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基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法: 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合...; 郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅; 文献传递

低位错密度的GaN外延薄膜生长研究: 随着社会的发展,科技的进步,半导体材料在现代科技革命中扮演着极其重要的角色。作为第三代半导体材料的代表,氮化镓/(GaN/)和其它氮化物材料是近年来光电子材料领域和高温大功率器件方面的研究热点之一。GaN基半导体材料具有...; 欧新秀; 关键词：MOCVD HVPE GAN 位错密度; 文献传递

基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法: 本发明公开了一种基于m面SiC衬底非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法，主要解决常规非极性GaN生长中质量差、工艺复杂的问题。其生长步骤是：(1)将m面SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合...; 郝跃许晟瑞张进成周小伟欧新秀付小凡杨传凯薛军帅

基于r面Al2O3衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al2</...; 许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀; 文献传递

新型无应变InAlN/GaN外延生长及器件制备: 作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子气密度达到2.0×1013cm-2,室温...; 薛军帅郝跃欧新秀史林玉张进成马晓华王冲; 关键词：INALN CAN HEMTS 化合物半导体; 文献传递

在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究被引量：1: 2011年; 在r面蓝宝石(Al2O3)衬底上生长了非极性掺硅的a面GaN薄膜,用光致发光(PL)谱,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM),和霍尔测量研究了材料的光学和电学性质.结果表明,Si的掺入会使材料的结晶质量和形貌出现微小的退化.黄带也随着SiH4流量的增加而提高.但是随着硅的掺入,材料迁移率极大提高,这种现象主要是由于镓空位(VGa)被填补引起的.; 许晟瑞周小伟郝跃杨林安张进成毛维杨翠蔡茂世欧新秀史林玉曹艳荣; 关键词：非极性 GAN HRXRD 光致发光

非故意掺杂与半绝缘GaN缓冲层上的AlGaN/GaN异质结构的高温电子输运特性: 2010年; 研究了非故意掺杂(UID)与半绝缘(SI)GaN缓冲层(BL)上的Al0.35Ga0.65N/GaN异质结构高温下的电子输运特性,应用Hall效应系统地测量了样品在高温下的电子面密度和电子迁移率随温度变化的关系.实验发现,高温下AlGaN/GaN异质结构的电子迁移率主要受到LO声子散射的作用,其中,UID-BL样品的电子面密度随温度升高而逐渐上升,SI-BL样品的电子面密度则随温度升高呈现先下降再平衡后上升的规律.对相应的未生长AlGaN势垒层的本征GaN薄膜的高温电阻特性分析表明,随着温度的升高,UID-BL样品的电子迁移率受到背景载流子的影响逐渐增大;SI-BL样品的电子迁移率在室温附近受附加位错散射的影响较大,600K以后受背景载流子的影响缓慢增强,这对于研究AlGaN/GaN异质结构器件的高温特性具有很好的参考意义.另外,由理论计算可知,高温下二维电子气(2DEG)逐渐向势垒层和缓冲层内部扩展,电子在第一子带的占据从室温下的86%下降到700K时的81%.; 付小凡王昊史林玉张忠芬张进成欧新秀郝跃; 关键词：电子输运

基于r面Al2O3衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法: 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：(1)将r面Al2</...; 许晟瑞郝跃周小伟张进成史林玉陈珂杨传凯欧新秀; 文献传递

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欧新秀