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一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...; 罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强; 文献传递

一种具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管: 2021年; 基于GaN/AlGaN/GaN-on-Si材料,研制了一种高压低功耗新型肖特基二极管(SBD)。由于异质结的极化效应,在AlGaN/GaN界面会产生高浓度的二维电子气(2DEG),在GaN/AlGaN界面产生二维空穴气(2DHG)。首先,在正向阻断时,随着偏压的升高,2DEG和2DHG被完全耗尽,在界面处留下固定的正/负极化电荷而构成极化结,电力线从正电荷指向负电荷,使得漂移区内的电场分布较均匀,提高了二极管的击穿电压。其次,肖特基二极管的阳极GaN/AlGaN层被完全刻蚀,获得了低的开启电压。最后,开发了低损伤ICP刻蚀工艺,降低了肖特基接触界面的缺陷,减小了反向泄漏电流和开启电压。实验结果表明,二极管的击穿电压为1109V@1mA/mm,开户电压为0.68V,比导通电阻为1.17mΩ·cm^(2),Baliga FOM值为1051MW/cm^(2)。该SBD兼具高击穿电压和低开启电压的特点,均匀性好。; 韩春林孙涛周建军; 关键词：GAN 功率二极管肖特基二极管

一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有逆向导通能力的GaN RC‑HEMT器件。本发明在传统MIS栅HEMT器件基础上引入电流阻挡层和多沟道导电通路，并且集成了反向续流肖特基管，降低了反向开启损耗。阻挡层形成2DHG阻断...; 罗小蓉张成廖德尊邓思宇杨可萌魏杰贾艳江孙涛郗路凡; 文献传递

一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有钝化层渐变氟离子终端的GaN HMET器件。本发明主要特征在于：在器件栅极和漏级之间引入氟离子注入终端结构，且氟离子注入区域面积由靠近栅极一侧向漏极一侧逐渐减小，有效降低栅极边缘...; 魏杰邓思宇郗路凡孙涛贾艳江廖德尊张成罗小蓉; 文献传递

一种具有快速关断特性的SOI LIGBT: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有快速关断特性的SOI LIGBT。本发明与传统的SOI LIGBT相比，阴极引入连接阴极电位的阴极槽，阴极槽延伸至阴极P阱区以下，且阴极槽在靠近阳极结构一侧与P+体接触区接触...; 罗小蓉杨洋孙涛魏杰樊雕欧阳东法王晨霞张科苏伟; 文献传递

一种槽栅短路阳极SOI LIGBT: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种槽栅短路阳极SOI LIGBT。与传统的短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，且在N+阳极区正下方引入P体区；阴极区引入槽栅和连接阴极的阴极槽。器件关断时，阳极槽接...; 罗小蓉赵哲言黄琳华邓高强孙涛张波; 文献传递

一种集成续流二极管的GaN HEMT器件: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成续流二极管的GaN HMET器件。本发明主要特征在于：器件正向导通时，肖特基二极管处于关断状态，一方面利用肖特基金属与半导体之间的功函数差，耗尽阳极区域的二维电子气，另一方面利用...; 罗小蓉廖德尊张成邓思宇魏杰贾艳江孙涛郗路凡; 文献传递

一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管。在栅/源电压为零时，栅/源电极金属与氧化镓半导体之间功函数差耗尽导电沟道；随着栅/源电压增加，耗尽区逐渐变窄直至在沟道侧壁形成高浓度电子积...; 罗小蓉魏雨夕孙涛邓思宇魏杰杨可萌鲁娟彭小松蒋卓林

一种具有多导电沟道及鳍式栅的增强型HEMT器件: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多导电沟道及鳍式栅的增强型HEMT器件。本发明主要特征在于：采用AlN/AlGaN/InAlN及GaN叠层结构形成多导电沟道，降低器件的正向导通电阻，提升正向电流能力；采用鳍...; 罗小蓉孙涛杨超邓思宇欧阳东法冯锋张波; 文献传递

一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件。通过嵌入具有极化结的肖特基势垒二极管(SBD)进行反向续流，与外部反向并联续流二极管的器件相比，该结构在降低器件反向导通压降和寄生效...; 罗小蓉贾艳江孙涛张成邓思宇魏杰廖德尊郗路凡赵智家; 文献传递

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孙涛