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孙殿照: 作品数：77 被引量：98H指数：6; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划“九五”国家科技攻关计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

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用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi/Si合金: 1997年; 采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法成功地生长出应变ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷，既保留了生长中由氢化物裂解产生的氢原子在生长表面上的活化作用（ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｅｆｆｅｃｔ），又利用了固态源炉通过挡板能够迅速切断分子束流的优点。样品的Ｘ射线双晶衍射，透射电子显微镜及光荧光测量表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金具有较好的晶格完整性及平坦的异质结界面。; 刘学锋李建平刘金平孙殿照孔梅影王占国; 关键词：硅化锗分子束外延

In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化被引量：1: 1998年; 本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化．用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８．用Ｘ射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际Ｉｎ组分．用光致发光谱（ＰＬ）、吸收谱（ＡＳ）、光伏谱（ＰＶ）确定出了样品中的激子跃迁能量．对量子阱中的激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化进行了理论计算．结果表明：对给定阱宽的量子阱，随着Ｉｎ组分的增大，量子阱中１１Ｈ和１１Ｌ激子跃迁能量减小．１１Ｈ与１１Ｌ激子吸收峰间距随Ｉｎ组分的变化而变化，对５ｎｍ的量子阱，当ｘ＝０．４２时，ｎ＝１的重、轻空穴量子化能级简并．当ｘ＜０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量小于１１Ｈ激子跃迁能量；当ｘ＝０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量与１１Ｈ激子跃迁能量相等；当ｘ＞０．４２时，１１Ｌ激子跃迁能量大于１１Ｈ激子跃迁能量．; 王晓亮孙殿照孔梅影侯洵曾一平; 关键词：应变量子阱化合物半导体铟

Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长: 通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并...; 罗木昌王晓亮刘宏新王雷李晋闽孙殿照曾一平林兰英; 关键词：分子束外延氮化镓半导体材料; 文献传递

In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究被引量：1: 1997年; 在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层中的设计In组分从0．39变化到0．68．用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析，并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟，确定出了该组样品阶层中的In组分、阶宽及垒宽．结果表明，每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐而强的卫星峰，且模拟曲线与测得的衍射曲线符合得相当好，说明材料结构完整、具有较高的质量；样品的设计参数与计算机模拟得到的参数基本一致，说明生长过程可以很好的控制．; 王晓亮孙殿照孔梅影侯洵曾一平; 关键词：应变多量子阱 GSMBE生长 X射线双晶衍射

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为: 1996年; 用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快扩散可能与未激活Ａｓ的快速退火行为有关．就作者所知，离子注入Ａｓ在Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中的扩散研究，以前未见报道．; 邹吕凡王占国孙殿照何沙范缇文刘学锋张靖巍; 关键词：退火 SIGE

分子束外延Ⅲ族氮化物场效应晶体管材料: 本文报道了使用NH<,3>-MBE技术和PA-MBE在C面蓝宝石上外延高质量GaN以及AlGaN/GaN二准电子气材料的结果.; 孙殿照王晓亮胡国新王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英; 关键词：分子束外延 GAN ALGAN/GAN 半导体材料; 文献传递

GaAs MISHFET的研制: 1990年; 本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。; 杨沁清高俊华曾一平孔梅影孙殿照; 关键词：GAAS 场效应晶体管异质结

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术: 本文将介绍采用气固源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术,以获得理想掺杂分布的HBT材料的结果.; 黄大定刘超李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影; 关键词：分子束外延生长 SIGE/SI 原位掺杂控制技术半导体材料; 文献传递

日俄歇谱研究ＧＳＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构外延层中磷的固相组份与气相组份的关系: 王晓亮孙殿照; 关键词：磷化铟磷砷化镓砷化铟俄歇电子谱法

InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究被引量：2: 1995年; 在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．; 孙殿照王晓亮李晓兵国红熙阎春辉李建平朱世荣李灵霄曾一平孔梅影侯洵; 关键词：INGAAS 磷化铟超晶格材料 GSMBE生长