达宇王建宝靳彩霞陆昉孙恒慧
- 文献传递
- 掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究被引量：3
- 1996年
- 掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究邓振波，黄京根，董树忠，王建宝，张博，陆访，孙恒慧（复旦大学物理系，复旦大学材料系，上海２００４３３）聚合物薄膜电致发光（ＰＴＦＥＬ）器件的主要特点是制造方便、设备简单、成本低廉并且可以通过改变材料体系、掺杂或调...
- 邓振波黄京根董树忠王建宝张博陆访孙恒慧
- 关键词：电致发光器件
- 光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究
- 1997年
- 光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室）对宽禁带ⅡⅥ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带...
- 谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧
- 关键词：砷化镓硒化锌异质结
- 衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响
- 1992年
- 用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。
- 吕宏强王杰沈军刘咏王迅王昌平王建宝李晨沈孝良
- 关键词：衬底温度
- 热壁外延法生长Zn_(1-x)Mn_xSe半磁半导体薄膜被引量：1
- 1992年
- 作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.
- 王杰吕宏强沈军李哲深王建宝沈孝良
- 关键词：热壁外延半磁半导体
- 锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究
- 1995年
- 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭．
- 王勤华陆昉龚大卫王建宝孙恒慧
- 关键词：锗硅合金半导体
